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题名无机纳米掺杂对聚酰亚胺绝缘性能影响
被引量：2
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作者
张兴涛
吴广宁
杨雁
吴旭辉
俞孝峰
钟鑫
朱健
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机构
西南交通大学电气工程学院
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出处
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期164-169,176,共7页
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基金
国家自然科学基金(51177136)
国家杰出青年基金(51325704)~~
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文摘
为了研究无机纳米粒子掺杂对聚酰亚胺(polyimide,PI)绝缘性能影响,文中利用原位聚合法制备了PI、10%(质量百分数)的PI/SiO_2膜和PI/Al_2O_3膜,测试了其电导率(表面、体积电导率)、热失重(TGA)以及击穿场强,并得到了方波脉冲电压下耐电晕时间随温度的变化曲线。结果表明:PI/SiO_2膜、PI/Al_2O_3膜、PI膜的电导率依次降低,而击穿场强则相反;当失重5%时,PI/Al_2O_3膜和PI/SiO_2膜的热分解温度比纯PI膜分别高了17.5℃和11℃。随着温度的升高,3种薄膜的耐电晕时间都在减小,且2种纳米膜的耐电晕时间都高于纯PI膜;当温度小于210℃时,由于PI/SiO_2膜的电导率最高,所以其耐电晕时间最长;当温度大于210℃时,由于PI/Al_2O_3膜的热导率最高以及热稳定性最好,所以其耐电晕时间最长。无机纳米粒子引入的有机—无机界面以及纳米粒子的高热稳定性是影响PI膜绝缘性能的主要原因。研究为变频电机的匝间绝缘水平的提高提供了理论依据。
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关键词
pi/Sio2膜
pi/al2o3膜
电导率
热失重
击穿电压
方波脉冲
耐电晕
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Keywords
pi/Sio2 film
pi/al2o3 film
conductivity
TGA
breakdown voltage
square wave pulse
corona resistance
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分类号
TM344.6
[电气工程—电机]
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