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质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性 被引量：2
1
作者 姜柯 陆妩 +5 位作者 马武英 郭旗 何承发 王信 曾俊哲 刘默涵 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期2087-2092,共6页
对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM... 对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。 展开更多
关键词 pnp输入双极运算放大器 质子辐射 60 Coγ射线辐射 辐射效应
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PNP输入双极运算放大器的辐射效应 被引量：1
2
作者 许发月 陆妩 +4 位作者 王义元 席善斌 李明 王飞 周东 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期229-233,共5页
对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明... 对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。 展开更多
关键词 pnp输入双极运算放大器 低剂量率 偏置 60Coγ辐照
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宽频带双输入运算放大器OPA678 被引量：1
3
作者 翟俊祥 阎光明 《国外电子元器件》 2000年第4期14-15,共2页
本文介绍了美国BURR -BROWN公司的宽频带双输入集成运算放大器OPA678的四种典型应用电路 ,并对使用中的一些问题和注意事项作了具体说明。
关键词 宽频带 运算放大器 双输入
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Intersil的高精度运算放大器系列新增双信道40V精密单电源放大器
4
《电子与电脑》 2011年第5期88-88,共1页
Intersil公司宣布推出业内领先的高精度运算放大器产品系列的新成员ISL28208，这是一款高精度、支持负电压信号输入、轨到轨输出、支持3V-40V单电源供电的双通道运算放大器．为工业控制应用提供了无可比拟的解决方案。
关键词 运算放大器 单电源供电 高精度 Intersil公司 双信道 信号输入 控制应用 负电压
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Diodes新型运算放大器
5
《电子设计工程》 2011年第8期12-12,共1页
Diodes公司推出新型APX4558双通道运算放大器，其输入噪声低至8nV／√Hz，无需增加物料清单成本也可满足更高的音频性能要求。APX4558的先进性能加上高达3MHz的单位增益带宽，使其适用于成本特别敏感的各种音频产品，如机顶盒和前置放... Diodes公司推出新型APX4558双通道运算放大器，其输入噪声低至8nV／√Hz，无需增加物料清单成本也可满足更高的音频性能要求。APX4558的先进性能加上高达3MHz的单位增益带宽，使其适用于成本特别敏感的各种音频产品，如机顶盒和前置放大器。 展开更多
关键词 运算放大器 单位增益带宽 性能要求 音频产品 前置放大器 输入噪声 物料清单 双通道
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ISL28208：运算放大器
6
《世界电子元器件》 2011年第6期26-26,共1页
Intersil公司推出高精度运算放大器产品ISL28208，是一款高精度、支持负电压信号输入、轨到轨输出、支持3V－40V单电源供电的双通道运算放大器。
关键词 运算放大器 Intersil公司 单电源供电 信号输入 高精度 负电压 轨到轨 双通道
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基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计 被引量：2
7
作者 薛喆 何进 +4 位作者 陈婷 王豪 常胜 黄启俊 许仕龙 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期892-895,917,共5页
采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现... 采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现了一种伪差分的输入,减小了共模噪声,提高了电路的稳定性;在差分级加入了电容简并技术,有效地提高了跨阻放大器的带宽;在各级之间引入了射极跟随器,减小了前后级之间的影响,改善了电路的频域特性。电路整体采用了差分结构,抑制了电源噪声和衬底噪声。仿真结果表明跨阻放大器的增益为63.6 dBΩ,带宽可达20.4 GHz,灵敏度为-18.2 dBm,最大输出电压为260 mV,功耗为82 mW。 展开更多
关键词 跨阻放大器 25 Gbit/s 伪差分输入 电容简并 SiGe双极CMOS(BiCMOS)
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一种高品质双输入微分器
8
作者 Sark.,UC 杜忠 《空间电子技术》 1991年第4期53-57,共5页
关键词 双输入 微分器 运算放大器
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高频CB工艺与硅超高速集成运放
9
作者 王界平 龙弟光 王清平 《电子器件》 CAS 1997年第1期24-27,共4页
本文介绍了硅超高速集成运算放大器的电路设计、版图设计和工艺研究情况.
关键词 高频 互补双极工艺 超高速集成 运算放大器
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本田250点火器原理及维修要点(一)
10
作者 高立 《摩托车》 2006年第6期48-49,共2页
关键词 点火器 维修要点 本田 原理 双运算放大器 自动进角 点火方式 控制电路 集成电路 信号输入
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