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一维情况下平面PN结连续性方程的一般形式解
被引量：
1
1
作者
王忆锋
《红外技术》
CSCD
北大核心
2004年第5期40-45,共6页
对一维情况下平面 PN 结的连续性方程进行了求解,给出了不同边界条件下光生载流子浓度的一般形式解,并对结果进行了分析讨论。
关键词
一般形式
一维
连续性方程
pn
结
平面
不同边界条件
求解
光生载流子
在线阅读
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职称材料
恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算
2
作者
王忆锋
蔡毅
《红外技术》
CSCD
北大核心
2004年第6期41-44,47,共5页
通过求解一维 HgCdTe 环孔 PN 结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。
关键词
环孔
光生载流子
pn
结
一般表达式
辐照
一维
求解
连续性方程
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职称材料
题名
一维情况下平面PN结连续性方程的一般形式解
被引量：
1
1
作者
王忆锋
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2004年第5期40-45,共6页
文摘
对一维情况下平面 PN 结的连续性方程进行了求解,给出了不同边界条件下光生载流子浓度的一般形式解,并对结果进行了分析讨论。
关键词
一般形式
一维
连续性方程
pn
结
平面
不同边界条件
求解
光生载流子
Keywords
pn junction
,
photocarrier concentration
,
photodiode
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
O177 [理学—基础数学]
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职称材料
题名
恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算
2
作者
王忆锋
蔡毅
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2004年第6期41-44,47,共5页
文摘
通过求解一维 HgCdTe 环孔 PN 结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。
关键词
环孔
光生载流子
pn
结
一般表达式
辐照
一维
求解
连续性方程
Keywords
HgCdTe
pn junction
loophole
pn junction
photocarrier concentration
分类号
TN24 [电子电信—物理电子学]
TN21 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
一维情况下平面PN结连续性方程的一般形式解
王忆锋
《红外技术》
CSCD
北大核心
2004
1
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职称材料
2
恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算
王忆锋
蔡毅
《红外技术》
CSCD
北大核心
2004
0
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