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加场极板LDMOS的击穿电压的分析
被引量：
2
1
作者
吴秀龙
孟坚
+3 位作者
陈军宁
柯导明
时龙兴
孙伟锋
《安徽大学学报（自然科学版）》
CAS
2004年第1期49-52,共4页
在LDMOS中加入电场控制极板是一种有效的提高其击穿电压的方法,本文分析了PDP选址驱动芯片的LDMOS场极板对其漏击穿电压的影响,指出了场极板的分压作用和场极板边缘效应对击穿电压的影响,给出击穿电压的计算公式,计算结果与实验能够吻合...
在LDMOS中加入电场控制极板是一种有效的提高其击穿电压的方法,本文分析了PDP选址驱动芯片的LDMOS场极板对其漏击穿电压的影响,指出了场极板的分压作用和场极板边缘效应对击穿电压的影响,给出击穿电压的计算公式,计算结果与实验能够吻合,说明了给出的公式是正确的。
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关键词
场极板
LDMOS
击穿电压
pdp选址驱动芯片
晶体管
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职称材料
题名
加场极板LDMOS的击穿电压的分析
被引量：
2
1
作者
吴秀龙
孟坚
陈军宁
柯导明
时龙兴
孙伟锋
机构
安徽大学电子工程与信息科学学院
东南大学工程技术中心
出处
《安徽大学学报（自然科学版）》
CAS
2004年第1期49-52,共4页
基金
国家863计划资助项目:高压驱动集成技术的研究(2002AA1Z1550)
安徽省自然科学基金资助项目(10142104)
文摘
在LDMOS中加入电场控制极板是一种有效的提高其击穿电压的方法,本文分析了PDP选址驱动芯片的LDMOS场极板对其漏击穿电压的影响,指出了场极板的分压作用和场极板边缘效应对击穿电压的影响,给出击穿电压的计算公式,计算结果与实验能够吻合,说明了给出的公式是正确的。
关键词
场极板
LDMOS
击穿电压
pdp选址驱动芯片
晶体管
Keywords
field plate
LDMOS
breakdown voltage
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
加场极板LDMOS的击穿电压的分析
吴秀龙
孟坚
陈军宁
柯导明
时龙兴
孙伟锋
《安徽大学学报（自然科学版）》
CAS
2004
2
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