以聚环氧乙烷/高氯酸锂络合物(PEO/L iC lO4)为基体,前驱体正硅酸乙酯(TEOS)在基体中水解缩合的同时加入偶联剂KH560改性原位生成的S iO2,制备了PEO/L iC lO4/KH560-S iO2聚电解质膜,采用SEM、AFM、DSC和交流阻抗方法研究了改性前后聚...以聚环氧乙烷/高氯酸锂络合物(PEO/L iC lO4)为基体,前驱体正硅酸乙酯(TEOS)在基体中水解缩合的同时加入偶联剂KH560改性原位生成的S iO2,制备了PEO/L iC lO4/KH560-S iO2聚电解质膜,采用SEM、AFM、DSC和交流阻抗方法研究了改性前后聚电解质膜的表面形貌、结晶度和电导率。结果表明,改性S iO2在PEO中分散均匀且粒径仅为35 nm,不同S iO2含量下改性后的聚电解质膜电导率均比改性前明显提高。当S iO2质量分数为10%时,PEO/L iC lO4/KH560-S iO2的电导率达到最大值4.8×10-5S/cm(30℃)。展开更多
文摘以聚环氧乙烷/高氯酸锂络合物(PEO/L iC lO4)为基体,前驱体正硅酸乙酯(TEOS)在基体中水解缩合的同时加入偶联剂KH560改性原位生成的S iO2,制备了PEO/L iC lO4/KH560-S iO2聚电解质膜,采用SEM、AFM、DSC和交流阻抗方法研究了改性前后聚电解质膜的表面形貌、结晶度和电导率。结果表明,改性S iO2在PEO中分散均匀且粒径仅为35 nm,不同S iO2含量下改性后的聚电解质膜电导率均比改性前明显提高。当S iO2质量分数为10%时,PEO/L iC lO4/KH560-S iO2的电导率达到最大值4.8×10-5S/cm(30℃)。
