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激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应
被引量：
2
1
作者
王飞
程湘爱
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第z1期169-172,共4页
研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后...
研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其 pn 结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于 Hg 原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响.
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关键词
pn结退化
损伤
pv型hg1-xcdxte探测器
并联电阻模
型
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职称材料
采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究
被引量：
4
2
作者
巫艳
于梅芳
+3 位作者
陈路
乔怡敏
杨建荣
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期23-27,共5页
报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬...
报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到 4.2× 10 5cm-2 ,标准差为 3.5× 10 5cm-2 ,接近ZnCdTe衬底的位错极限 .可重复性良好 ,材料位错合格率为 73.7% 。
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关键词
分子束外延
hg
1
-xcdxte
薄膜
位错密度
MBE
汞镉碲薄膜
ZnCdTe
锌镉碲化合物
红外焦平面
探测器
生长条件
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职称材料
题名
激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应
被引量：
2
1
作者
王飞
程湘爱
机构
国防科学技术大学光电学院定向能技术研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第z1期169-172,共4页
文摘
研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其 pn 结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于 Hg 原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响.
关键词
pn结退化
损伤
pv型hg1-xcdxte探测器
并联电阻模
型
Keywords
Degradation ofp-n junction
Damage
pv
-type
hg
_(1-x)Cd_xTe detector
Parallel-resistance model
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究
被引量：
4
2
作者
巫艳
于梅芳
陈路
乔怡敏
杨建荣
何力
机构
中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期23-27,共5页
基金
国家自然科学基金 (批准号 6 942 5 0 0 2 )
国家 86 3(批准号 86 3 30 7 16 10 )资助项目~~
文摘
报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到 4.2× 10 5cm-2 ,标准差为 3.5× 10 5cm-2 ,接近ZnCdTe衬底的位错极限 .可重复性良好 ,材料位错合格率为 73.7% 。
关键词
分子束外延
hg
1
-xcdxte
薄膜
位错密度
MBE
汞镉碲薄膜
ZnCdTe
锌镉碲化合物
红外焦平面
探测器
生长条件
Keywords
MBE
hg
1
-xcdxte
dislocation density
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O484.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应
王飞
程湘爱
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究
巫艳
于梅芳
陈路
乔怡敏
杨建荣
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
4
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职称材料
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