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PIN光电探测器的建模与仿真分析被引量：1: 1; 作者张辉柯程虎刘昭辉《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期723-730,共8页; 为了优化PIN光电探测器响应特性,首先依据载流子速率方程,并考虑芯片寄生参量和封装寄生参量,建立光电探测器的等效电路模型。然后仿真分析了反偏电压、I区宽度、光敏面、芯片寄生电阻和电容、封装寄生电阻、电容和电感对光电探测器脉... 展开更多; 关键词 pin光电探测器等效模型速率方程响应特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器被引量：4: 2; 作者郑泽宇罗谦 +2 位作者徐开凯刘钟远朱坤峰《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期40-45,共6页; 本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器。该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点,通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层,在不影响响应速度的条件下,提高... 展开更多; 关键词全硅pin光电探测器黑硅量子效率光响应度响应速度暗电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SiGe BiCMOS工艺近红外光电探测器的研制: 3; 作者宋奇伟毛陆虹谢生《光通信技术》北大核心 2015年第8期1-4,共4页; 基于IBM 7WL标准0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了两款近红外光电探测器——PIN光电探测器和异质结光电晶体管,利用器件仿真工具ATLAS对因主要工艺参数的变化导致其性能的影响进行了具体分析,并流片实现,芯片面积均为50μm×50μm。... 展开更多; 关键词标准SiGe BICMOS工艺 pin光电探测器光电晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于视觉修复的视网膜下植入微芯片被引量：8: 4; 作者裴为华陈弘达 +7 位作者唐君鲁琳刘金彬吴惠娟陈晶华胡小凤黎晓新李凯《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期39-43,共5页; 为治疗由视网膜光感受器退化引起的失明,研制了一种可以满足视网膜下植入要求的光电刺激器件--硅基PIN光电探测器阵列结构微芯片,这种电刺激芯片可以在一定程度上代替因疾病受损的光感受细胞,向位于光感受细胞之后、尚未损伤的其他视网... 展开更多; 关键词视网膜视觉修复电刺激光电探测器阵列植入微芯片 pin光电探测器膜下视觉生物相容性; 在线阅读下载PDF 职称材料

微电流信号的高带宽调理技术及应用被引量：2: 5; 作者严明李刚 +2 位作者郭明安杨少华李斌康《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期2292-2295,共4页; 为实现对电流型快响应探测器微弱信号的高速探测和处理,给出了一种微电流信号的高带宽调理方法.分析了几种PIN光电探测器输出信号的频带和幅度特征;以脉宽50ns、电流范围20n A^0.1m A的微电流信号为设计目标,给出了微电流信号的调理方... 展开更多; 关键词微电流信号 pin光电探测器信号调理高带宽高增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PIN光电探测器的建模与仿真分析被引量：1: 1; 作者张辉柯程虎刘昭辉; 机构西安理工大学自动化与信息工程学院; 出处《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期723-730,共8页; 基金国家自然科学资助基金项目(51507140) 陕西省重点研发计划(2017ZDXM-GY-003) +1 种基金陕西省自然科学基金(2017JM5100) 西安市科技计划(2017080CG/RC043); 文摘为了优化PIN光电探测器响应特性,首先依据载流子速率方程,并考虑芯片寄生参量和封装寄生参量,建立光电探测器的等效电路模型。然后仿真分析了反偏电压、I区宽度、光敏面、芯片寄生电阻和电容、封装寄生电阻、电容和电感对光电探测器脉冲响应特性和频率响应特性的影响。结果表明:通过增大反偏电压,减小光敏面和寄生参量(芯片寄生电容和电阻,封装寄生电容和电阻),选取合适的I区宽度,利用引线电感的谐振效应现象,可以抑制脉冲响应波形畸变,提高频率响应带宽。; 关键词 pin光电探测器等效模型速率方程响应特性; Keywords pin photodetectors equivalent circuit model rate equation response characteristics; 分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器被引量：4: 2; 作者郑泽宇罗谦徐开凯刘钟远朱坤峰; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室中国电子科技集团第四十四研究所中国电子科技集团第二十四研究所; 出处《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期40-45,共6页; 基金国家重点研发计划资助项目(2018YFE0181500) 科技部资助项目(2018YFB2201203) +2 种基金四川省科学技术厅资助项目(2020ZHCG0008)。; 文摘本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器。该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点,通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层,在不影响响应速度的条件下,提高了探测器在近红外波段响应特性。并且针对纵向结构垂直入射PIN光电探测器时量子效率与响应速度相矛盾的问题,提出了解决方案。测试结果表明,该器件的量子效率可达80%,峰值波长为940 nm,光响应度达到0.55 A/W,暗电流降至700 pA,响应时间为200 ns。; 关键词全硅pin光电探测器黑硅量子效率光响应度响应速度暗电流; Keywords all-silicon pin photodetector black silicon quantum efficiency light responsivity responding speed dark current; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiGe BiCMOS工艺近红外光电探测器的研制: 3; 作者宋奇伟毛陆虹谢生; 机构天津大学电子信息工程学院; 出处《光通信技术》北大核心 2015年第8期1-4,共4页; 基金国家自然科学基金(61474081)资助; 文摘基于IBM 7WL标准0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了两款近红外光电探测器——PIN光电探测器和异质结光电晶体管,利用器件仿真工具ATLAS对因主要工艺参数的变化导致其性能的影响进行了具体分析,并流片实现,芯片面积均为50μm×50μm。测试结果表明,在850nm入射波长及3.3V的反偏电压条件下,PIN光电探测器及光电晶体管的响应度可分别达到0.01A/W和0.4A/W。; 关键词标准SiGe BICMOS工艺 pin光电探测器光电晶体管; Keywords standard SiGe BiCMOS technology, pin photodetector, HPT; 分类号 TN491 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于视觉修复的视网膜下植入微芯片被引量：8: 4; 作者裴为华陈弘达唐君鲁琳刘金彬吴惠娟陈晶华胡小凤黎晓新李凯; 机构中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京大学人民医院眼科北京大学医学部流行病学与统计学系; 出处《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期39-43,共5页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金; 文摘为治疗由视网膜光感受器退化引起的失明,研制了一种可以满足视网膜下植入要求的光电刺激器件--硅基PIN光电探测器阵列结构微芯片,这种电刺激芯片可以在一定程度上代替因疾病受损的光感受细胞,向位于光感受细胞之后、尚未损伤的其他视网膜细胞发出电刺激,从而引发视神经的视觉冲动.微芯片制作采用了硅、硅氧化物以及金等生物相容性较好的材料.在微芯片上利用半导体工艺刻蚀隔离槽,形成一个探测器面阵,面阵上的每个探测器单元可以根据照射在其上的光强大小产生相应的刺激电流.对制作的芯片进行了生物相容性、伏安特性、响应度以及光谱特性的测量,结果表明,芯片在眼睛安全用光的范围内可以产生足够强度的刺激电流,满足动物植入实验的要求.; 关键词视网膜视觉修复电刺激光电探测器阵列植入微芯片 pin光电探测器膜下视觉生物相容性; Keywords retina, vision prosthesis, electrical stimulation, photodetector army, implantation; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学] Q492.6 [生物学—生理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微电流信号的高带宽调理技术及应用被引量：2: 5; 作者严明李刚郭明安杨少华李斌康; 机构西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期2292-2295,共4页; 基金国家863项目(2015AA8041070G) 国家自然科学基金(No +1 种基金 11475138) 国家重点实验室基金(No.SKLIPR1304); 文摘为实现对电流型快响应探测器微弱信号的高速探测和处理,给出了一种微电流信号的高带宽调理方法.分析了几种PIN光电探测器输出信号的频带和幅度特征;以脉宽50ns、电流范围20n A^0.1m A的微电流信号为设计目标,给出了微电流信号的调理方法和设计分析,设计并实现了针对该目标信号的高带宽调理电路;进行了性能对比测试实验,通过与光电倍增管PMT9215B进行输出响应对比,结果表明该调理电路对脉宽40ns的脉冲信号响应良好,响应波形的上升沿和半高宽约10ns,调理电路的信号带宽约35MHz,信号调理的带宽和幅度达到了量化采样要求,验证了该方法的正确性和可行性;应用该调理电路进行了4×32 PIN二维阵列光电探测系统的设计实现,系统动态范围约56d B,时间响应特性良好.; 关键词微电流信号 pin光电探测器信号调理高带宽高增益; Keywords micro current signal pin photo-electron detector signal modulation high bandwidth high gain; 分类号 TN911.71 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	PIN光电探测器的建模与仿真分析	张辉柯程虎刘昭辉	《应用光学》 CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器	郑泽宇罗谦徐开凯刘钟远朱坤峰	《光电工程》 CAS CSCD 北大核心	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于SiGe BiCMOS工艺近红外光电探测器的研制	宋奇伟毛陆虹谢生	《光通信技术》北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	用于视觉修复的视网膜下植入微芯片	裴为华陈弘达唐君鲁琳刘金彬吴惠娟陈晶华胡小凤黎晓新李凯	《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心	2005	8	在线阅读下载PDF 职称材料
5	微电流信号的高带宽调理技术及应用	严明李刚郭明安杨少华李斌康	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料