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PCVD 法沉积 TiN 膜若干问题的研究探讨 被引量：1
1
作者 张海涛 杨兴宽 徐冰仲 《中国铁道科学》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期110-118,共9页
探讨了ＰＣＶＤ法沉积ＴｉＮ膜器壁副产物的成分及形成机制，并提出了解决办法。同时对脉冲、直流ＰＣＶＤ沉积ＴｉＮ膜中的氯含量、膜的生长、晶粒大小及膜结构进行了对比分析，认为脉冲ＰＣＶＤ比直流ＰＣＶＤ更适合于ＴｉＮ膜的沉积。
关键词 脉冲pcvd 直流pcvd 薄膜 TIN膜 沉积 pcvd法
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PCVD低水峰光纤的制备与性能 被引量：1
2
作者 韩庆荣 谢康 +1 位作者 张树强 罗杰 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2006年第5期56-58,共3页
介绍了PCVD低水峰光纤生产工艺和其材料组成、结构及性能,在生产普通单模光纤的基础上,通过优化PCVD工艺,成功抑制了普通单模光纤在1383nm由于羟基(OH)吸收造成的水峰损耗。光纤中功能梯度的芯层和光学包层、高纯均匀的机械包层和性能... 介绍了PCVD低水峰光纤生产工艺和其材料组成、结构及性能,在生产普通单模光纤的基础上,通过优化PCVD工艺,成功抑制了普通单模光纤在1383nm由于羟基(OH)吸收造成的水峰损耗。光纤中功能梯度的芯层和光学包层、高纯均匀的机械包层和性能优越的双层涂覆层,使PCVD低水峰光纤各项性能指标全面达到或优于最严格的ITU-TG.652.C/D和IEC60793-2-50B.1.3光纤标准要求。 展开更多
关键词 pcvd低水峰光纤 pcvd工艺 ITU-T G.652.C/D IEC 6079 3-2-50 B.1.3
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直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜 被引量：20
3
作者 金曾孙 姜志刚 +1 位作者 白亦真 吕宪义 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第2期9-12,共4页
建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃～ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制... 建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃～ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜 ,其厚膜直径为 4 0mm～ 5 0mm ,膜厚为～ 4 .2mm ,生长速率最高达到 2 5 μm/h左右 ,在 5 μm/h～ 10 μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜 ,热导率一般在 10W/K·cm～12W /K·cm。高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板 。 展开更多
关键词 直流热阴极 pcvd法 制备 金刚石厚膜
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微波PCVD法大尺寸透明自支撑金刚石膜的制备及红外透过率(英文) 被引量：14
4
作者 李博 韩柏 +3 位作者 吕宪义 李红东 汪剑波 金曾孙 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期245-249,共5页
采用微波PCVD方法制备出直径50mm膜厚300μm的大尺寸透明自支撑金刚石膜。在甲烷体积分数2%的条件下制备的透明自支撑金刚石膜经过两面抛光后在500cm-1~4000cm-1红外波段范围内红外透过率达到70%,但是其生长速率只有1μm/h^2μm/h。在... 采用微波PCVD方法制备出直径50mm膜厚300μm的大尺寸透明自支撑金刚石膜。在甲烷体积分数2%的条件下制备的透明自支撑金刚石膜经过两面抛光后在500cm-1~4000cm-1红外波段范围内红外透过率达到70%,但是其生长速率只有1μm/h^2μm/h。在体积分数4%甲烷浓度下制备的自支撑透明金刚石膜,其生长速率达到7μm/h^8μm/h,经过两面抛光之后膜厚为260μm的金刚石膜的在500cm-1~4000cm-1红外波段范围内红外透过率达到60%左右,而且膜中心和边缘区的红外透过率基本相同。这些结果为大尺寸金刚石厚膜在红外窗口上的实际应用奠定了基础。 展开更多
关键词 微波pcvd 透明自支撑金刚石膜 红外透过率
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金属有机物PCVD法沉积Ti(CN)涂层 被引量：3
5
作者 潘应君 陈淑花 +2 位作者 吴新杰 李平生 张细菊 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第F01期272-275,共4页
应用PCVD技术,以金属有机物TPT作钛源在H13模具钢表面沉积Ti(CN)涂层,研究了不同工艺参数对涂层组织和性能的影响,并对涂层的抗氧化性进行了实验。结果表明,采用适当的沉积温度、压力及氮气流量,可以在H13钢表面得到以Ti(CN)为主的致密... 应用PCVD技术,以金属有机物TPT作钛源在H13模具钢表面沉积Ti(CN)涂层,研究了不同工艺参数对涂层组织和性能的影响,并对涂层的抗氧化性进行了实验。结果表明,采用适当的沉积温度、压力及氮气流量,可以在H13钢表面得到以Ti(CN)为主的致密涂层,在沉积温度500℃时达到最高硬度HV1760,涂层在600℃以下具有良好的抗氧化性。 展开更多
关键词 金属有机物 pcvd Ti(CN)涂层 抗氧化性 模具钢 工艺参数
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热阴极DC-PCVD方法制备的金刚石厚膜的生长特性和内应力 被引量：13
6
作者 金曾孙 姜志刚 +1 位作者 胡航 曹庆忠 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期65-68,共4页
　采用热阴极DC PCVD(DirectCurrentPlasmaChemicalVaporDeposition)方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的生长特性和内应力状态。由热阴极DC PCVD方法制备的金刚石厚膜大多数为〈110〉取向,表面显露面主要是(100)面... 　采用热阴极DC PCVD(DirectCurrentPlasmaChemicalVaporDeposition)方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的生长特性和内应力状态。由热阴极DC PCVD方法制备的金刚石厚膜大多数为〈110〉取向,表面显露面主要是(100)面和(111)面,厚膜的表面被较多的孪晶所覆盖,部分(111)面退化为3个相互垂直的(110)面,孪晶使厚膜表面结晶特性复杂化,金刚石厚膜的晶粒沿生长方向呈现柱状生长。金刚石厚膜的生长速率随甲烷流量和工作气压的增加而增加,但随生长速率的提高金刚石膜的品质明显下降。金刚石厚膜的内应力以压应力为主,随着甲烷浓度的增加压应力增加,随着工作气压的增加压应力减小,到某个气压之后变为张应力。 展开更多
关键词 制备 热阴极 DC-pcvd 金刚石厚膜 生长特性 内应力
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甲醇在热阴极DC-PCVD方法制备金刚石膜过程中的作用 被引量：5
7
作者 姜志刚 金曾孙 +5 位作者 白亦真 曹培江 张露 杨广亮 李俊杰 吕宪义 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1648-1650,共3页
采用热阴极 DC-PCVD方法制备了金刚石膜 ,研究了甲醇对放电状态和金刚石膜生长特性的影响 .结果表明 ,通入适量的甲醇有利于稳定辉光放电状态 ,保持阴极清洁 ,提高膜的生长质量 .
关键词 热阴极DC-pcvd 甲醇 辉光放电 金刚石膜 生长特性 直流等离子体沉积
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PCVD法制作高硅硅钢片的研究 被引量：4
8
作者 王蕾 周树清 陈大凯 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2000年第6期46-47,共2页
用等离子体化学气相沉积方法 (PCVD) ,在 0 .1～ 0 .3mm厚的普通硅钢片表面涂硅 ,再进行短时间高温扩散 ,使硅钢平均含硅量达 6 .5 % ,磁性能超过或达到冷轧取向硅钢水平。
关键词 硅钢 pcvd 涂层 CVD 含硅量 试验研究
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CVD法与PCVD法TiN薄膜研究 被引量：17
9
作者 刘齐成 刘培英 +1 位作者 陶冶 刘利 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期22-25,共4页
用等离子体增强化学气相沉积 (PCVD)法和化学气相沉积 (CVD)法分别制备 Ti N系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能 ,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能。研究表明 :... 用等离子体增强化学气相沉积 (PCVD)法和化学气相沉积 (CVD)法分别制备 Ti N系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能 ,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能。研究表明 :PCVD法 Ti N系薄膜的微观组织形态明显优于同类的 CVD法薄膜 ,PCVD法薄膜晶粒尺寸细小、均匀 ,形态圆整 ,组织致密 ;CVD法薄膜晶粒形态为多边形 ,尺寸较粗大、不均匀 ,组织致密性差 ;PCVD法 Ti N系薄膜的韧性和结合力等力学性能可达到或优于同类 CVD法薄膜 ;虽然 PCVD法薄膜的氯含量 (约为 2 % )远高于 CVD法薄膜 (约为 0 .5 % ) ,但 PCVD法薄膜的耐蚀性能却明显优于 CVD法薄膜。还研究分析了 PCVD法和CVD法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理。 展开更多
关键词 CVD法 pcvd法 金属材料 氮化钛薄膜 表面防护
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WC-Co 硬质合金表面 MW-PCVD 制备金刚石薄膜去钴预处理的研究 被引量：7
10
作者 俞世吉 邬钦崇 +2 位作者 张志明 周永成 汪建华 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1998年第4期35-38,共4页
研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的... 研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比，微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢－氧等离子体处理方式具有独特的优越性。 展开更多
关键词 硬质合金 MW-pcvd 金刚石薄膜 去钴预处理
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PCVD合成超纯石英玻璃工艺研究（英文） 被引量：3
11
作者 宋学富 孙元成 +3 位作者 杜秀蓉 张晓强 花宁 李怀阳 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第S1期43-46,共4页
采用PCVD方法制备超纯石英玻璃工艺中,等离子体输出功率决定了炉膛内温度场。通过气体不同温度时的电导率计算等离子体功率和效率,使用不同电导率的工作气体,导致等离子体功率改变,炉膛内温度场发生变化。使用空气作为工作气体时电导率... 采用PCVD方法制备超纯石英玻璃工艺中,等离子体输出功率决定了炉膛内温度场。通过气体不同温度时的电导率计算等离子体功率和效率,使用不同电导率的工作气体,导致等离子体功率改变,炉膛内温度场发生变化。使用空气作为工作气体时电导率大,输出功率达到40 k W,炉膛温度高于使用氧气,为PCVD方法合成超纯石英玻璃提供了适宜的温度场。 展开更多
关键词 超纯石英玻璃 pcvd 电导率
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猪圆环病毒病(PCVDs)的临床症状及PCV2疫苗的防控效果 被引量：8
12
作者 任巧玲 马强 郭红霞 《江苏农业科学》 CSCD 北大核心 2012年第3期178-180,共3页
猪圆环病毒病目前已呈世界性分布,是公认的影响全球养猪业经济的重大疾病,也是困扰我国养猪业的三大疾病之一。主要阐述了猪圆环病毒(PCV)的特征、PCV2相关性疾病及其临床症状以及PCV2疫苗在母猪和仔猪圆环病毒病防治中的应用效果,为有... 猪圆环病毒病目前已呈世界性分布,是公认的影响全球养猪业经济的重大疾病,也是困扰我国养猪业的三大疾病之一。主要阐述了猪圆环病毒(PCV)的特征、PCV2相关性疾病及其临床症状以及PCV2疫苗在母猪和仔猪圆环病毒病防治中的应用效果,为有效控制猪圆环病毒病提供参考。 展开更多
关键词 猪圆环病毒病(pcvds) PCV2 疫苗
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PCVD在狭缝内壁沉积Ti-Si-N薄膜的研究 被引量：2
13
作者 马青松 马胜利 徐可为 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期293-295,298,共4页
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积 (PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti Si N薄膜。经微观物相分析发现 ,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加 ,薄膜中Ti元素逐渐减少 ,Si含量增加 ,薄膜的相组成始终为nc TiN/Si3 N4。利用球痕法测定了各... 用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积 (PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti Si N薄膜。经微观物相分析发现 ,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加 ,薄膜中Ti元素逐渐减少 ,Si含量增加 ,薄膜的相组成始终为nc TiN/Si3 N4。利用球痕法测定了各深度处薄膜的厚度 ,显微硬度仪测试了侧壁上深度不同位置处薄膜显微硬度。实验结果表明 ,随测试深度增加 ,薄膜厚度和显微硬度下降。 展开更多
关键词 薄膜厚度 狭缝 等离子体辅助化学 脉冲 沉积 物相分析 元素 pcvd 显微硬度仪 相组成
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MOPCVD制备Ti(CN)硬膜研究 被引量：9
14
作者 石玉龙 彭红瑞 李世直 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第1期60-62,共3页
采用金属有机物四异丙基钛 (Ti[OC3 H7]4 )为钛源 ,在辅助加热PCVD设备上进行沉积Ti(CN)涂层研究。并对涂层进行了显微硬度测量、扫描电镜观察和X射线衍射分析。结果表明 ,此法制备的Ti(CN)涂层其显微硬度可达 15 6 80N/mm2 。Ti(CN)涂... 采用金属有机物四异丙基钛 (Ti[OC3 H7]4 )为钛源 ,在辅助加热PCVD设备上进行沉积Ti(CN)涂层研究。并对涂层进行了显微硬度测量、扫描电镜观察和X射线衍射分析。结果表明 ,此法制备的Ti(CN)涂层其显微硬度可达 15 6 80N/mm2 。Ti(CN)涂层仍为柱状晶结构 ,Ti(CN)晶体的d(2 0 0 )值随着炉温和氢、氮比的变化而变化。切削实验证明 ,6mm高速钢钻头经MOPCVD Ti(CN)涂镀后提高使用寿命 7 3倍 ;经MOPCVD Ti(CN)涂镀的6 5mm×2 2mm× 5mm直齿三面刃铣刀使用寿命是非涂镀的 8倍。 展开更多
关键词 pcvd技术 硬膜技术 四异丙基钛 碳氮化钛
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PCVD法制6.5%Si电工钢的研究 被引量：2
15
作者 吴润 张细菊 +1 位作者 吴新杰 陈大凯 《表面技术》 EI CAS CSCD 1997年第4期14-15,共2页
研究了PCVD法在电工钢上沉积Si的规律及其电磁性能,探讨了处理温度对表层中Si含量影响。DW620—50电工钢经PCVD处理后磁性能得以改善,高温扩散后其铁损降低了45.2％,磁饱和强度提高了4.5％。
关键词 pcvd法 电工钢 高温扩散 沉积 硅
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PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究 被引量：1
16
作者 谭寿洪 陆忠乾 +2 位作者 黄玉珍 沈月华 钟伯强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期73-77,共5页
利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉... 利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显． 展开更多
关键词 氮化硅 表面改性 pcvd法 碳化硅陶瓷
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PCVD-Ti(CNO)薄膜的制备及性能的研究 被引量：1
17
作者 彭红瑞 石玉龙 +2 位作者 谢雁 李世直 赵程 《表面技术》 EI CAS CSCD 1998年第5期11-13,共3页
研究了Ti(CN)薄膜内氧的作用.研究结果表明,Ti(CN)薄膜内加入氧后可以消除薄膜的柱状晶结构,薄膜的断口呈致密的纤维状组织.随着反应气体中空气或CO_2气体流量的增加,Ti(CNO)薄膜的硬度呈上升趋势,并在空气的流量为40ml/min或CO_2的流量... 研究了Ti(CN)薄膜内氧的作用.研究结果表明,Ti(CN)薄膜内加入氧后可以消除薄膜的柱状晶结构,薄膜的断口呈致密的纤维状组织.随着反应气体中空气或CO_2气体流量的增加,Ti(CNO)薄膜的硬度呈上升趋势,并在空气的流量为40ml/min或CO_2的流量为15ml/min时(分别约占总量的15%和6%)、薄膜的硬度达到最大值. 展开更多
关键词 pcvd 薄膜 等离子体沉积 钛 金属 涂层
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W18Cr4VCo5钢表面PCVD复合陶瓷涂层的摩擦学研究 被引量：1
18
作者 王雷刚 黄瑶 +1 位作者 刘全坤 刘明霞 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期46-48,共3页
用等离子体化学气相沉积(PCVD)技术对挤压模具钢表面进行复合陶瓷强化处理,用环 块摩擦磨损试验模拟金属挤压的磨损过程,研究了复合陶瓷表面强化涂层的摩擦磨损特性。用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析了表面涂... 用等离子体化学气相沉积(PCVD)技术对挤压模具钢表面进行复合陶瓷强化处理,用环 块摩擦磨损试验模拟金属挤压的磨损过程,研究了复合陶瓷表面强化涂层的摩擦磨损特性。用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析了表面涂层的元素分布、相结构和磨痕形貌。结果表明,W18Cr4VCo5钢表面PCVD陶瓷涂层具有显著减摩抗磨能力。 展开更多
关键词 W18Cr4VCo5钢 pcvd陶瓷涂层 抗磨减摩
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基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响 被引量：2
19
作者 张湘辉 汪灵 龙剑平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1554-1560,共7页
如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜... 如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜制备研究,并采用SEM,激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌品质进行了分析。研究结果表明:基底温控方式的不同会明显影响CVD金刚石膜的晶体、生长特征及品质,尤其造成了薄膜生长中二次形核密度以及非金刚石成分的显著变化;在保证系统稳定运行的前提下,当其它沉积参数恒定时,受控下的基底温度控制精度及控制品质的实时变化是影响CVD金刚石膜生长性能的主要因素,其中控制精度介于±5℃～±15℃间变化,而控制品质受控制方式的影响较大;相对于控制精度而言,控制品质的变化对常规金刚石薄膜生长性能的影响更为明显。对于此系统,只有采用开-闭环复合控制,且开环流量维持在其单独工作流量的20%时,才能保证基底温度控制精度、控制品质及所制备的CVD金刚石薄膜的质量最佳。 展开更多
关键词 直流弧光放电pcvd法 金刚石薄膜 基底温度 开环、闭环及开闭环复合控制方式
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PCVD方法合成A1N基金刚石薄膜热沉 被引量：1
20
作者 姚东升 温晓辉 +1 位作者 詹如娟 朱晓东 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第2期135-137,共3页
利用PCVD方法，对在AlN基板上合成金刚石薄膜进行实验研究，并就提高金刚石薄膜热导率及增强其与基底的粘附力等问题进行分析和讨论。
关键词 金刚石薄膜 热导率 粘附力 ALN pcvd
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