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刘志红教授、俞晓敏研究员、周青教授团队成果揭示PLD4基因缺陷导致系统性红斑狼疮新机制
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《浙江大学学报(医学版)》 北大核心 2025年第5期582-582,共1页
2025年9月10日,浙江大学良渚实验室、东部战区总医院国家肾脏疾病临床医学研究中心刘志红教授、俞晓敏研究员、周青教授团队在《自然》(Nature)杂志发表了题为“Loss-of-function mutations in PLD4 lead to systemic lupus erythemato... 2025年9月10日,浙江大学良渚实验室、东部战区总医院国家肾脏疾病临床医学研究中心刘志红教授、俞晓敏研究员、周青教授团队在《自然》(Nature)杂志发表了题为“Loss-of-function mutations in PLD4 lead to systemic lupus erythematosus”论文(DOI:10.1038/s41586-025-09513-x),证实人类PLD4缺陷可导致系统性红斑狼疮(SLE)并阐明了其致病机制,为SLE的精准诊疗提供了重要的理论依据。 展开更多
关键词 系统性红斑狼疮 pld4基因缺陷
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CPLD/FPGA的发展与应用之比较 被引量:13
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作者 徐伟业 江冰 虞湘宾 《现代电子技术》 2007年第2期4-7,共4页
可编程逻辑器件(Programmable Logic Device,PLD)是一种可由用户对其进行编程的大规模通用集成电路[1]。从PLD的发展历程着眼,主要对PLD的2个发展分支———复杂可编程逻辑器件和现场可编程门阵列的基本结构、功能优势和应用场合进行了... 可编程逻辑器件(Programmable Logic Device,PLD)是一种可由用户对其进行编程的大规模通用集成电路[1]。从PLD的发展历程着眼,主要对PLD的2个发展分支———复杂可编程逻辑器件和现场可编程门阵列的基本结构、功能优势和应用场合进行了较详尽的分析和比较;并从结构和定义上指出二者的区别,同时根据不同技术要求和设计环境指出了相应的CPLD和FPGA的选择方法,最后给出了PLD最新研究热点和未来的发展趋势。 展开更多
关键词 可编程逻辑器件(pld) 复杂可编程逻辑器件(Cpld) 现场可编程门阵列(FPGA) 可编程片上系统(SOPC)
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基于CPLD的单片机接口设计 被引量:12
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作者 田开坤 徐海霞 《现代电子技术》 2008年第2期34-36,共3页
现在分离元件在很多电路设计中还在普遍使用,完成逻辑转换、地址译码、数据锁存等任务,在PLD技术相当成熟的今天,采用PLD代替传统分离元器件,将会极大地减小PCB尺寸,节约成本。对CPLD器件和开发工具进行研究,提出一种单片机与CPLD总线... 现在分离元件在很多电路设计中还在普遍使用,完成逻辑转换、地址译码、数据锁存等任务,在PLD技术相当成熟的今天,采用PLD代替传统分离元器件,将会极大地减小PCB尺寸,节约成本。对CPLD器件和开发工具进行研究,提出一种单片机与CPLD总线接口方案。运用该方案设计单片机系统实现A/D,D/A,LCD等多种外设的接口,电路简洁,并给出CPLD电路设计方案,总体电路原理图和关键程序代码。 展开更多
关键词 Cpld 分离元件 pld EDA
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枇杷幼果PLD和LOX对低温胁迫的响应 被引量:10
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作者 吴锦程 吴毕莎 +4 位作者 黄审剑 陈祠贤 颜亮 许宏斌 林建琼 《植物科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期203-209,共7页
以3年生枇杷品种‘早钟6号’(Eriobotrya japonica‘Zaozhong No.6’)容器嫁接苗为试材,于0℃、-1℃、-3℃人工气候室内进行低温胁迫处理,探讨枇杷幼果细胞膜磷脂及相关酶对低温胁迫的响应机制。结果显示,在不同温度胁迫过程中,枇杷... 以3年生枇杷品种‘早钟6号’(Eriobotrya japonica‘Zaozhong No.6’)容器嫁接苗为试材,于0℃、-1℃、-3℃人工气候室内进行低温胁迫处理,探讨枇杷幼果细胞膜磷脂及相关酶对低温胁迫的响应机制。结果显示,在不同温度胁迫过程中,枇杷幼果磷脂酶D(PLD,EC 3.1.4.4)和脂氧合酶(LOX,EC 1.13.11.12)活性均呈上升趋势;质膜磷脂酰胆碱(PC)和磷脂酰肌醇(PI)含量因逐渐被降解而呈下降趋势,磷脂酸(PA)含量出现积累、增加,而膜结合Ca2+含量有不同程度的降低。随处理时间的延长和处理温度的降低,枇杷幼果细胞PLD和LOX活性增幅加大,从而加速了膜PC和PI的降解和PA的积累。低温胁迫过程中幼果细胞膜PC含量的降幅大于PI,膜结合Ca2+含量的变化与PLD和LOX活性变化呈负相关。低温胁迫下枇杷幼果细胞膜结合Ca2+含量的减少诱导了膜脂降解酶PLD和LOX活性的提高,并导致膜结构稳定性下降,加剧了低温胁迫对膜脂的降解和脂质过氧化伤害,其中尤以-3℃胁迫处理4~6 h对幼果细胞质膜的伤害最严重。表明低温胁迫下Ca2+·Ca M信使系统可能参与枇杷幼果细胞膜PLD和LOX活性的调控。 展开更多
关键词 枇杷 低温胁迫 磷脂酶D(pld) 脂氧合酶(LOX) 膜结合Ca2+
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脉冲激光沉积(PLD)技术及其应用研究 被引量:10
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作者 高国棉 陈长乐 +2 位作者 王永仓 陈钊 李谭 《空军工程大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2005年第3期77-81,共5页
综述了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的原理、特点,着重分析了脉冲激光沉积技术的研究现状和在功能薄膜制备中的应用前景。大量研究表明,脉冲激光沉积技术是目前最好的制备薄膜方法之一。
关键词 pld 薄膜制备 应用
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脉冲激光沉积(PLD)的研究动态与新发展 被引量:5
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作者 高国棉 陈长乐 +4 位作者 陈钊 李谭 王永仓 金克新 赵省贵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期69-71,共3页
介绍了脉冲激光沉积薄膜技术的原理、特点,详细探讨了脉冲激光沉积的研究动态和发展趋势。大量研究表明,PLD 技术是目前制备薄膜的最好方法之一。
关键词 pld 脉冲激光沉积 薄膜技术 原理 研究动态 新发展
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提取视震源时间函数的PLD方法及其对2005年克什米尔M_w 7.6地震的应用 被引量:13
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作者 张勇 许力生 陈运泰 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期672-680,共9页
通过重构用于确定视震源时间函数有效持续时间的判别函数,对提取视震源时间函数的 PLD 方法进行了改进;利用合成资料和实际资料,验证了改进后 PLD 方法的可行性和稳定性.将 PLD 方法应用于2005年克什米尔 M_w 7.6地震及具11个余震的188... 通过重构用于确定视震源时间函数有效持续时间的判别函数,对提取视震源时间函数的 PLD 方法进行了改进;利用合成资料和实际资料,验证了改进后 PLD 方法的可行性和稳定性.将 PLD 方法应用于2005年克什米尔 M_w 7.6地震及具11个余震的1887条记录,在84个台站处获得了这次地震的视震源时间函数.分别平均从不同台站的 P 波、S 波、Rayleigh 波和 Love 波中得到的视震源时间函数,获取了主震的平均视震源时间函数.对视震源时间函数的分析表明,2005年克什米尔 M_w 7.6地震的持续时间大约为25 s,这是一次"急始型"地震,总体上表现为圆盘形破裂.但有迹象表明,破裂在初期有向西北方向发展的单侧传播趋势. 展开更多
关键词 pld方法 2005年克什米尔Mw7.6地震 视震源时间函数 经验格林函数
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热处理对黄瓜LOX和PLD活性的影响 被引量:5
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作者 王国泽 莎娜 +3 位作者 云月英 李俊芳 王文龙 付文菊 《华北农学报》 CSCD 北大核心 2009年第6期100-102,共3页
为了研究冷害温度(2℃)下PLD和LOX活性的变化规律,以黄瓜为研究对象,对其进行采后38,45和52℃30 min热水处理,测定2℃贮藏期间(15 d)黄瓜的细胞膜透性、丙二醛含量、PLD活性和LOX活性。结果表明:热水处理可以抑制果实细胞膜渗透率的升高... 为了研究冷害温度(2℃)下PLD和LOX活性的变化规律,以黄瓜为研究对象,对其进行采后38,45和52℃30 min热水处理,测定2℃贮藏期间(15 d)黄瓜的细胞膜透性、丙二醛含量、PLD活性和LOX活性。结果表明:热水处理可以抑制果实细胞膜渗透率的升高,减少低温贮藏期间丙二醛的积累,降低黄瓜低温贮藏过程中PLD及LOX的活性,且以45℃3、0 min热水处理效果最显著。 展开更多
关键词 热处理 黄瓜 pld活性 LOX活性
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PLD系统中硅板加热器温度的影响因素 被引量:3
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作者 彭巨擘 张鹏翔 +3 位作者 陈大鹏 虞澜 朱绍将 王茺 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期731-732,共2页
研究了PLD系统中用硅板做衬底加热器时影响衬底温度的几个因素。通过使用校准了的红外测温仪做温度检测元件 ,发现 :1 硅板上各部分的温度不是均匀分布的 ;2 衬底放在硅板上时 ,衬底温度和硅板温度有很大的不同 ;3 在相同的硅板加热电... 研究了PLD系统中用硅板做衬底加热器时影响衬底温度的几个因素。通过使用校准了的红外测温仪做温度检测元件 ,发现 :1 硅板上各部分的温度不是均匀分布的 ;2 衬底放在硅板上时 ,衬底温度和硅板温度有很大的不同 ;3 在相同的硅板加热电流下 ,硅板温度随硅板环境的真空度不同而变化。不细致考虑上述因素时 ,脉冲激光沉积 (PLD) 展开更多
关键词 pld系统 硅板加热器 温度 影响因素 红外测温仪 真空度 脉冲激光沉积
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PLD方法制备的纳米Fe/Al薄膜的结构及应力分析 被引量:4
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作者 王锋 李俊 +3 位作者 李国俊 吴卫东 唐永健 孙卫国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1387-1390,共4页
采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等。研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度小于1 nm。等离子体发射谱(ICP)表明F... 采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等。研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度小于1 nm。等离子体发射谱(ICP)表明Fe/Al原子比为1∶1。X射线小角衍射(XRD)分析表明薄膜中的物相是Al0.5Fe0.5,Al0.5Fe0.5晶体具有简单立方结构(SC),晶格常数为0.297 nm,平均晶粒尺寸为81.74 nm,平均微畸变为0.007 6。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(pld) Fe/Al合金薄膜 原子力显微镜(AFM) X射线衍射(XRD)
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毛果杨PLD基因家族全基因组水平鉴定及其盐胁迫下的表达分析 被引量:6
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作者 刘聪 张洋 +2 位作者 夏德安 陈雪冰 魏志刚 《林业科学研究》 CSCD 北大核心 2021年第3期23-36,共14页
[目的]对木本模式植物毛果杨PLD基因家族的进化中的选择压力、启动子中顺式作用元件、组织表达特性以及盐胁迫下表达模式进行分析,为挖掘PtrPLD在非生物胁迫中作用提供参考。[方法]利用拟南芥PLD基因家族蛋白序列比对得到毛果杨基因组... [目的]对木本模式植物毛果杨PLD基因家族的进化中的选择压力、启动子中顺式作用元件、组织表达特性以及盐胁迫下表达模式进行分析,为挖掘PtrPLD在非生物胁迫中作用提供参考。[方法]利用拟南芥PLD基因家族蛋白序列比对得到毛果杨基因组同源基因,再经过保守结构域鉴定后确定PtrPLD基因;利用软件ClustalW和MEGA对PtrPLD和AtPLD基因的氨基酸序列进行比对和系统进化分析;利用MEME、PlantmPLoc、 ExPasy等软件工具分析PtrPLD基因及编码蛋白的特征;利用Tbtools软件分析同源基因的Ka/Ks值;利用Plantcare在线工具分析PtrPLD启动子中顺式作用元件;利用Phytozome转录组数据库以及qRT-PCR分析PtrPLD组织表达特性;利用qRT-PCR分析各组织中PtrPLD对盐胁迫响应情况。[结果]PtrPLD家族的16个基因可分为C2-PLD和PX/PH-PLD 2个亚家族,分别包含13个和3个基因;有7对旁系同源基因且它们之间的Ka/Ks均远小于1;PtrPLD家族基因启动子区含有大量非生物胁迫和激素响应元件,其中,PtrPLDδ4启动子共含有9种、20个元件;PtrPLD家族编码的蛋白均含有Motif 1~4,且同一进化分支上的基因编码蛋白序列高度保守。PtrPLD基因家族表达特性分析表明,PtrPLD家族基因在根、茎和叶中具有表达特异性,并且多数成员主要在根部表达;NaCl胁迫下,PtrPLD家族基因在根、茎和叶中表达量在0~72 h内均表现为先上升后下降再上升的变化趋势。[结论]PtrPLD家族基因在毛果杨响应盐胁迫过程中有着重要作用,本项研究对于今后PtrPLD家族基因生物学功能的鉴定与非生物逆境胁迫响应基因资源的挖掘具有推动作用。 展开更多
关键词 毛果杨 pld基因家族 生物信息学分析 盐胁迫
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基于PLD器件的门控技术在微光像增强器中的应用 被引量:3
12
作者 智强 延波 +5 位作者 杨晔 李军国 姚泽 王钰 苗壮 邓广绪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第3期180-184,共5页
针对微光像增强器在高照度条件下会出现图像饱和的问题,提出将基于PLD器件的门控技术应用于微光像增强器电源中。论述了微光像增强器门控技术、光阴极门控原理、以及PLD器件应用于门控技术中的原理和实现方法。给出了阴极门控设计原理... 针对微光像增强器在高照度条件下会出现图像饱和的问题,提出将基于PLD器件的门控技术应用于微光像增强器电源中。论述了微光像增强器门控技术、光阴极门控原理、以及PLD器件应用于门控技术中的原理和实现方法。给出了阴极门控设计原理电路和试验结果。 展开更多
关键词 像增强器 门控技术 光阴极门控 pld
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退火对用PLD法制备ZnO薄膜的发光影响 被引量:3
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作者 魏显起 王勇杰 张仲 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期224-228,共5页
用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响用X射线衍射(XRD)谱和光致发光谱进行了表征.实验结果表明,... 用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响用X射线衍射(XRD)谱和光致发光谱进行了表征.实验结果表明,随着退火温度的提高,ZnO薄膜的压应力减小,并向张应力转化.在不同的退火温度退火的薄膜的光致发光谱表明,随着退火温度的提高,薄膜的紫外发射逐渐增强,缺陷发射逐渐减小.在不同退火条件下的退火实验表明,在蓝宝石衬底上、氧气氛围中退火的薄膜,在700℃时呈现无应力,紫外发射强度对可见发射强度的比例最大. 展开更多
关键词 pld ZNO薄膜 应力 晶体结构 光致发光谱
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PLD法薄膜沉积条件对ZnO薄膜特性的影响 被引量:4
14
作者 郭茂田 田臻锋 陈兴科 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期57-58,共2页
介绍了基于PLD方法制备的ZnO薄膜,在衬底温度(200-400℃)改变的情况下,分别对薄膜的表面结构和光致发光的情况做了研究,发现其相关特性并得出了制备薄膜的最佳条件。
关键词 ZNO薄膜 pld 衬底温度
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PLD器件和ISP Synario System开发系统 被引量:5
15
作者 祁才君 樊伟敏 章安元 《电子测量技术》 1998年第3期9-12,共4页
PLD器件是70年代发展起来的一种新型逻辑器件,它的推出给数字系统的设计带来了全新的概念,数字系统的设计变得更加方便、高效。随着计算机的普及和PLD器件价格的不断下降,普通用户开发和应用PLD器件成为现实。PLD器件已成为当今集成电... PLD器件是70年代发展起来的一种新型逻辑器件,它的推出给数字系统的设计带来了全新的概念,数字系统的设计变得更加方便、高效。随着计算机的普及和PLD器件价格的不断下降,普通用户开发和应用PLD器件成为现实。PLD器件已成为当今集成电路发展最快的品种之一。本文对PLD器件的发展作一简单总结,并介绍了Latice公司的ISP Synario System开发系统。 展开更多
关键词 pld 数字集成电路 数字系统 设计
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糖基化磷脂酰肌醇特异性磷脂酶D(GPI-PLD)对髓性白血病骨髓细胞黏附功能的影响及机制探讨 被引量:4
16
作者 肖广芬 陈方平 +2 位作者 付斌 王光平 蹇在伏 《中国实验血液学杂志》 CAS CSCD 2005年第3期369-372,共4页
为了探讨糖基化磷脂酰肌醇特异性磷脂酶D(GPIPLD)对髓性白血病骨髓单个核细胞黏附功能的影响及其机制,利用具有完整糖基化磷脂酰肌醇(GPI)结构的胎盘碱性磷酸酶(PLAP)做底物,通过TX114分相,定量检测骨髓单个核细胞中GPIPLD活性,用1,10... 为了探讨糖基化磷脂酰肌醇特异性磷脂酶D(GPIPLD)对髓性白血病骨髓单个核细胞黏附功能的影响及其机制,利用具有完整糖基化磷脂酰肌醇(GPI)结构的胎盘碱性磷酸酶(PLAP)做底物,通过TX114分相,定量检测骨髓单个核细胞中GPIPLD活性,用1,10二氮杂菲抑制GPIPLD的活性,用MTT方法检测抑制组和非抑制组骨髓细胞对纤连蛋白的黏附率,用免疫组织化学方法检测GPI锚定蛋白CD24的表达。结果显示:1,10二氮杂菲(1mmol/L)作用骨髓单个核细胞5小时可使细胞的GPIPLD的活性由(42.08±7.21)%降为(5.4±2.96)%,GPIPLD活性被抑制后细胞的黏附率增加,由(49.78±26.73)%升为(61.19±29.14)%,与此同时,CD24的表达率上调,由(16.02±9.68)%升为(18.5±11.14)%。结论:降低GPIPLD活性能增加骨髓单个核细胞对纤连蛋白的黏附率,与此同时,骨髓单个核细胞上GPI锚定蛋白CD24的表达增强。 展开更多
关键词 髓性白血病 GPI-pld 细胞黏附功能
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高压PLD法生长ZnO和Zn1-xMgxO纳米棒及其荧光性能 被引量:2
17
作者 张鹏 王培吉 曹丙强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1205-1210,共6页
利用自主设计、组装的高压脉冲激光沉积(PLD)系统,研究了温度、靶材、催化剂厚度等生长参数对ZnO和Zn1-xMgxO纳米棒生长的影响,并对ZnO纳米棒的生长机理和Zn1-xMgxO纳米棒的光致发光性能进行了探讨.实验发现,当金膜催化剂厚度为2 nm、... 利用自主设计、组装的高压脉冲激光沉积(PLD)系统,研究了温度、靶材、催化剂厚度等生长参数对ZnO和Zn1-xMgxO纳米棒生长的影响,并对ZnO纳米棒的生长机理和Zn1-xMgxO纳米棒的光致发光性能进行了探讨.实验发现,当金膜催化剂厚度为2 nm、温度为925℃时,在单晶Si衬底上生长了直径均匀的ZnO纳米棒阵列,且具有明显的(002)择优生长取向.实验发现温度与催化剂厚度是影响ZnO纳米棒的直径和生长密度的重要因素.据此提出了ZnO纳米棒阵列的高压PLD生长过程应为气–液–固和气–固相结合的生长机制.通过在ZnO靶材中掺入氧化镁,获得了Zn1-xMgxO纳米线和纳米带结构,但生长无明显的择优取向.光致发光谱测量表明,镁掺杂明显增大了ZnO的带隙,但也在其禁带中引入了缺陷能级,导致可见发光明显增强. 展开更多
关键词 高压pld 氧化锌镁 生长机制 光致发光
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高压PLD法生长p型钠掺杂氧化锌纳米线阵列 被引量:3
18
作者 邱智文 杨晓朋 +3 位作者 韩军 曾雪松 李新化 曹丙强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期155-161,共7页
采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO:Na)生长的影响,并制备了ZnO:Al薄膜/ZnO:Na纳米线阵列同质pn结器件。实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,... 采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO:Na)生长的影响,并制备了ZnO:Al薄膜/ZnO:Na纳米线阵列同质pn结器件。实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,可在单晶Si衬底上生长c轴取向性良好的ZnO纳米线阵列。X射线衍射和X射线光电子能谱综合分析证实了Na元素成功掺入ZnO纳米线晶格中。在低温(15 K)光致发光谱中,观测到了一系列由Na掺杂ZnO产生引起的受主光谱指纹特征,如中性受主束缚激子峰(3.356 eV,A0X)、导带电子到受主峰(3.312 eV,(e,A0))和施主受主对发光峰(3.233 eV,DAP)等。通过在ZnO:Al薄膜上生长ZnO:Na纳米线阵列形成同质结,测得I-V曲线具有明显的整流特性,证实了ZnO:Na纳米线具有良好的p型导电性能。 展开更多
关键词 钠掺杂 氧化锌纳米线 高压脉冲激光沉积(HP—pld)
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基片温度对PLD制备ZnO薄膜光学常数的影响(英文) 被引量:1
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作者 于永强 梁齐 +3 位作者 马渊明 仇旭升 章伟 揭建胜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期297-303,共7页
光谱椭偏仪被用来研究用脉冲激光沉积方法在Si(100)基片上,温度分别为400,500,600,700℃制备的ZnO薄膜的特性。利用三层Cauchy散射模型拟合椭偏参数,计算了每个温度下制备的ZnO薄膜在400~800nm波长范围内的折射率(n)和消光系数(k)。发... 光谱椭偏仪被用来研究用脉冲激光沉积方法在Si(100)基片上,温度分别为400,500,600,700℃制备的ZnO薄膜的特性。利用三层Cauchy散射模型拟合椭偏参数,计算了每个温度下制备的ZnO薄膜在400~800nm波长范围内的折射率(n)和消光系数(k)。发现基片温度对光学常数有很大的影响。通过分析XRD表征的晶体结构和AFM表征的薄膜表面形貌,发现折射率的变化归因于薄膜堆积密度的变化。为了获得具有较好的光学和薄膜质量的ZnO薄膜,相比与其他沉积温度600℃或许是最佳的沉积温度。 展开更多
关键词 光谱椭偏仪 pld 氧化锌 光学常数
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PLD方法制备CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜结构研究 被引量:1
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作者 接文静 朱俊 +4 位作者 魏贤华 张鹰 罗文博 艾万勇 李言荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期345-347,共3页
采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在LaAlO3(100)以及MgO(100)基片上,在不同的沉积温度下,制备具有体心立方类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CC-TO)薄膜。在LAO基片上生长的CCTO薄膜,X射线衍射(XRD)分析表明沉积温度在680℃以上可以实现(400)取向... 采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在LaAlO3(100)以及MgO(100)基片上,在不同的沉积温度下,制备具有体心立方类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CC-TO)薄膜。在LAO基片上生长的CCTO薄膜,X射线衍射(XRD)分析表明沉积温度在680℃以上可以实现(400)取向生长,740℃薄膜可以实现cubic-on-cubic的方式外延生长。原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析分别显示CCTO薄膜的表面平整,界面清晰。后位的反射高能电子衍射(RHEED)观察到CCTO薄膜的电子衍射图谱,为点状。在MgO基片上,由于薄膜与基片较大的晶格失配,通过生长具有(100)和(110)取向的LaNiO3(LNO)缓冲层,诱导后续生长的CCTO薄膜随着温度的提高,由(220)取向生长转变成(220),(400)取向生长。 展开更多
关键词 CCTO薄膜 pld 取向生长 RHEED
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