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对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识
1
作者
刘春媚
杨旭
+3 位作者
朱慧龙
胡志远
毕大炜
张正选
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期2157-2167,共11页
通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退...
通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退化。在不同的应力条件下,其效果也有所不同。对改性器件施加热载流子应力时,改性器件的前栅和背栅之间存在着更明显的相互作用。同时,探讨了总剂量辐照对改性器件热载流子退化的影响。在改性器件中存在辐照增强的热载流子退化,高温退火只能部分消除这一影响。
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关键词
热载流子效应
总剂量效应
辐射加固
pdsoi
NMOS
改性器件
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职称材料
130nm PDSOI DTMOS体延迟研究
2
作者
毕津顺
韩郑生
海潮和
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期868-870,共3页
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘...
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘积却明显增大。Si膜厚度从200 nm减小到80 nm,体延迟增加将近两个数量级。器件宽度增加使得体电阻和体电容都明显增大,DTMOS电路延迟也因此指数递增。推导出了PDSOI DTMOS的延迟模型,为SOI DTMOS器件设计提供了参考。
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关键词
部分耗尽绝缘体上硅
动态阈值晶体管
体电阻
体电容
延迟
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职称材料
题名
对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识
1
作者
刘春媚
杨旭
朱慧龙
胡志远
毕大炜
张正选
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能国家重点实验室
中国科学院大学
华天科技(昆山)电子有限公司
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期2157-2167,共11页
基金
Supported by Jiangsu Enterprise Academician Workstation Project。
文摘
通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退化。在不同的应力条件下,其效果也有所不同。对改性器件施加热载流子应力时,改性器件的前栅和背栅之间存在着更明显的相互作用。同时,探讨了总剂量辐照对改性器件热载流子退化的影响。在改性器件中存在辐照增强的热载流子退化,高温退火只能部分消除这一影响。
关键词
热载流子效应
总剂量效应
辐射加固
pdsoi
NMOS
改性器件
Keywords
hot carrier effect
total dose irradiation
radiation hardening
pdsoi
NMOS
modified device
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
130nm PDSOI DTMOS体延迟研究
2
作者
毕津顺
韩郑生
海潮和
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期868-870,共3页
基金
国家重点基础研究资助项目(2006CB302701)
文摘
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘积却明显增大。Si膜厚度从200 nm减小到80 nm,体延迟增加将近两个数量级。器件宽度增加使得体电阻和体电容都明显增大,DTMOS电路延迟也因此指数递增。推导出了PDSOI DTMOS的延迟模型,为SOI DTMOS器件设计提供了参考。
关键词
部分耗尽绝缘体上硅
动态阈值晶体管
体电阻
体电容
延迟
Keywords
partially depleted Si-on-insulator （
pdsoi
）
dynamic threshold MOS
body resistance
body capacitance
delay
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识
刘春媚
杨旭
朱慧龙
胡志远
毕大炜
张正选
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
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职称材料
2
130nm PDSOI DTMOS体延迟研究
毕津顺
韩郑生
海潮和
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
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