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基于金刚石探测器的低噪声高增益电荷灵敏放大器研制
1
作者 王民川 朱志甫 +4 位作者 黄河 邹继军 邢宗强 方波 陈少佳 《核电子学与探测技术》 北大核心 2025年第3期388-396,共9页
金刚石探测器在核辐射探测中具有广阔的应用。本文基于电荷灵敏放大器的基本原理,采用共源极放大器和差分放大器的组合方式,设计了一种基于金刚石探测器的低噪声高增益电荷灵敏放大器。实验结果显示,本底等效噪声电荷为168 e^(-),能谱... 金刚石探测器在核辐射探测中具有广阔的应用。本文基于电荷灵敏放大器的基本原理,采用共源极放大器和差分放大器的组合方式,设计了一种基于金刚石探测器的低噪声高增益电荷灵敏放大器。实验结果显示,本底等效噪声电荷为168 e^(-),能谱分辨率和电荷收集效率分别为2.63%和86%。所有指标均达到了设计要求。该放大器有望在金刚石探测器的能谱分析、位置分辨和束流监测等领域得到应用。 展开更多
关键词 金刚石 低噪声 高增益 电荷灵敏放大器
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基于ADS的滤波低噪声放大器功能融合电路仿真设计教学案例
2
作者 蔡奇 谢清林 《实验室研究与探索》 北大核心 2025年第6期82-86,共5页
以低噪声放大器为切入点,基于先进设计系统,设计了融合滤波器功能的低噪声放大器。设计基于高增益、高线性度和低噪声E-pHEMT芯片,结合改良的切比雪夫带通架构,将抽象的射频理论融入具体电路设计实例。设计的低噪声放大器性能优越,噪声... 以低噪声放大器为切入点,基于先进设计系统,设计了融合滤波器功能的低噪声放大器。设计基于高增益、高线性度和低噪声E-pHEMT芯片,结合改良的切比雪夫带通架构,将抽象的射频理论融入具体电路设计实例。设计的低噪声放大器性能优越,噪声系数≤1 dB,带内增益高,在3~4 GHz范围内无条件稳定等特性,并兼具良好的带通滤波功能。这种基于实例的教学方式,有效解决传统教学中理论抽象、难以理解的问题,提升课堂互动性,促进学生实践应用与创新思维能力的培养。研究对完善课程教学体系具有理论支持和实践指导意义,为同类课程提供了从理论讲授到实践操作的完整教学路径,有力提升课程教学质量。 展开更多
关键词 功能融合电路 低噪声放大器 滤波器 教学方法
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基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器
3
作者 李泽坤 陈继新 +1 位作者 郑司斗 洪伟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期187-191,共5页
本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现... 本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 宽带 W波段
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GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析 被引量：6
4
作者 林丽艳 李用兵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期143-147,共5页
GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构... GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构特点不能对内部FET直接进行参数测试,为进一步研究GaAs FET的氢效应作用机理,对GaAs FET结构单元开展高温电老炼试验,试验过程中GaAs FET电流变化趋势与低噪声放大器相同。分析了GaAs FET结构单元试验过程中饱和漏电流、夹断电压变化趋势,认为导致GaAs FET电参数先减小是由于沟道二维电子气(2DEG)浓度减小和栅金属与GaAs界面状态改变两种机理共同作用,电参数部分恢复主要是栅金属与GaAs界面状态改变起作用。 展开更多
关键词 GAAS phem低噪声放大器 GaAs场效应晶体管(FET) 高温电老炼 氢效应 退化机理
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面向Q/V波段卫星通信应用干扰抑制GaAs低噪声放大器
5
作者 李博 林峰 孙厚军 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期155-158,共4页
针对卫星通信应用,本文基于Ga As pHEMT工艺设计并仿真了一款覆盖37~52 GHz具有干扰抑制功能的低噪声放大器芯片。所设计低噪声放大器电路包括三级放大器,为实现低噪声和宽带特性,为每一级放大器设计了源电感。为了实现8~23 GHz干扰信... 针对卫星通信应用,本文基于Ga As pHEMT工艺设计并仿真了一款覆盖37~52 GHz具有干扰抑制功能的低噪声放大器芯片。所设计低噪声放大器电路包括三级放大器,为实现低噪声和宽带特性,为每一级放大器设计了源电感。为了实现8~23 GHz干扰信号的抑制,在每一段匹配网络的设计中引入了传输零点,通过多级具有滤波功能的匹配网络实现对干扰信号的强抑制。同时,为了增强电路输入输出回波损耗,在末级放大器中增加了负反馈结构,对电路噪声特性基本不产生影响。最终,对电路进行了电磁仿真,在37~52 GHz范围内实现了16.6~25.2 dB的增益和1.9~2.8 dB的噪声系数,同时在8~23 GHz范围内,实现了50~150 dB的干扰抑制。 展开更多
关键词 低噪声放大器 宽带 干扰抑制 砷化镓 Q/V波段
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S波段GaAs超低噪声限幅低噪声放大器芯片的研制 被引量：1
6
作者 舒畅 彭龙新 +2 位作者 李建平 贾晨阳 洪伟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期85-89,共5页
本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低... 本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低噪声放大器芯片,实现了超低噪声与高耐功率的性能。测试结果表明,该款芯片在目前相近频段所有限幅低噪声放大器产品中噪声系数最小。在2.7 GHz~3.5 GHz工作频带内,实测噪声系数NF≤0.85 dB,增益≥29 dB,带内增益平坦度≤±0.3 dB,静态工作电流≤25 mA,1 dB压缩点输出功率≥8 dBm。在耐功率50 W(250μs脉宽、25%占空比)下试验30 min后不烧毁,恢复到常温时,噪声几乎无变化。芯片尺寸为3450μm×1600μm×100μm。 展开更多
关键词 限幅低噪声放大器 超低噪声 高耐功率 小型化
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DC～20GHz GaAs PHEMT超宽带低噪声放大器 被引量：4
7
作者 朱思成 田国平 +2 位作者 白元亮 张晓鹏 陈兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期571-575,共5页
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅... 采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅-漏反馈电容和较高的输出并联电阻,使电路具有较宽的频带、较高的增益和较高的线性度等特点。电路采用+8 V电源供电,将芯片及外围器件进行模块化封装后,易于测试和使用。经过实测,带内的典型噪声系数为3 dB,小信号增益达到14 dB,输入回波损耗低于-14 dB,输出回波损耗低于-17 dB,1 dB增益压缩输出功率达到16 dBm。芯片尺寸为3.12 mm×1.574 mm。 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管(phemT) 低噪声放大器 分布式放大器 共源共栅 噪声系数
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S频段pHEMT双通道低噪声放大器芯片的设计 被引量：7
8
作者 徐鑫 张波 +1 位作者 徐辉 王毅 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第1期83-87,共5页
采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应... 采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.9~2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。 展开更多
关键词 S频段 双通道 低噪声放大器 单刀双掷开关 共源共栅场效应管
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一个2.4 GHz集成的SP3T射频开关和低噪声放大器
9
作者 马凯学 王德建 +1 位作者 傅海鹏 王科平 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期168-177,共10页
基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射... 基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射频开关的线性度.低噪声放大器采用了负反馈技术和导数叠加技术提高线性度,利用导数叠加技术减小低噪声放大器的三阶非线性,进一步提高了负反馈低噪声放大器的线性度.低噪声放大器与射频开关集成,并带有Bypass衰减通路.测试结果表明,射频开关的发射支路实现了0.95 dB的插入损耗和34 dBm的输入1 dB压缩点,蓝牙支路具有1.68 dB的插入损耗和30 dBm的输入1 dB压缩点.在2 V供电下,接收支路在高增益模式下具有15.8 dB的增益,1.7 dB的噪声系数和7.6 dBm的输入三阶交调点,功耗28.6 mW,在Bypass模式下具有7.2 dB的插入损耗和22 dBm的输入三阶交调点. 展开更多
关键词 无线局域网 低噪声放大器 射频开关 线性度
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一种高线性GaAs pHEMT宽带低噪声放大器的设计
10
作者 谭晓衡 付扬东 +1 位作者 林杰 黄剑 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1049-1053,共5页
针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点,基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器,宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设... 针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点,基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器,宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设计好后利用Advanced Design System 2005进行仿真。仿真结果表明,该放大器在0.3~2.2 GHz频带内,增益高于12 dB,且变化小于3 dB;噪声系数在1.04~1.43 dB之间,输入输出反射系数均小于-10 dB,群延时特性在整个频带内接近线性,且在整个频带内无条件稳定,所设计的宽带低噪声放大器能够很好地满足实际需要。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 无线通信系统 赝配高电子迁移率晶体管 增益 群延时
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基于同轴型高纯锗探测器的CMOS电荷灵敏前置放大器设计
11
作者 刘崭 何高魁 刘海峰 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第3期717-724,共8页
本文设计了一款多通道低噪声的电荷灵敏前置放大器,专用于输入电容较大的同轴型高纯锗探测器。大电容探测器会带来更大的输入噪声,为保证高能量分辨率,对前端电子学的噪声性能提出了较高的标准。在多级放大器中,总噪声受第一级噪声的影... 本文设计了一款多通道低噪声的电荷灵敏前置放大器,专用于输入电容较大的同轴型高纯锗探测器。大电容探测器会带来更大的输入噪声,为保证高能量分辨率,对前端电子学的噪声性能提出了较高的标准。在多级放大器中,总噪声受第一级噪声的影响最显著。因此,输入管必须具有优异的噪声性能,通过采用优化后的噪声模型、多次仿真迭代和特殊的版图结构得到低噪声输入管。当输入管尺寸较大时,会产生栅极漏电流,漏电流会改变前置放大器输出的基准位置。本文采用了一种带漏电流补偿的反馈电阻模块,该模块消除了反馈电阻对电源、温度和工艺变化的敏感性,同时可补偿几μA的泄漏电流,且电路为自偏置,无需外部偏压设定反馈电阻阻值。此前置放大器在10 pF的探测器电容下,上升时间不超过50 ns,且无任何震荡现象。在低温下前置放大器展示出仅5.6个电子的低噪声性能,具有5 mV/fC的输出转换增益和0.15%的线性度及12.5 mW的较低静态功耗。在特定的低能量辐射检测应用中,电路性能良好。 展开更多
关键词 高纯锗探测器 电荷灵敏前置放大器 低噪声 集成电路设计
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基于100 nm砷化镓pHEMT工艺的C波段宽带低噪声放大器芯片 被引量：2
12
作者 田洪亮 何美林 刘海文 《天文学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期34-42,共9页
作为射电天文接收机系统的关键器件,低噪声放大器的噪声和增益性能对接收机系统的灵敏度有重要影响.采用100 nm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pHEMT)工艺,研制了一款可覆盖C波段(4–8... 作为射电天文接收机系统的关键器件,低噪声放大器的噪声和增益性能对接收机系统的灵敏度有重要影响.采用100 nm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pHEMT)工艺,研制了一款可覆盖C波段(4–8 GHz)的低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA).所设计的LNA采用3级共源级联放大拓扑结构,栅极、漏极双电源供电.常温下测试表明,该LNA在4–8 GHz频段内平均噪声温度为60 K,在5 GHz处获得最低噪声温度50 K,通带内增益(31±1.5) dB,输入输出回波损耗均优于10 dB,芯片面积为2.1×1.1 mm^(2),可以应用于C波段射电天文接收机以及卫星通信系统等. 展开更多
关键词 仪器 望远镜 技术:射电天文 技术:低噪声放大器
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一种低噪声快电荷灵敏前置放大器的研制 被引量：22
13
作者 苏弘 周波 +1 位作者 李小刚 马晓莉 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期105-107,112,共4页
简要介绍了新型低噪声快电荷灵敏前置放大器。这种电荷灵敏前置放大器采用新的设计方案,该前放主要采用低噪声场效应晶体管和集成运算放大器构成,其等效输入噪声≤2.2keV。该前放具有电路结构简单、体积小、输出信号上升时间快、噪声低... 简要介绍了新型低噪声快电荷灵敏前置放大器。这种电荷灵敏前置放大器采用新的设计方案,该前放主要采用低噪声场效应晶体管和集成运算放大器构成,其等效输入噪声≤2.2keV。该前放具有电路结构简单、体积小、输出信号上升时间快、噪声低、稳定性好等特点。 展开更多
关键词 低噪声 快 电荷灵敏 前置放大器 研制
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集成Si基低噪声放大器的注入损伤研究 被引量：14
14
作者 柴常春 张冰 +1 位作者 任兴荣 冷鹏 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期898-903,共6页
Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)... Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)分析和表面形貌(SEM)分析.SEM分析表明,不同能量作用下的样品其内部无源电阻和晶体管基极分别出现了异常,而对比正常和异常区域的EDS谱表明电极异常区域的组分有明显变化.ADS2004A的仿真结果表明,能量作用后电阻损伤阻值增大引起LNA噪声系数和增益特性退化.实验结果表明,LNA噪声系数NF对能量的作用更敏感,能量注入对NF的影响远强于其对增益的影响,噪声系数NF的变化应作为Si基LNA能量作用损伤的判据之一. 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 能量注入 损伤效应 无源电阻
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2.9GHz0.35μm CMOS低噪声放大器 被引量：13
15
作者 陶蕤 王志功 +1 位作者 谢婷婷 陈海涛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1530-1532,共3页
随着特征尺寸的不断减小 ,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到 5 0GHz以上 ,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能 .越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路 ,本文给出了一个利用 0 3... 随着特征尺寸的不断减小 ,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到 5 0GHz以上 ,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能 .越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路 ,本文给出了一个利用 0 3 5 μmCMOS工艺实现的 2 9GHz单片低噪声放大器 .放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成 .在 3伏电源下 ,工作电流为 8mA ,功率增益大于 10dB ,输入反射小于 - 12dB . 展开更多
关键词 CMOS工艺 低噪声放大器 螺旋电感
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利用ADS软件设计X频段低噪声放大器 被引量：20
16
作者 唐海啸 张玉兴 +1 位作者 杨陈庆 杨玉梅 《电讯技术》 2006年第1期119-122,共4页
首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法，然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明，此放大器达到了预定的技术指标，性能良好。其... 首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法，然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明，此放大器达到了预定的技术指标，性能良好。其工作频段为8．6—9．5GHz，噪声系数≤1．8dB，增益为23dB，带内平坦度≤±0．5dB。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 增益 SMITH圆图 ADS仿真软件 优化
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2-GHzCMOS射频低噪声放大器的设计与测试 被引量：11
17
作者 林敏 王海永 +1 位作者 李永明 陈弘毅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1278-1281,共4页
本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端（Front-end）的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好... 本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端（Front-end）的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合. 展开更多
关键词 CMOS射频集成电路 低噪声放大器 噪声 无线通信
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1.5-6GHz增益和噪声系数稳定的两级超宽带CMOS低噪声放大器设计与性能模拟 被引量：11
18
作者 何小威 李晋文 张民选 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1668-1672,共5页
针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA).通过引入共栅(CG)和共源(CS)结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数(NF).经标准0.18μm C... 针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA).通过引入共栅(CG)和共源(CS)结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数(NF).经标准0.18μm CMOS工艺实现后,版图后模拟结果表明在1.5-5GHz频率范围内功率增益(S21)为11.45±0.05dB,在2-6GHz频率范围内噪声系数(NF)为5.15±0.05dB,输入损耗(S11)小于-18dB.在5GHz时,模拟得到的三阶交调点(IIP3)为-7dBm,1dB压缩点为-5dBm.在1.8V电源电压下,LNA消耗6mA的电流,版图实现面积仅为0.62mm2. 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 噪声系数 宽带 CMOS
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深低温、低功耗、低噪声微型前置放大器 被引量：5
19
作者 袁红辉 王淦泉 +1 位作者 陈永平 梁平治 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期432-436,共5页
为了降低红外系统的噪声,提出了一种新的电路结构,利用单端折叠共源共栅结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,设计了一种在深低温(100K左右)工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器。分析了其噪声特性,并提出了减少噪声的措施,仿真结果显... 为了降低红外系统的噪声,提出了一种新的电路结构,利用单端折叠共源共栅结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,设计了一种在深低温(100K左右)工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器。分析了其噪声特性,并提出了减少噪声的措施,仿真结果显示该前置放大器的输出电压噪声很小,3dB带宽大于10kHz。此前置放大器用1.2μm的标准CMOS工艺制造完成,四单元芯片的大小为2.1mm×2.9mm。经测试,这种前置放大器在深低温下能正常工作,反馈电阻大小为兆欧级,等效输入噪声电流仅0.03pA/Hz1/2,单元功耗小于1mW,与红外探测器连接后工作正常,线性度较好。 展开更多
关键词 前置放大器 低温 低功耗 低噪声
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基于低噪声运放的传感器前置放大器设计 被引量：31
20
作者 周胜海 郭淑红 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2006年第9期38-40,共3页
随着低噪声运放技术的发展,基于低噪声运放的传感器前置放大器将得到越来越广泛的应用。与分立元件的传感器前置放大器设计相比,基于低噪声运放的传感器前置放大器设计面临一些新的挑战。探讨了基于低噪声运放的传感器前置放大器设计中... 随着低噪声运放技术的发展,基于低噪声运放的传感器前置放大器将得到越来越广泛的应用。与分立元件的传感器前置放大器设计相比,基于低噪声运放的传感器前置放大器设计面临一些新的挑战。探讨了基于低噪声运放的传感器前置放大器设计中的若干技术问题,包括低噪声运放的选择、同相放大与反相放大的选择、负反馈对噪声性能的影响、噪声匹配、外围电阻选择及合理布局布线。 展开更多
关键词 传感器 前置放大器 运放 低噪声
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