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P型CuAlO_2半导体陶瓷的烧结研究
被引量：
3
1
作者
赵大庆
姚为
《粉末冶金技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期333-336,共4页
性能良好的陶瓷靶材是溅射法制备薄膜的先决条件。本文以纳米级Al2 O3 粉体和微米级Cu2 O粉体为原料通过烧结的方法制备了P型透明导电氧化物陶瓷CuAlO2 。以X射线衍射和SEM分析的方法研究了烧结温度对反应进行的影响 ,并在合适的温度...
性能良好的陶瓷靶材是溅射法制备薄膜的先决条件。本文以纳米级Al2 O3 粉体和微米级Cu2 O粉体为原料通过烧结的方法制备了P型透明导电氧化物陶瓷CuAlO2 。以X射线衍射和SEM分析的方法研究了烧结温度对反应进行的影响 ,并在合适的温度区间里得到了具有较好P型半导体性能的陶瓷 ,其迁移率达到 2 7cm2 ·V-1·s-1。以它作为靶材通过真空溅射得到了迁移率为 2 1cm2
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关键词
微米级
制备
透明
纳米级
粉体
靶材
CU
2
O
迁移率
半导体陶瓷
半导体性能
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下载PDF
职称材料
题名
P型CuAlO_2半导体陶瓷的烧结研究
被引量：
3
1
作者
赵大庆
姚为
机构
清华大学机械工程系
出处
《粉末冶金技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期333-336,共4页
文摘
性能良好的陶瓷靶材是溅射法制备薄膜的先决条件。本文以纳米级Al2 O3 粉体和微米级Cu2 O粉体为原料通过烧结的方法制备了P型透明导电氧化物陶瓷CuAlO2 。以X射线衍射和SEM分析的方法研究了烧结温度对反应进行的影响 ,并在合适的温度区间里得到了具有较好P型半导体性能的陶瓷 ,其迁移率达到 2 7cm2 ·V-1·s-1。以它作为靶材通过真空溅射得到了迁移率为 2 1cm2
关键词
微米级
制备
透明
纳米级
粉体
靶材
CU
2
O
迁移率
半导体陶瓷
半导体性能
Keywords
p
-ty
p
e semiconductor
transparent
conducting oxide
sintering
CuAlO
2
分类号
TF046 [冶金工程—冶金物理化学]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
P型CuAlO_2半导体陶瓷的烧结研究
赵大庆
姚为
《粉末冶金技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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