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质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性
被引量：
3
1
作者
姜柯
陆妩
+5 位作者
马武英
郭旗
何承发
王信
曾俊哲
刘默涵
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期2087-2092,共6页
对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM...
对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。
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关键词
pnp输入双极运算放大器
质子辐射
60
Coγ射线辐射
辐射效应
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职称材料
PNP输入双极运算放大器的辐射效应
被引量：
3
2
作者
许发月
陆妩
+4 位作者
王义元
席善斌
李明
王飞
周东
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期229-233,共5页
对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明...
对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。
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关键词
pnp输入双极运算放大器
低剂量率
偏置
60Coγ辐照
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职称材料
基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计
被引量：
2
3
作者
薛喆
何进
+4 位作者
陈婷
王豪
常胜
黄启俊
许仕龙
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第12期892-895,917,共5页
采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现...
采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现了一种伪差分的输入,减小了共模噪声,提高了电路的稳定性;在差分级加入了电容简并技术,有效地提高了跨阻放大器的带宽;在各级之间引入了射极跟随器,减小了前后级之间的影响,改善了电路的频域特性。电路整体采用了差分结构,抑制了电源噪声和衬底噪声。仿真结果表明跨阻放大器的增益为63.6 dBΩ,带宽可达20.4 GHz,灵敏度为-18.2 dBm,最大输出电压为260 mV,功耗为82 mW。
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关键词
跨阻
放大器
25
Gbit/s
伪差分
输入
电容简并
SiGe
双
极
CMOS(BiCMOS)
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职称材料
题名
质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性
被引量：
3
1
作者
姜柯
陆妩
马武英
郭旗
何承发
王信
曾俊哲
刘默涵
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期2087-2092,共6页
文摘
对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。
关键词
pnp输入双极运算放大器
质子辐射
60
Coγ射线辐射
辐射效应
Keywords
pnp
input bipolar operational amplifier
proton radiation
60Coγrays radiation
radiation effect
分类号
TN321.8 [电子电信—物理电子学]
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
PNP输入双极运算放大器的辐射效应
被引量：
3
2
作者
许发月
陆妩
王义元
席善斌
李明
王飞
周东
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期229-233,共5页
文摘
对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。
关键词
pnp输入双极运算放大器
低剂量率
偏置
60Coγ辐照
Keywords
pnp
input bipolar operational amplifier
low dose rate
bias
60Co γ irradia- tion
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计
被引量：
2
3
作者
薛喆
何进
陈婷
王豪
常胜
黄启俊
许仕龙
机构
武汉大学物理科学与技术学院
中国电子科技集团公司第五十四研究所
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第12期892-895,917,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61774113
61574102
+3 种基金
61404094)
中央高校基本科研资助项目(2042014kf0238)
中央高校基本科研业务费专项资金(重大培育项目)资助项目(2042017gf 0052)
中国博士后科学基金资助项目(2012T50688)
文摘
采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现了一种伪差分的输入,减小了共模噪声,提高了电路的稳定性;在差分级加入了电容简并技术,有效地提高了跨阻放大器的带宽;在各级之间引入了射极跟随器,减小了前后级之间的影响,改善了电路的频域特性。电路整体采用了差分结构,抑制了电源噪声和衬底噪声。仿真结果表明跨阻放大器的增益为63.6 dBΩ,带宽可达20.4 GHz,灵敏度为-18.2 dBm,最大输出电压为260 mV,功耗为82 mW。
关键词
跨阻
放大器
25
Gbit/s
伪差分
输入
电容简并
SiGe
双
极
CMOS(BiCMOS)
Keywords
transimpedance amplifier
25 Gbit/s
pseudo-differential
capacitance degeneration
SiGe bipolar CMOS （BiCMOS）
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.71 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性
姜柯
陆妩
马武英
郭旗
何承发
王信
曾俊哲
刘默涵
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
PNP输入双极运算放大器的辐射效应
许发月
陆妩
王义元
席善斌
李明
王飞
周东
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计
薛喆
何进
陈婷
王豪
常胜
黄启俊
许仕龙
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
2
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职称材料
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