激光辐照下PV型HgCdTe探测器反常响应机理 被引量：12

1

作者 贺元兴 江厚满 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1233-1237,共5页

利用PV型探测器开路电压的表达式,并考虑探测器的温度变化建立模型,对激光辐照下PV型HgCdTe探测器开路电压的变化进行了理论计算。当激光较弱时,计算结果与实验结果符合得很好。当激光较强时,对于辐照过程当中探测器输出变化的一般性趋... 利用PV型探测器开路电压的表达式,并考虑探测器的温度变化建立模型,对激光辐照下PV型HgCdTe探测器开路电压的变化进行了理论计算。当激光较弱时,计算结果与实验结果符合得很好。当激光较强时,对于辐照过程当中探测器输出变化的一般性趋势以及激光完全停照后的热弛豫过程,该模型也能给出较好的解释;但对于激光开始辐照时输出下跳和激光停止辐照时输出上跳的反常现象,该模型不能给出合理的解释。分析认为,该模型较好地描述了晶格温升对探测器输出的影响,但是它没有考虑热载流子效应;当激光较强时,热载流子效应不可忽略,特别是激光开始辐照和激光停止辐照时,载流子与晶格的温度差有比较明显的快速变化,从而导致了探测器的反常响应。 展开更多

关键词 pv型hgcdte探测器 热载流子效应 响应 开路电压 漂移-扩散模型 激光辐照

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连续波激光辐照PV型HgCdTe探测器的新效应 被引量：2

2

作者 李文煜 程湘爱 +3 位作者 陆启生 许晓军 江厚满 马丽芹 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期811-814,共4页

　用连续波DF激光辐照PV型HgCdTe红外探测器,得到不同辐照功率密度下,探测器响应输出的一系列实验结果,观察到器件饱和以外的如探测器混沌、探测器单极化等一些新现象,这些结果与理论预期有着较大差别。给出了实验结果的初步解释,该实... 　用连续波DF激光辐照PV型HgCdTe红外探测器,得到不同辐照功率密度下,探测器响应输出的一系列实验结果,观察到器件饱和以外的如探测器混沌、探测器单极化等一些新现象,这些结果与理论预期有着较大差别。给出了实验结果的初步解释,该实验结果为今后更好地研究PV型HgCdTe探测器提供了新的线索。 展开更多

关键词 连续波DF激光 pv型hgcdte探测器 混沌 单极化 红外探测器

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1.319μm激光诱导HgCdTe(PV型)探测器混沌的研究 被引量：5

3

作者 马丽芹 程湘爱 +4 位作者 陆启生 李修乾 王睿 许晓军 何锋 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期61-63,共3页

通过对 1.319μm连续波激光辐照PV型HgCdTe探测器的实验研究 ,发现当激光辐照功率密度超过探测器的饱和阈值以后 ,激光能诱导探测器产生混沌现象 ,并得出了相应的激光辐照功率密度范围 ,文中还对试验结果进行了论证与分析。

关键词 激光诱导 连续波激光 pv型hgcdte探测器 混沌现象 激光辐射探测器

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PV型HgCdTe光电探测器中的混沌及其诊断 被引量：8

4

作者 马丽芹 程湘爱 +2 位作者 许晓军 李文煜 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期37-39,共3页

　对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进... 　对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进行了诊断。 展开更多

关键词 pv型hgcdte光电探测器 诊断 混沌 功率谱 LYAPUNOV指数 激光辐照 半导体光电探测器

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波段外10.6μm激光辐照中红外PV型HgCdTe光电探测器机理分析 被引量：4

5

作者 李莉 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2535-2539,共5页

用波长为10.6μm的波段外连续波激光辐照PV型HgCdTe中红外光电探测器,得到了不同辐照功率密度下探测器的响应输出随激光功率密度变化的一系列实验结果。观察到探测器对波段外激光的电压响应方向与波段内激光的电压响应方向相同,随波段... 用波长为10.6μm的波段外连续波激光辐照PV型HgCdTe中红外光电探测器,得到了不同辐照功率密度下探测器的响应输出随激光功率密度变化的一系列实验结果。观察到探测器对波段外激光的电压响应方向与波段内激光的电压响应方向相同,随波段外激光功率密度升高,探测器的电压响应值先增大后减小。分析认为:该现象是由于探测器材料的弱吸收和基底材料的强吸收在不同时刻产生的不同的温度梯度,与材料的整体温升共同作用的结果。该温度梯度在探测器内产生温差电动势,而热激发的电子空穴对在温度梯度的作用下定向运动被结电场分离,产生热生电动势,热生电动势是波段外激光辐照下PV型探测器中电动势产生的主要机制。 展开更多

关键词 激光辐照效应 pv型hgcdte光电探测器 波段外激光 热生电动势

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激光辐照PC型HgCdTe探测器的实验研究 被引量：19

6

作者 李修乾 程湘爱 +2 位作者 王睿 马丽芹 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期40-44,共5页

　分别用连续波1.319μm激光和10.6μm激光辐照PC型HgCdTe红外探测器时,得到了不同辐照光功率密度下,探测器输出的一系列实验结果。给出了在波长为1.319μm的波段内激光辐照下PC型HgCdTe探测器的饱和阈值;用波长为10.6μm的波段外CO2激... 　分别用连续波1.319μm激光和10.6μm激光辐照PC型HgCdTe红外探测器时,得到了不同辐照光功率密度下,探测器输出的一系列实验结果。给出了在波长为1.319μm的波段内激光辐照下PC型HgCdTe探测器的饱和阈值;用波长为10.6μm的波段外CO2激光辐照探测器时,发现了一些与波段内激光辐照探测器时大不相同的实验现象;对实验结果进行了分析。简要总结了PC型HgCdTe探测器对于波段内和波段外激光辐照的响应机制。 展开更多

关键词 激光辐照 PC型hgcdte探测器 实验研究 半导体光电探测器 红外探测器 饱和阈值

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CW CO_2激光对PV型InSb探测器的破坏效应 被引量：11

7

作者 陈金宝 陆启生 +2 位作者 舒柏宏 李文煜 许晓军 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期47-49,共3页

通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度、不同辐照时间的CWCO2 激光辐照时性能的变化 ,得到其破坏阈值区间。理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中的温升 ,结果表明 ,PV型InSb探测器的破坏效应源于连续波激光辐照过程中... 通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度、不同辐照时间的CWCO2 激光辐照时性能的变化 ,得到其破坏阈值区间。理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中的温升 ,结果表明 ,PV型InSb探测器的破坏效应源于连续波激光辐照过程中温升达到InSb材料熔点时其p 展开更多

关键词 光电探测器 CW CO2激光 破坏效应 pv型 锑化铟探测器 光电探测器

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激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤 被引量：6

8

作者 赵建君 宋春荣 +1 位作者 张灵振 牛燕雄 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1008-1012,共5页

在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光... 在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光连续辐照下,半导体材料InSb会发生熔融损伤,且最早发生于迎光面的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破坏所需要的时间越短;对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器抗激光辐照能力,应该减小胶层厚度.采用该理论计算得到不同功率下的InSb熔融时间为1.57 s和4.54 s,与实验得到的2 s和 4～5 s基本吻合. 展开更多

关键词 热损伤 InSb(pv)型探测器 高斯光束 损伤阈值

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3.8μm激光破坏三元PC型HgCdTe探测器系统的实验研究 被引量：2

9

作者 王睿 程湘爱 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期31-34,共4页

　对3.8μm激光破坏三元PC型HgCdTe探测器系统的实验结果进行定性分析。实验结果表明:当辐照在探测器系统上的激光功率密度达411W/cm2时,系统内各部件(Ge窗口、滤光片及探测器)已严重损坏,探测器系统永久失效。分析认为:实验中引起探测... 　对3.8μm激光破坏三元PC型HgCdTe探测器系统的实验结果进行定性分析。实验结果表明:当辐照在探测器系统上的激光功率密度达411W/cm2时,系统内各部件(Ge窗口、滤光片及探测器)已严重损坏,探测器系统永久失效。分析认为:实验中引起探测器系统破坏的主要原因是温度升高引起的烧蚀热。 展开更多

关键词 3.8μm激光 三元PC型hgcdte探测器 激光损伤

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实验研究光谱非相关激光辐照下光伏型HgCdTe探测器芯片前后表面的温升 被引量：1

10

作者 江天 程湘爱 +5 位作者 李莉 郑鑫 江厚满 陆启生 田宏 卞静 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期9-12,共4页

为了研究光谱非相关激光辐照下探测器芯片前后表面温度变化规律,通过铂电阻测温的方法,测量了芯片后表面的温度变化规律。通过标定芯片前表面结电场分离电子-空穴对能力随温度变化的关系,利用组合激光的实验方法测量了光谱非相关激光辐... 为了研究光谱非相关激光辐照下探测器芯片前后表面温度变化规律,通过铂电阻测温的方法,测量了芯片后表面的温度变化规律。通过标定芯片前表面结电场分离电子-空穴对能力随温度变化的关系,利用组合激光的实验方法测量了光谱非相关激光辐照过程中芯片前表面的温度变化规律。研究表明,光谱非相关激光辐照过程中芯片前后表面都有温升,但后表面温度一直高于前表面温度。 展开更多

关键词 光谱非相关激光 光伏型hgcdte探测器 温度场

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激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应 被引量：2

11

作者 王飞 程湘爱 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z1期169-172,共4页

研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后... 研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其 pn 结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于 Hg 原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响. 展开更多

关键词 pn结退化 损伤 pv型Hg1-xCdxTe探测器 并联电阻模型

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HgCdTe探测器Pt电阻测温分析 被引量：5

12

作者 王飞 程湘爱 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第4期461-463,466,共4页

研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻... 研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻温度随时间的变化以及探测器各层结构的温升情况,理论分析结果与实验结果相一致。 展开更多

关键词 pv型hgcdte探测器 温升 杜瓦冷面 Pt电阻 1.319 μm连续激光

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10.6μm CO_2激光对HgCdTe探测器破坏阈值的实验研究 被引量：17

13

作者 张红 薛建国 +2 位作者 成斌 王非 王冰 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期41-43,56,共4页

用10.6μm脉冲CO2激光辐照PC型HgCdTe光电探测器进行破坏阈值实验研究,通过改变激光辐照到探测器上的能量密度直至探测器损伤、破坏,得出了HgCdTe探测器的破坏阈值;利用一维半无限大模型计算了激光损伤探测器的破坏阈值,并与实验值进行... 用10.6μm脉冲CO2激光辐照PC型HgCdTe光电探测器进行破坏阈值实验研究,通过改变激光辐照到探测器上的能量密度直至探测器损伤、破坏,得出了HgCdTe探测器的破坏阈值;利用一维半无限大模型计算了激光损伤探测器的破坏阈值,并与实验值进行了比较。分析表明,实验误差不仅来自于探测器不同的材料性质,而且与光斑的大小,探测器的制作工艺等多种因素有关;分析了不同脉宽的激光脉冲对破坏阈值的影响,得出了合理的破坏阈值。 展开更多

关键词 脉冲CO2激光 损伤阈值 PC型hgcdte探测器 光电探测器

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激光辐照光伏型光电探测器热效应的有限元分析 被引量：7

14

作者 刘全喜 齐文宗 +1 位作者 郝秋龙 赵方东 《应用光学》 CAS CSCD 2007年第3期275-279,共5页

建立了高斯激光辐照光伏(PV)型光电探测器温升的三维物理模型,采用有限元分析方法计算了探测器的三维温度场分布,探讨了辐照时间、胶层厚度和胶层热导率对熔融损伤阈值及热恢复时间的影响。研究结果表明:InSb PV型探测器受到强激光连续... 建立了高斯激光辐照光伏(PV)型光电探测器温升的三维物理模型,采用有限元分析方法计算了探测器的三维温度场分布,探讨了辐照时间、胶层厚度和胶层热导率对熔融损伤阈值及热恢复时间的影响。研究结果表明:InSb PV型探测器受到强激光连续辐照时会发生熔融损伤破坏,且最早发生于迎光面的光斑中心;激光的功率越高,造成损伤破坏所需要的时间越短;热导率越大,越薄的胶层对应的损伤阈值越大,但胶层厚度和热导率对熔融损伤阈值的影响在大功率激光辐照时才较明显。为了提高PV型探测器抗激光辐照能力,应选用热导率大且尽可能薄的胶层。采用该模型计算得到10 W功率激光辐照下的熔融时间为3.26 s,与实验得到的3 s基本吻合。 展开更多

关键词 pv型光电探测器 热效应 熔融损伤阈值 有限元分析 热恢复时间 热传导方程

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HgCdTe红外焦平面探测器从研发到生产 被引量：4

15

作者 韩福忠 周连军 +1 位作者 袁绶章 吴军 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第4期271-274,共4页

HgCdTe红外焦平探测器经过多年的研发,已达到批量生产的水平。昆明物理研究所批量生产的第二代红外探测器产品主要是长波288×4和中波320×256两类典型的红外焦平面探测器组件。在2013年这两类组件生产的数量分别可达几百套。... HgCdTe红外焦平探测器经过多年的研发,已达到批量生产的水平。昆明物理研究所批量生产的第二代红外探测器产品主要是长波288×4和中波320×256两类典型的红外焦平面探测器组件。在2013年这两类组件生产的数量分别可达几百套。介绍了在红外探测器生产中所需解决的关键问题,主要是HgCdTe材料的质量及光伏器件工艺的稳定性,并介绍两类主要生产的探测器组件产品及其性能结果。 展开更多

关键词 红外焦平面 hgcdte 离子注入 制冷型探测器 噪声等效温差

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HgCdTe光导探测器比探测率的特性分析

16

作者 姚鹏 王学奇 +2 位作者 王海晏 段鹏程 冯超 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期838-842,共5页

从信号和噪声两个方面分析了HgCdTe光导探测器自身温度变化对比探测率D*的影响,并在理论层面上对比探测率的表达式进行了推导。理论分析表明:温度变化影响载流子的浓度和寿命,从而影响信号与噪声的大小,降低探测器的温度可使得探测器的... 从信号和噪声两个方面分析了HgCdTe光导探测器自身温度变化对比探测率D*的影响,并在理论层面上对比探测率的表达式进行了推导。理论分析表明:温度变化影响载流子的浓度和寿命,从而影响信号与噪声的大小,降低探测器的温度可使得探测器的比探测率得到一定程度的提高。通过MATLAB仿真,分析了组分和厚度的变化对Hg_(1-x)Cd_xTe光导器件的截止波长和峰值波长的影响情况,为使HgCdTe光导探测器在工作波段内有较高的探测响应,当探测器工作在某一温度,应选择合适的组分x和厚度d。 展开更多

关键词 光导型探测器 温度 比探测率 波长 hgcdte

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20μm高灵敏浸没型碲镉汞红外探测器 被引量：1

17

作者 王子孟 王培纲 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期363-366,共4页

报道了一种新型高灵敏浸没型ＨｇＣｄＴｅ红外探测器的研制，获得了Ｄ＊＝１．４６×１０１１ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１、Ｒ＝６０８Ｖ／Ｗ、λｃ（２０％）～２０μｍ、灵敏元面积Ａ＝０．１２×０．

关键词 高灵敏 hgcdte 红外探测器 浸没型

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