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中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大的数值模拟 被引量:6
1
作者 王祖军 陈伟 +5 位作者 张勇 唐本奇 肖志刚 黄绍艳 刘敏波 刘以农 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期220-223,共4页
分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1MeV中子在辐照注量为1010~1014cm-2时,Si PIN光电二极管暗电流变化的初... 分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1MeV中子在辐照注量为1010~1014cm-2时,Si PIN光电二极管暗电流变化的初步规律。数值模拟结果与相关文献给出的实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 pin光电二极管 中子辐照 暗电流 数值模拟
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硅PIN光电二极管探测系统的研究 被引量:12
2
作者 张燕 曾光宇 洪志刚 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期391-393,共3页
本文主要研究了基于PIN光电二极管与CsI(Tl)晶体的γ射线辐射探测器,给出了电流放大型和电压放大型的原理图以及制板图,并对其性能做了简单分析。
关键词 pin光电二极管 CSI(TL)晶体 Γ射线 电荷灵敏前置放大器
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飞秒激光诱发硅PIN光电二极管饱和特性的实验研究(英文) 被引量:6
3
作者 豆贤安 孙晓泉 汪作来 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期671-676,共6页
实验研究了不同脉冲能量的飞秒激光诱发硅PIN光电二极管瞬态响应信号的特性。发现探测器响应瞬态响应信号相继出现了三个明显的相位,深入讨论了飞秒激光诱发的高注入载流子在瞬态响应信号演化过程中所起的作用。结果表明,高注入载流子... 实验研究了不同脉冲能量的飞秒激光诱发硅PIN光电二极管瞬态响应信号的特性。发现探测器响应瞬态响应信号相继出现了三个明显的相位,深入讨论了飞秒激光诱发的高注入载流子在瞬态响应信号演化过程中所起的作用。结果表明,高注入载流子产生的空间电荷屏蔽效应是导致瞬态响应信号呈现三个相位的主要因素,它导致瞬态响应信号的持续时间主要取决于载流子双极扩散的速度。增加飞秒激光的脉冲能量会进一步延长探测器瞬态响应信号的持续时间。因此,飞秒激光会削弱探测器的工作性能,尤其是在高速信号探测中的工作性能。 展开更多
关键词 超快光学 飞秒激光 光电子学 pin光电二极管 瞬态响应 空间电荷屏蔽效应
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一款低成本硅PIN光电二极管偏置电路的设计及应用 被引量:2
4
作者 贾牧霖 曾国强 马雄楠 《现代电子技术》 2014年第13期159-161,共3页
硅PIN光电二极管在微弱光信号检测领域的应用越来越广泛,但其效果会受到偏置电压等因素的影响,稳定性高、纹波系数小的偏置电压对准确获得被测信号来说是必不可少的。设计一款基于TPS61040电压转换芯片的硅PIN光电二极管偏置电路,并将... 硅PIN光电二极管在微弱光信号检测领域的应用越来越广泛,但其效果会受到偏置电压等因素的影响,稳定性高、纹波系数小的偏置电压对准确获得被测信号来说是必不可少的。设计一款基于TPS61040电压转换芯片的硅PIN光电二极管偏置电路,并将其用于NaI(Tl)晶体的微弱光信号检测,取得了良好的效果。 展开更多
关键词 pin光电二极管 偏置电路 电子滤波器 闪烁探测器
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基于PIN光电二极管的个人辐射探测器研制 被引量:1
5
作者 钟华强 骆志平 +2 位作者 刘森林 张瑞焕 巫果平 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期360-365,共6页
为使公众能自行探测所处环境的辐射水平,本文利用PIN光电二极管直接测量X/γ射线的原理研制了便携式环境辐射探测系统,该系统采用智能终端控制探测设备。其中,探测模块中设计了弱信号放大电路,控制和通信模块的设计基于无线微控制器。... 为使公众能自行探测所处环境的辐射水平,本文利用PIN光电二极管直接测量X/γ射线的原理研制了便携式环境辐射探测系统,该系统采用智能终端控制探测设备。其中,探测模块中设计了弱信号放大电路,控制和通信模块的设计基于无线微控制器。该环境辐射探测器具有低成本、低功耗、体积小、易使用、易组网等特点。经国防科技工业电离辐射一级计量站检定,探测器各项指标均符合国家剂量仪鉴定规程JJG 521-2006的要求。 展开更多
关键词 辐射探测器 pin光电二极管 智能终端
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皮秒激光辐照硅基PIN光电二极管的瞬态响应信号分析 被引量:1
6
作者 姚猛 叶继飞 +1 位作者 李兰 高贺岩 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第S02期93-98,共6页
实验研究了超短脉冲皮秒激光辐照硅基PIN光电二极管的瞬态响应的规律特性,测量了在不同激光能量密度辐照下的脉冲响应信号。分析实验结果表明,随着激光能量密度的增大,器件出现了非线性饱和状态,半高宽从37.2μs到113μs,底宽从181μs到... 实验研究了超短脉冲皮秒激光辐照硅基PIN光电二极管的瞬态响应的规律特性,测量了在不同激光能量密度辐照下的脉冲响应信号。分析实验结果表明,随着激光能量密度的增大,器件出现了非线性饱和状态,半高宽从37.2μs到113μs,底宽从181μs到322μs,脉冲响应信号出现展宽现象,信号的展宽意味着器件的瞬态响应发生了退化,同时对于饱和前后的信号特征量的半高宽和底宽进行了分析,发现无论是绝对增幅还是相对增幅,可以看出饱和后有更为显著的展宽现象,并且主要由于器件饱和后的下降沿出现速度的衰减所致。通过理论分析发现,由于注入的光生载流子浓度变化对双极输运过程造成影响,从而改变其载流子输运过程中的速度,导致器件响应出现退化现象。 展开更多
关键词 pin光电二极管 超短脉冲 瞬态响应 非线性饱和 展宽现象 双极输运
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10 Gbit/s 850 nm pin光电二极管
7
作者 吴志维 汤宝 王任凡 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期285-288,共4页
GaAs pin光电二极管在数据通信领域发挥着重要的作用,在综合考虑了高速光电探测器的频率特性和响应度的基础上,给出了AlGaAs/GaAs pin光电二极管结构参数的最优化设计,使其在频率响应特性上满足10 Gbit/s的要求。着重研究了在半导体制... GaAs pin光电二极管在数据通信领域发挥着重要的作用,在综合考虑了高速光电探测器的频率特性和响应度的基础上,给出了AlGaAs/GaAs pin光电二极管结构参数的最优化设计,使其在频率响应特性上满足10 Gbit/s的要求。着重研究了在半导体制作工艺中所涉及的光刻、腐蚀、表面钝化以及欧姆接触等问题,研制出暗电流小、响应速率高、响应度高而且可靠性良好的短波长高速pin光电二极管。在产品应用之前的可靠性测试中,老化时间大于2 000 h的情况下仍能保持良好的暗电流特性,满足工业化生产的条件。 展开更多
关键词 850 nm波段 数据通信 pin光电二极管 A1GaAs GAAS 半导体工艺
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PIN光电探测器等效电路模型研究 被引量:4
8
作者 高建军 高葆新 梁春广 《微波学报》 CSCD 北大核心 1998年第1期29-34,共6页
本文给出一个新的PIN光电二极管的等效电路模型,该模型基于速率方程和微波端口特性并在TMS(TsinghuaMicrowaveSpice)中完成,可以进行线性、非线性信号分析和噪声分析。利用该模型对其非线性谐波特性进行了预测,模拟结果表明和文献... 本文给出一个新的PIN光电二极管的等效电路模型,该模型基于速率方程和微波端口特性并在TMS(TsinghuaMicrowaveSpice)中完成,可以进行线性、非线性信号分析和噪声分析。利用该模型对其非线性谐波特性进行了预测,模拟结果表明和文献数值求解结果基本一致,最后讨论了适用于金属-半导体-金属(MSM)光电二极管的修正模型. 展开更多
关键词 pin光电二极管 等效电路模型 光电探测器
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一款基于硅光电二极管的数字γ辐射仪设计 被引量:1
9
作者 贾牧霖 葛良全 +2 位作者 曾国强 肖明 张帮 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1310-1313,共4页
CsI(Tl)闪烁晶体的发光光谱能与光电二极管的吸收光谱较好的匹配。采用CsI(Tl)晶体+光电二极管探测器的数字辐射仪,与传统辐射仪相比,在体积、功耗和稳定性方面都有一定优势。通过数字电位器的使用实现了甄别阈值调节的数字化,使得仪器... CsI(Tl)闪烁晶体的发光光谱能与光电二极管的吸收光谱较好的匹配。采用CsI(Tl)晶体+光电二极管探测器的数字辐射仪,与传统辐射仪相比,在体积、功耗和稳定性方面都有一定优势。通过数字电位器的使用实现了甄别阈值调节的数字化,使得仪器甄别阈调节更加精确。 展开更多
关键词 pin光电二极管 CSI(TL)晶体 数字辐射仪
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集成PIN光敏元的CMOS探测器光电响应特性研究 被引量:9
10
作者 杨成财 鞠国豪 陈永平 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期1076-1089,共14页
传统的CMOS图像传感器一般采用基于LV-CMOS工艺的N阱/P型衬底制备的PN光电二极管或者PPD二极管作为光敏元。PIN光敏元具有结电容小、量子效率高的特点。采用HV-CMOS(高压CMOS)工艺可以实现CMOS电路与PIN光敏元的单片集成。本文研究了集... 传统的CMOS图像传感器一般采用基于LV-CMOS工艺的N阱/P型衬底制备的PN光电二极管或者PPD二极管作为光敏元。PIN光敏元具有结电容小、量子效率高的特点。采用HV-CMOS(高压CMOS)工艺可以实现CMOS电路与PIN光敏元的单片集成。本文研究了集成PIN光敏元的CMOS探测器的光电响应特性以及NEP随像素大小和复位电压的变化关系。研究表明,将光敏元从PN光电二极管改为PIN光电二极管后,像素电荷增益可以提高一个数量级左右;同时,像素的瞬态电荷增益要大于传统认为的1/Cpd,并与二极管的大小以及复位电压紧密相关。研究发现,小像素因其更高的电荷增益和更低的等效噪声,更加适合弱信号下的短积分时间快速探测。若配合微透镜的使用,小像素在微光探测方面可以获得更大的优势。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 HV-CMOS pin光电二极管 3T像素结构
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I-FOG用光电二极管的温度特性研究 被引量:2
11
作者 丁坤 刘军 马晓雷 《科学技术与工程》 2007年第5期833-835,共3页
光纤陀螺对温度变化比较敏感,其探测器的温度特性也是值得探索的课题。着重分析全保偏数字闭环光纤陀螺(I-FOG)中的探测器——半导体PIN光电二极管的温度特性以及其对整个光纤陀螺系统的影响,为建立和完善光纤陀螺整体温度特性模型提供... 光纤陀螺对温度变化比较敏感,其探测器的温度特性也是值得探索的课题。着重分析全保偏数字闭环光纤陀螺(I-FOG)中的探测器——半导体PIN光电二极管的温度特性以及其对整个光纤陀螺系统的影响,为建立和完善光纤陀螺整体温度特性模型提供了依据。 展开更多
关键词 光纤陀螺 pin光电二极管 模型 温度
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高能激光与光电二极管热作用过程的温度分布 被引量:1
12
作者 毕娟 倪晓武 +1 位作者 张喜和 徐立君 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期696-699,共4页
采用脉宽为毫秒的高能脉冲激光与PIN结光电二极管进行相互作用,建立了包含热源项的导热方程,并考虑了热物性参数随温度变化的情况。利用有限元方法计算了材料到达熔点前材料轴向和径向温度随时间和位置的变化规律,同时对相关物理过程进... 采用脉宽为毫秒的高能脉冲激光与PIN结光电二极管进行相互作用,建立了包含热源项的导热方程,并考虑了热物性参数随温度变化的情况。利用有限元方法计算了材料到达熔点前材料轴向和径向温度随时间和位置的变化规律,同时对相关物理过程进行了讨论。进而研究了热物性参量的变化对材料开始熔化时间的影响。结果表明,热传导将直接影响着整个相互作用过程,而材料热物性参数的变化亦将影响材料的熔化时间。 展开更多
关键词 高能激光 pin光电二极管 热熔融 有限元法 温度分布
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高速实时一维阵列光电探测系统
13
作者 严明 李斌康 +2 位作者 杨少华 郭明安 罗通顶 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1110-1113,1144,共5页
设计实现了基于PIN光电二极管一维阵列的紧凑型实时光电探测系统。系统在16 cm的宽度内实现了32路PIN光电二极管信号的处理与采样;探测器弱电流信号的高带宽调制电路在实现104倍信号增益的同时,信号带宽约35 MHz;多通道ADC电路采样频率7... 设计实现了基于PIN光电二极管一维阵列的紧凑型实时光电探测系统。系统在16 cm的宽度内实现了32路PIN光电二极管信号的处理与采样;探测器弱电流信号的高带宽调制电路在实现104倍信号增益的同时,信号带宽约35 MHz;多通道ADC电路采样频率75 MHz,采样周期约13.3 ns,采样精度12 bits;基于高性能FPGA的信号处理电路实现了对32路高速ADC采样信号的实时处理,数据处理速度达到28.8 Gbps,每通道采样深度8 000。 展开更多
关键词 pin光电二极管 高带宽信号调制 高性能现场可编程门阵列 实时信号处理
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Analysis and simulation of lateral PIN photodiode gated by transparent electrode fabricated on fully-depleted SOI film 被引量:2
14
作者 谢海情 曾云 +1 位作者 曾健平 王太宏 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2011年第3期744-748,共5页
A novel device, lateral PIN photodiode gated by transparent electrode (LPIN PD-GTE) fabricated on fully-depleted SOI film was proposed. ITO film was adopted in the device as gate electrode to reduce the light absorp... A novel device, lateral PIN photodiode gated by transparent electrode (LPIN PD-GTE) fabricated on fully-depleted SOI film was proposed. ITO film was adopted in the device as gate electrode to reduce the light absorption. Thin Si film was fully depleted under gate voltage to achieve low dark current and high photo4o-dark current ratio. The model of gate voltage was obtained and the numerical simulations were presented by ATLAS. Current-voltage characteristics of LPIN PD-GTE obtained in dark (dark current) and under 570 nm illumination (photo current) were studied to achieve the greatest photo-to-dark current ratio for active channel length from 2 to 12 /am. The results show that the photo-to-dark current ratio is 2.0×10^7, with dark current of around 5×10^-4 pA under VGK=0.6 V, PrN=5 mW/cm2, for a total area of 10μm×10μm in fully depleted SOI technology. Thus, the LPIN PD-GTE can be suitable for high-grade photoelectric systems such as blue DVD. 展开更多
关键词 lateral pin photodiode transparent electrode physical model photo-to-dark current ratio SILICON-ON-INSULATOR
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纳秒至毫秒级脉宽瞬态脉冲模拟光纤传输系统 被引量:2
15
作者 张雁霞 阮林波 +2 位作者 李显宝 田晓霞 渠红光 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1427-1429,1441,共4页
纳秒至毫秒级脉宽瞬态脉冲模拟光纤传输系统采用半导体激光器直接调制原理,主要由高速分布反馈型(DFB)激光器和基于InGaAs的PIN型光电探测器及耦合电路、驱动电路、前置放大电路、直流滤除电路等组成。介绍了系统的工作原理,分析了被测... 纳秒至毫秒级脉宽瞬态脉冲模拟光纤传输系统采用半导体激光器直接调制原理,主要由高速分布反馈型(DFB)激光器和基于InGaAs的PIN型光电探测器及耦合电路、驱动电路、前置放大电路、直流滤除电路等组成。介绍了系统的工作原理,分析了被测信号与激光器的耦合、容性负载的驱动、直流成分的滤除等技术问题,并提出了相应的解决方法。系统-3 dB带宽为0.1 Hz^250 MHz,动态范围大于40 dB,噪声峰峰值小于10 mV。该系统可用于脉冲射线测量中。 展开更多
关键词 模拟光纤传输 半导体激光器 驱动电路 pin光电二极管
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一种利用多元化相关探测技术实现的红外激光报警装置 被引量:4
16
作者 郑仲明 曾宪林 《红外技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期30-33,共4页
利用多元相关探测技术实现的红外激光报警装置由光学探测系统、信号放大与处理系统及显示报警系统三部分组成。其中 ,光学探测系统主要包括光学聚焦系统、多种滤光片及PIN光电二极管等 ;信号放大与处理系统主要包括阈值发生器、阈值比... 利用多元相关探测技术实现的红外激光报警装置由光学探测系统、信号放大与处理系统及显示报警系统三部分组成。其中 ,光学探测系统主要包括光学聚焦系统、多种滤光片及PIN光电二极管等 ;信号放大与处理系统主要包括阈值发生器、阈值比较器、前置放大器、主放大器、相关处理器、模数转换器及 80 31单片机等 ;显示报警系统主要包括声告警器、光显示器及相应的存储电路等。文中还详细介绍了探测器的基本原理 ,装置的基本结构及其主要技术指标 ,讨论了其中的技术难点及其相应的解决方法。 展开更多
关键词 红外激光报警装置 多元相关探测技术 pin光电二极管
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UV灯具辐照度检测方法 被引量:1
17
作者 王小增 杨久红 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2010年第10期90-91,99,共3页
辐照度是UV灯具的主要参数之一,为保证UV灯具产品质量,需要对灯具的辐照度进行检测。通过检测PIN光电二极管UVA1210的光电流来确定UV灯辐照度。前置放大电路选用pA级电流偏置的高精度运放ICL7650。测试了不同距离下UV灯的辐照度,辐照度... 辐照度是UV灯具的主要参数之一,为保证UV灯具产品质量,需要对灯具的辐照度进行检测。通过检测PIN光电二极管UVA1210的光电流来确定UV灯辐照度。前置放大电路选用pA级电流偏置的高精度运放ICL7650。测试了不同距离下UV灯的辐照度,辐照度与距离基本呈线性关系,距离越小辐照度越大。在检测过程中,UV灯具的辐照度数据有小幅波动,波动为平均值的5%。辐照度数据采用一阶滤波后波动明显减小,一阶滤波后辐照度波动为平均值的1.1%。数据波动范围为未滤波数据波动的22%。 展开更多
关键词 UV灯具 辐照度 pin光电二极管 一阶滤波
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一种小型脉冲激光器能量和重复频率测量电路 被引量:1
18
作者 侯宏录 辛光泽 郭淑玲 《兵工自动化》 2014年第9期76-80,共5页
针对传统激光功率计无法实时检测的缺点,设计一种基于PIN光电二极管的小型激光脉冲能量和频率实时检测电路。在激光器输出窗口前端设置光学玻璃对激光输出进行透射和散射,利用PIN光电二极管探测激光散射信号并完成光电转换。微弱电信号... 针对传统激光功率计无法实时检测的缺点,设计一种基于PIN光电二极管的小型激光脉冲能量和频率实时检测电路。在激光器输出窗口前端设置光学玻璃对激光输出进行透射和散射,利用PIN光电二极管探测激光散射信号并完成光电转换。微弱电信号经后续信号调理电路处理以外部中断方式触发单片机计时、计数,单片机同时采集调理电路的输出电压。系统最终实现了激光脉冲频率及能量的检测。测试结果表明:该系统的频率测量精度优于0.02%,能量测量精度优于1%,灵敏度优于0.8 V/mW,响应时间不大于3 ns。 展开更多
关键词 激光脉冲频率 光电检测 pin光电二极管 前置放大
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激光频率上转换回波信号探测技术研究 被引量:3
19
作者 滕岳 吕勇 +2 位作者 陈青山 牛春晖 刘力双 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期84-88,共5页
激光与物体相互作用产生的频率转换特性,对于目标探测具有重要的意义。频率上转换回波信号具有强度弱、脉冲展宽、有相移等特性。根据这种回波特性,论文以PIN光电二极管为探测器件,采用锁定放大技术进行回波信号检测。通过前置放大电路... 激光与物体相互作用产生的频率转换特性,对于目标探测具有重要的意义。频率上转换回波信号具有强度弱、脉冲展宽、有相移等特性。根据这种回波特性,论文以PIN光电二极管为探测器件,采用锁定放大技术进行回波信号检测。通过前置放大电路、交流信号放大电路完成回波信号的转换放大,运用相敏检波器实现回波信号提取,并搭建了回波探测系统。实验测试表明,基于锁定放大器的探测系统能够抑制杂波信号,从强噪声背景中提取有效回波信号,针对探测系统前方1.5 m处的探测靶标,系统的输出信噪比为16.9 d B。 展开更多
关键词 频率上转换 回波探测 pin光电二极管 锁定放大
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移动终端微型核辐射探测仪研制 被引量:3
20
作者 俞剑 郑盈盈 +1 位作者 刘士兴 张章 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2021年第6期1045-1051,共7页
介绍了一种基于Android或IOS移动终端的微型核辐射探测仪。该仪器以硅PIN光电二极管作为光电转换传感器,核辐射信号被传感器转换为电信号后,经内部电路放大和电压比较整形后,通过3.5 mm耳机接口或TYPE-C接口传输至移动终端进行数据处理... 介绍了一种基于Android或IOS移动终端的微型核辐射探测仪。该仪器以硅PIN光电二极管作为光电转换传感器,核辐射信号被传感器转换为电信号后,经内部电路放大和电压比较整形后,通过3.5 mm耳机接口或TYPE-C接口传输至移动终端进行数据处理。探测仪主要功能为测量待测物体或环境中是否存在高于天然本底的X或γ射线辐射,并发出警报。相比传统辐射探测仪,本探测仪具有响应快、抗干扰强、体积小、灵敏度高、无需高压偏置等优点。 展开更多
关键词 微型 核辐射测量 pin光电二极管 移动终端 TYPE-C
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