基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响 被引量：4

1

作者 王晨辉 陈伟 +6 位作者 刘岩 李斌 杨善潮 金晓明 白小燕 齐超 林东生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期171-176,共6页

通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×10... 通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012,1×1013 cm-2的中子辐照实验,研究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明,基区表面势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加,基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。 展开更多

关键词 基区表面势 栅控横向pnp晶体管 中子位移损伤

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Zetex新增两款低电压PNP晶体管

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《电子与电脑》 2007年第10期41-41,共1页

模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors（捷特科）公司在其低饱和、大电流SOT23FF晶体管系列中新增两款低电压PNP晶体管产品——ZXTP25020CFF和ZXTP19020DFF。

关键词 pnp晶体管 低电压 模拟信号处理 功率管理 供应商 大电流

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国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS 被引量：1

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作者 魏昕宇 陆妩 +6 位作者 李小龙 王信 孙静 于新 姚帅 刘默寒 郭旗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期369-374,共6页

研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad（Si）/s和0.01 rad（Si）/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad（Si）时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总... 研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad（Si）/s和0.01 rad（Si）/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad（Si）时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和。相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间。两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应（ELDRS）,且在反偏下ELDRS更显著。并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨。 展开更多

关键词 国产pnp型双极晶体管 宽总剂量范围 低剂量率损伤增强效应(ELDRS) 辐射损伤 剂量率

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Zetex高性能晶体管有效提升电源功率密度

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《电子与电脑》 2007年第9期59-59,共1页

模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex miconductors（捷特科）公司推出一系列微型NPN及PNP晶体管．以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件．

关键词 pnp晶体管 电源设备 功率密度 性能 模拟信号处理 MOSFET 功率管理 栅极驱动

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Zetex小巧PNP产品提升负载功率处理效能

5

《电子产品世界》 2004年第08A期147-147,共1页

关键词 Zetex公司 pnp晶体管 ZX5T2E6 SOT23-6封装

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温度系数连续可调的带隙基准源电路设计 被引量：3

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作者 庄楚楠 许佳雄 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期412-417,共6页

为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路... 为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路3个子模块。该电路使用MOS晶体管作为可变电阻,通过调节MOS栅极电压控制MOS漏源等效电阻的连续可变,进而改变电路中的电阻比值,实现带隙基准源的温度系数连续可调。使用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在-25~125℃的工作温度范围内,带隙基准源电路的输出电压的正温度系数可连续调节范围为156.6~2 545.0ppm/℃,输出电压的负温度系数的连续变化范围为156.6~1 337.7ppm/℃,输出基准电压变化为0.95~2.67V,低频时基准电压的电源抑制比达到73.13dB。该电路实现了基准电压从负温度系数向正温度系数的连续可调节,且调节范围较大。 展开更多

关键词 带隙基准源 温度系数连续可调 PTAT电流 pnp晶体管

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射频便携式系统用低压降稳压器

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《电子产品世界》 2002年第10A期28-29,共2页

关键词 串联电阻 pnp晶体管 LDO 射频便携式系统 低压降稳压器

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一款超低噪声前置放大器的设计 被引量：5

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作者 常莉 沈博 +1 位作者 鲁永康 张晓飞 《电子器件》 CAS 2008年第6期1854-1856,共3页

对于一款为低阻抗信号源设计用分立元件组成的前置放大器的低噪声设计要点作了较为详细的阐述,设计据级联放大器理论,重点是降低第一个晶体管的噪声系数,为此选择PNP型超β晶体管,并使之工作在低Uce,低Ic1的微功耗状态,并采取低噪声阻... 对于一款为低阻抗信号源设计用分立元件组成的前置放大器的低噪声设计要点作了较为详细的阐述,设计据级联放大器理论,重点是降低第一个晶体管的噪声系数,为此选择PNP型超β晶体管,并使之工作在低Uce,低Ic1的微功耗状态,并采取低噪声阻容元件等措施。据此制作了电路并对其进行了测试。结果表明其等效输入噪声电压为0.12 nV/Hz,可称其为超低噪声前置放大器,可广泛应用于诸如锁相放大器等对噪声特性要求很高的微弱信号测试仪器中。 展开更多

关键词 级联放大器 分立元件 pnp型超β晶体管 超低噪声 前置放大器

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Zetex全新微型双极封装提升电源效率

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作者 本刊通讯员 《电子与封装》 2006年第5期43-43,共1页

模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors近日推出新型ZXTC2045E6器件，它与互补NPN和PNP晶体管集成在一个SOT236封装内，可满足电源没计中大功率MOSFET和IGBT所需的驱动要求。

关键词 电源效率 封装 功率MOSFET 双极 微型 模拟信号处理 pnp晶体管 功率管理 IGBT 供应商

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Diodes双极型三极管采用微型PowerDI5封装大幅节省占板空间

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《电子与电脑》 2010年第4期62-62,共1页

Diodes推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。 PowerD15的占板空间仅有26mm^2... Diodes推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。 PowerD15的占板空间仅有26mm^2，比SOT223小47％，比DPA小60％；板外高度仅为1．1mm，远薄于165mm高的SOT223和2．3mm高的DPAK封装。 展开更多

关键词 表面贴装封装 双极型三极管 空间 微型 板 pnp晶体管 晶体三极管 高功率密度

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Diodes双极型三极管采用新型PowerDI5封装

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《中国新通信》 2010年第5期56-56,共1页

Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。

关键词 双极型三极管 表面贴装封装 pnp晶体管 晶体三极管 高功率密度 设计人员 第五代 NPN

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