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一款基于BiCMOS工艺的高性能带隙基准电路
1
作者
宋晶
刘诗斌
谭慧宇
《电子测量技术》
2007年第6期157-159,172,共4页
电源电压的变化是影响带隙基准电路稳定性的主要因素之一。本文针对该问题,在采用深度负反馈环路的基础上,增加了一种提高电源电压抑制比的电路结构来降低电源变化对基准的影响。该电路采用BiCMOS工艺设计,同时具有良好的温度性能。文...
电源电压的变化是影响带隙基准电路稳定性的主要因素之一。本文针对该问题,在采用深度负反馈环路的基础上,增加了一种提高电源电压抑制比的电路结构来降低电源变化对基准的影响。该电路采用BiCMOS工艺设计,同时具有良好的温度性能。文中给出了详细的分析和电路实现。该电路通过Hspice验证,温度系数仅为5.7ppm/℃。
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关键词
带隙基准
psrr负反馈回路
温度性能
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职称材料
题名
一款基于BiCMOS工艺的高性能带隙基准电路
1
作者
宋晶
刘诗斌
谭慧宇
机构
西北工业大学电子信息学院
出处
《电子测量技术》
2007年第6期157-159,172,共4页
文摘
电源电压的变化是影响带隙基准电路稳定性的主要因素之一。本文针对该问题,在采用深度负反馈环路的基础上,增加了一种提高电源电压抑制比的电路结构来降低电源变化对基准的影响。该电路采用BiCMOS工艺设计,同时具有良好的温度性能。文中给出了详细的分析和电路实现。该电路通过Hspice验证,温度系数仅为5.7ppm/℃。
关键词
带隙基准
psrr负反馈回路
温度性能
Keywords
bandgap reference
psrr
negative feedback loop
performance of temperature
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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操作
1
一款基于BiCMOS工艺的高性能带隙基准电路
宋晶
刘诗斌
谭慧宇
《电子测量技术》
2007
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