期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
锗硅BiCMOS中的低成本、高性能PNP器件设计与制备
1
作者
钱文生
刘冬华
石晶
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期341-345,共5页
设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管。在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能。晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10GHz,满足高速电路设计的要求。
关键词
pnp三极管
锗硅双极-互补金属氧化物半导体
电流增益
特征频率
在线阅读
下载PDF
职称材料
纪念中国第一只晶体管诞生50周年
被引量：
1
2
作者
吴锡九
邓先灿
《微纳电子技术》
CAS
2006年第11期503-504,共2页
50年前,中国自行研制的第一个晶体管在应用物理研究所半导体器件实验室诞生了。本文介绍了参加第一次研制的工作人员以及他们克服各种困难,研制出锗pnp合金三极管的过程。
关键词
锗
pnp
合金
三极管
铟
中国第一个晶体管
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
锗硅BiCMOS中的低成本、高性能PNP器件设计与制备
1
作者
钱文生
刘冬华
石晶
机构
上海华虹NEC电子有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期341-345,共5页
基金
国家科技02专项十一五重大项目资助项目(2009ZX02303)
国家科技02专项十二五重大项目资助项目(2011ZX02506)
文摘
设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管。在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能。晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10GHz,满足高速电路设计的要求。
关键词
pnp三极管
锗硅双极-互补金属氧化物半导体
电流增益
特征频率
Keywords
pnp
BJT
SiGe BiCMOS
current gain
cut-off frequency
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN32 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
纪念中国第一只晶体管诞生50周年
被引量：
1
2
作者
吴锡九
邓先灿
机构
美国UCBerkeley大学华人校友国际协会
杭州电子科技大学
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第11期503-504,共2页
文摘
50年前,中国自行研制的第一个晶体管在应用物理研究所半导体器件实验室诞生了。本文介绍了参加第一次研制的工作人员以及他们克服各种困难,研制出锗pnp合金三极管的过程。
关键词
锗
pnp
合金
三极管
铟
中国第一个晶体管
Keywords
alloy junction germanium
pnp
transistor
indium
first Chinese made transistor
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
锗硅BiCMOS中的低成本、高性能PNP器件设计与制备
钱文生
刘冬华
石晶
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
纪念中国第一只晶体管诞生50周年
吴锡九
邓先灿
《微纳电子技术》
CAS
2006
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
