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前驱体对PECVD制备类金刚石涂层的结构与性能的影响
1
作者 黄志宏 《表面技术》 北大核心 2026年第1期115-121,共7页
目的探究不同含氢量的碳氢前驱体对直流脉冲PECVD制备DLC涂层的结构(化学键、sp^(3)含量)和力学性能(硬度、弹性模量)的影响规律。方法采用直流脉冲PECVD技术,以乙炔、氢稀释乙炔、甲烷、氢稀释甲烷为前驱体,制备4种类金刚石涂层,即DLC(... 目的探究不同含氢量的碳氢前驱体对直流脉冲PECVD制备DLC涂层的结构(化学键、sp^(3)含量)和力学性能(硬度、弹性模量)的影响规律。方法采用直流脉冲PECVD技术,以乙炔、氢稀释乙炔、甲烷、氢稀释甲烷为前驱体,制备4种类金刚石涂层,即DLC(C_(2)H_(2))、DLC(C_(2)H_(2)+H_(2))、DLC(CH_(4))、DLC(CH_(4)+H_(2))。通过扫描电子显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱和纳米压痕技术系统研究不同含氢量前驱体对涂层厚度、化学键结构、sp^(3)含量、力学性能的影响。结果DLC(C_(2)H_(2))的沉积速度为0.83μm/h,是DLC(CH_(4))涂层的3倍,氢稀释轻微影响涂层的沉积速度。随着前驱体含氢量的升高,总体趋势是DLC涂层的ID/IG降低,G峰红移,sp^(3)含量增加,硬度和弹性模量下降。DLC(C_(2)H_(2))具有最大的ID/IG(3.1)、最高的G峰峰位(1567 cm^(-1))和较低的sp^(3)含量(6.1%)。同时,DLC(C_(2)H_(2))表现出最大的硬度和弹性模量,分别为26.9、240 GPa。结论采用C_(2)H_(2)制备DLC涂层具有优质、高效的特点,C_(2)H_(2)是硬质DLC涂层最佳的前驱体。前驱体含氢量提高了DLC涂层中sp^(3)-CH_(n)含量,未提高sp^(3)-CC含量,而sp^(3)-CH_(n)终止CC网络,导致DLC涂层的力学性能下降。氢掺入减小了DLC涂层中sp^(2)团簇尺寸,同时增大了键角无序度。 展开更多
关键词 类金刚石碳 pecvd 拉曼 前驱体 sp^(3) 硬度 弹性模量
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PECVD法制备锆合金包壳管表面SiC涂层及性能研究
2
作者 卢永恒 刘伟 +4 位作者 钱跃庆 孟莹 王炫力 李洋 宋希文 《热加工工艺》 北大核心 2025年第16期152-158,共7页
SiC是一种极具潜力的耐事故燃料包壳涂层材料。为避免锆合金包壳管强度的高温失效,需要开发SiC涂层的低温制备技术。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以甲基硅烷作为唯一反应气源,沉积温度低于锆合金最终退火温度(~600℃),在锆... SiC是一种极具潜力的耐事故燃料包壳涂层材料。为避免锆合金包壳管强度的高温失效,需要开发SiC涂层的低温制备技术。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以甲基硅烷作为唯一反应气源,沉积温度低于锆合金最终退火温度(~600℃),在锆合金包壳管表面制出均匀致密的SiC涂层。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、附着力划痕仪、万能试验机对锆合金包壳管SiC涂层的物相组成、微观形貌、结合强度和力学性能进行分析测试。结果表明:与常规化学气相沉积(CVD)制备技术相比,采用PECVD方法制备的SiC涂层为微晶态结构,涂层均匀、致密且光滑、平整,与锆合金包壳管基底结合良好。相比于CVD-SiC涂层样品,其轴向抗拉强度提高了约110 MPa,具有明显的性能优势。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积 锆合金包壳管 SIC涂层 轴向抗拉强度
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隧穿层和后退火温度对PECVD法制备的TOPCon钝化性能影响的研究
3
作者 王皓正 林文杰 +3 位作者 彭梦云 王永谦 邱开富 余学功 《太阳能学报》 北大核心 2025年第11期193-199,共7页
深入探讨利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术在制备N型高效隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池中的应用,着重分析隧穿氧化层与多晶硅层的关键工艺参数及其对电池钝化性能的影响。实验结果显示,隧穿氧化层的厚度对电池的钝化效果起... 深入探讨利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术在制备N型高效隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池中的应用,着重分析隧穿氧化层与多晶硅层的关键工艺参数及其对电池钝化性能的影响。实验结果显示,隧穿氧化层的厚度对电池的钝化效果起到至关重要的作用。当氧化时间控制在105 s时钝化效果最佳,主要是因为此隧穿氧化层厚度能在载流子的隧穿概率与界面钝化效果之间实现最佳平衡。此外,退火温度也是钝化性能的关键影响因素,其最佳范围为915~930℃。高温退火不仅可促进磷掺杂的激活,还可减少界面缺陷,显著提高界面质量。多晶硅层的磷元素掺杂量也会影响钝化性能。随着磷掺杂量的增加,多晶硅层的场钝化效果增强,从而可提升整体的钝化性能。然而,过高的磷掺杂量可能会导致硅表面出现严重的俄歇复合现象,从而削弱钝化效果。通过精确控制隧穿氧化层的厚度和退火温度,可提升TOPCon电池的钝化效果,分析氧化时间及退火温度的影响,揭示各参数之间的复杂相互作用。最终,通过对Topcon电池关键工艺参数的深入模拟,揭示优化条件下的高效能表现,以期为工艺改进和实际应用提供科学依据与技术支持。 展开更多
关键词 太阳电池 晶体硅 化学气相沉积 N型高效隧穿氧化层钝化接触 隧穿层 退火温度
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PECVD法生长氮化硅工艺的研究 被引量：31
4
作者 吴清鑫 陈光红 +1 位作者 于映 罗仲梓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期703-705,710,共4页
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应... 采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。 展开更多
关键词 pecvd 氮化硅 聚酰亚胺 残余应力 射频MEMS开关
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PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究 被引量：21
5
作者 刘志平 赵谡玲 +2 位作者 徐征 刘金虎 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期54-59,共6页
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度... 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。 展开更多
关键词 pecvd 氮化硅 镀膜工艺 少子寿命
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PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究 被引量：15
6
作者 马康 王海燕 +3 位作者 吴芳 卢景霄 郜小勇 陈永生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期97-101,共5页
实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一... 实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一步提高沉积温度、射频功率反而会使薄膜晶化效果变差,并对晶化硅薄膜低温生长的机理进行了初步的探讨。 展开更多
关键词 pecvd 微晶硅薄膜 晶化率 生长机制
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PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究 被引量：44
7
作者 王晓泉 汪雷 +3 位作者 席珍强 徐进 崔灿 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期341-344,共4页
使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌... 使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌,使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后,考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性,并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。 展开更多
关键词 太阳电池 pecvd 氮化硅
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PECVD提高SiO_2薄膜致密性的研究 被引量：7
8
作者 郭文涛 谭满清 +2 位作者 焦健 郭小峰 孙宁宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期577-581,共5页
为了在高功率980 nm激光器工艺中制备高质量、均匀性好、致密性高的SiO2薄膜,本文研究了PECVD的反应压强、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的沉积速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性,采用傅里叶... 为了在高功率980 nm激光器工艺中制备高质量、均匀性好、致密性高的SiO2薄膜,本文研究了PECVD的反应压强、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的沉积速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性,采用傅里叶红外光谱仪得到SiO2薄膜的红外吸收特性,采用原子力显微镜(AFM)观察SiO2薄膜的表面形貌。通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为9.18 nm/s的SiO2薄膜。 展开更多
关键词 pecvd SIO2薄膜 致密性 BOE腐蚀速率
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PECVD法沉积类金刚石膜的结构及其摩擦学性能 被引量：13
9
作者 杨莉 陈强 张受业 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期292-297,共6页
以C2H2为碳源,Ar气为辅助气体,利用射频等离子体化学气相沉积的方法在有机薄膜PET和载玻片上制备了类金刚石(diamond-like carbon,DLC)薄膜。通过红外光谱(FTIR)、拉曼光谱(Raman)分析了所制备DLC薄膜的结构;利用原子力显微镜(AFM)分析... 以C2H2为碳源,Ar气为辅助气体,利用射频等离子体化学气相沉积的方法在有机薄膜PET和载玻片上制备了类金刚石(diamond-like carbon,DLC)薄膜。通过红外光谱(FTIR)、拉曼光谱(Raman)分析了所制备DLC薄膜的结构;利用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌;另外,还利用摩擦磨损仪对薄膜的机械性能进行了研究。实验得到:FTIR、Raman谱图分析发现碳氢膜主要由sp2和sp3杂化的碳氢化合物呈层状堆积而成,其组分与沉积参数密切相关;同时,sp2和sp3杂化比例影响所制备薄膜的致密性、均匀性和耐磨性能。 展开更多
关键词 pecvd 类金刚石膜 结构分析 摩擦性能
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PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究 被引量：10
10
作者 张龙龙 周炳卿 +1 位作者 张林睿 高玉伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期757-763,共7页
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等。实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础。 展开更多
关键词 pecvd 富硅氮化硅薄膜 非晶结构 光学带隙
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ECR-PECVD制备Si_3N_4薄膜的光学特性研究 被引量：3
11
作者 陈俊芳 王卫乡 +3 位作者 廖常俊 刘颂豪 丁振峰 任兆杏 《光子学报》 EI CAS CSCD 1997年第9期836-840,共5页
本文研究了ECR－PECVD制备的Si3N4薄膜的光学特性．得到的Si3N4薄膜具有光致发光效应，在280℃沉积制备的Si3N4薄膜的光致发光波长为400nm，具有较好的单色性．测试分析了Si3N4薄膜对可见光、红外光具有较高的透射性能，Si3N4薄膜可作... 本文研究了ECR－PECVD制备的Si3N4薄膜的光学特性．得到的Si3N4薄膜具有光致发光效应，在280℃沉积制备的Si3N4薄膜的光致发光波长为400nm，具有较好的单色性．测试分析了Si3N4薄膜对可见光、红外光具有较高的透射性能，Si3N4薄膜可作为红外光的增速减反射膜． 展开更多
关键词 pecvd 薄膜 光致发光 增透膜 氮化硅
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纯化器对VHF-PECVD制备的不同结构硅薄膜特性的影响 被引量：5
12
作者 张晓丹 赵颖 +9 位作者 朱锋 魏长春 高艳涛 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期892-897,共6页
本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时... 本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料 ;在 30W时 ,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大 ,光敏性也相应的降低 ,5 0W的条件表现出相类似的结果 ,初步分析是氧引起的差别 ;激活能的测试结果也表明 ,使用纯化器会降低材料中的氧含量 ,即表现激活能相对大 ;另外 ,沉积速率的测试结果也给出 展开更多
关键词 纯化器 制备 光敏性 降低 硅薄膜 晶化 氧含量 VHF-pecvd 有源层 纳米硅
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VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析 被引量：6
13
作者 张晓丹 高艳涛 +9 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期56-59,64,共5页
本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为... 本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为 31%。 展开更多
关键词 硅材料 硅薄膜 VHF-pecvd 有源层 微晶 晶向 电学特性 度条件 因子 不稳定性
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沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响 被引量：9
14
作者 席彩萍 王六定 +1 位作者 王小冬 李昭宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期938-941,共4页
采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜。采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制。结果表明:沉积温度... 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜。采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制。结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃。 展开更多
关键词 多壁碳纳米管 沉积温度 pecvd
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PECVD热流场数值模拟的可视化研究 被引量：3
15
作者 胡贵华 朱文华 +1 位作者 俞涛 王栋 《系统仿真学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第21期5885-5889,共5页
利用数值模拟的温度场、速度场的数据与虚拟现实系统开发的软件开发包Open Inventor接口,结合C++语言在VC平台上实现了PECVD(等离子体增强化学气相沉积)反应室内气体的温度场和速度场的可视化。可视化结果能够准确直观地展示PECVD反应... 利用数值模拟的温度场、速度场的数据与虚拟现实系统开发的软件开发包Open Inventor接口,结合C++语言在VC平台上实现了PECVD(等离子体增强化学气相沉积)反应室内气体的温度场和速度场的可视化。可视化结果能够准确直观地展示PECVD反应室内气体的温度场和速度场分布情况,为反应室内结构优化设计提供合理化建议;该可视化具有"沉浸感",为优化PECVD生长氮化硅薄膜的工艺参数提供依据,对于使用PECVD生长高质量薄膜材料的太阳能电池具有现实意义。 展开更多
关键词 数值模拟 可视化 pecvd反应室 结构优化设计 沉浸感
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辉光功率对VHF-PECVD制备的硅基薄膜特性的影响(英文) 被引量：4
16
作者 张晓丹 赵颖 +6 位作者 朱锋 魏长春 孙建 侯国付 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期662-666,共5页
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示 :在不同硅烷浓度 (SC)条件下 ,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点 ;暗电导随晶化率也体现出不同的变化 ,此结果表明不同SC、不同功率制备... 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示 :在不同硅烷浓度 (SC)条件下 ,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点 ;暗电导随晶化率也体现出不同的变化 ,此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的 ;另外 ,扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈“菜花”状和剖面为柱状的结构特征。 展开更多
关键词 辉光功率 VHF-pecvd方法 制备 硅基薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 过渡区 微区喇曼光谱 扫描电子显微镜
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PECVD方法直接合成硅氧纳米复合薄膜(ncSiO_x:H) 被引量：2
17
作者 史国华 韩高荣 +3 位作者 杜丕一 赵高凌 沈鸽 张溪文 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期427-429,共3页
首次报道了以SiH4、N2 O和H2 混合气体为原料 ,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜 (nc SiOx:H) ,未经任何后处理过程观察到了可见光致发光现象 ,发光峰位于 5 30nm(2 34eV)左右。通过红外光谱 (FTIR)、XRD、高分辨电镜(HRTEM)等手... 首次报道了以SiH4、N2 O和H2 混合气体为原料 ,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜 (nc SiOx:H) ,未经任何后处理过程观察到了可见光致发光现象 ,发光峰位于 5 30nm(2 34eV)左右。通过红外光谱 (FTIR)、XRD、高分辨电镜(HRTEM)等手段观察分析了薄膜的组成和结构 ,薄膜形成了纳米硅在氧化硅网络中的镶嵌式结构。发光强度随薄膜中氧含量的增加而提高 ,认为薄膜的发光主要是由于跟氧有关的结构缺陷引起的。 展开更多
关键词 纳米复合薄膜 pecvd 发光峰 光致发光 FTIR 直接合成 红外光谱 纳米硅 高分辨 发光强度
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PECVD对硅材料的钝化作用 被引量：7
18
作者 陈凤翔 崔容强 孟凡英 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期348-351,共4页
该文通过实验 ,发现对硅片采用双层钝化体系SiO2 /SiNx 可降低表面复合速度到S <1cm/s;而在采用PECVD钝化的过程中 ,最重要的影响因素是FGA的温度 ,退火温度越低越好 ;最后分析了H原子对硅片钝化的微观机理。
关键词 沉积 钝化 JOE 硅片 退火温度 pecvd 太阳电池
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PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究 被引量：5
19
作者 於伟峰 张伟 +1 位作者 汤晓东 包宗明 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第6期530-533,共4页
本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｎ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度... 本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｎ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料，ＰＥＣＶＤ方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。 展开更多
关键词 pecvd 氮氧化硅 梯度薄膜 薄膜
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基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究 被引量：5
20
作者 吴晓松 褚学宁 李玉鹏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1913-1920,共8页
利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题。鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功... 利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题。鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对不满足质量期望的工艺参数进行部分正交分析,对全局优化的结果进行调整,得到最终的氮化硅镀膜的最优工艺参数。国内某光伏企业的验证试验表明了所提方法的有效性。 展开更多
关键词 pecvd 氮化硅薄膜 正交试验 工艺参数
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