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40Gb/s PIN波导型光探测器联体式管芯的设计与制作
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作者 丁国庆 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2005年第10期4-7,共4页
报道了40Gb/sPIN波导型光探测器联体式管芯的设计与制作。通过光刻、化学腐蚀、电子束蒸发、增强型化学汽相淀积、金属剥离、解理等工艺技术,制作了40Gb/sPIN波导型光探测器管芯。
关键词 pin波导型光探测器 共面波导 光刻
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Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格 PIN 波导探测器电输运过程分析
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作者 李娜 刘恩科 +1 位作者 李国正 许雪林 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第9期58-61,66,共5页
文章定性和定量地分析了GexSi1-x/Si超晶格PIN波导探测器的电输运过程,具体说明了量子效率、光电流、频率响应带宽等重要参数的物理意义.并将理论分析与实验结果进行比较,结果表明,两者符合得较好.
关键词 光电探测器 超晶格 波导 硅化锗 pin探测器
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光通信用40Gb/s波导型光探测器光耦合问题探讨
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作者 丁国庆 刘兴瑶 张学军 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2004年第11期36-39,共4页
提出了光纤与40Gb/s 波导型光探测器光耦合的几种可能方式;分析和讨论了存在的问题和困难,指出了楔形光纤直接耦合方式和脊形光波导耦合方式的实用性和先进性。
关键词 波导型光探测器(WG-pin-PD) 光耦合 高斯分布函数
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高性能波导集成型锗pin光电探测器的制备 被引量:3
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作者 刘道群 李志华 +3 位作者 冯俊波 唐波 张鹏 王桂磊 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第5期305-311,共7页
采用CMOS兼容工艺,在绝缘体上硅(SOI)晶圆片上制备了高性能波导集成型锗pin光电探测器。该光电探测器锗区长度为15μm,宽度分别为1,2,3,4和5μm。光波导与探测器间的光耦合为倏逝波耦合。为了进一步提高探测器的性能,在结构设计上采... 采用CMOS兼容工艺,在绝缘体上硅(SOI)晶圆片上制备了高性能波导集成型锗pin光电探测器。该光电探测器锗区长度为15μm,宽度分别为1,2,3,4和5μm。光波导与探测器间的光耦合为倏逝波耦合。为了进一步提高探测器的性能,在结构设计上采用了聚焦耦合光栅及楔形耦合增强结构,在材料生长方面采用了选择性外延生长法,以提高锗的质量。通过暗电流、响应度、带宽及眼图测试对光电探测器性能进行了表征。测试结果表明在-2 V的反向偏压下,尺寸为15μm×4μm的光电探测器暗电流低至169 nA,其在波长1 530 nm处的最高响应度为0.43 A/W,3 dB带宽高达48 GHz并获得40 Gbit/s的清晰眼图。 展开更多
关键词 光电探测器 波导集成 选择性外延 锗(Ge) pin 绝缘体上硅(SOI)
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光通信中的主流光电探测器研究 被引量:5
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作者 阮乂 宁提纲 +2 位作者 裴丽 胡旭东 祈春慧 《光电技术应用》 2008年第3期9-12,共4页
对光通信系统解复用接收部分中的关键器件——主流光电探测器进行综合比较、优缺点分析与展望.分别对PIN光电探测器,普通雪崩二极管,超晶格雪崩二极管,波导型光电探测器,振腔增强型光电探测器,金属-半导体-金属光电探测器的原理和特点... 对光通信系统解复用接收部分中的关键器件——主流光电探测器进行综合比较、优缺点分析与展望.分别对PIN光电探测器,普通雪崩二极管,超晶格雪崩二极管,波导型光电探测器,振腔增强型光电探测器,金属-半导体-金属光电探测器的原理和特点做了简要概括,并做系统比较,最后对光电探测器发展前景进行展望. 展开更多
关键词 pin光电探测器 雪崩二极管 超晶格雪崩二极管 波导型光探测器 振腔增强型光探测器 金属-半导体-金属 光电探测器
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