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p型单晶硅上电镀纳米Ni-W-P合金电极及其光照析氢研究被引量：4: 1; 作者张卫国姚素薇 +1 位作者赵转清龚正烈《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第10期790-793,共4页; 通过电化学方法在半导体 p型硅上沉积 Ni-W-P合金 ,制备出具有高催化析氢活性的纳米金属 /半导体电极 .考察了电沉积工艺条件对电极催化析氢性能的影响 ,用扫描电镜 (SEM)观察了电极的表面形貌 .结果表明 ,随着镀液 p H值增加、温度升高... 展开更多; 关键词半导体纳米晶Ni-W-p合金催化析氢 p型单晶硅催化活性电镀水光解催化剂氢气镍钨磷合金电极; 在线阅读下载PDF 职称材料

P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究被引量：3: 2; 作者宋晓岚张晓伟 +2 位作者徐大余喻振兴邱冠周《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期126-131,共6页; 采用电化学极化测量技术研究了p（100）和p（111）硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为，考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响。结果表明：在室温下当KOH浓度为5～6mol／L时硅片腐蚀速率最大；随着KOH腐蚀液温度增... 展开更多; 关键词 p型单晶硅片腐蚀行为极化曲线缝隙腐蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响被引量：3: 3; 作者赵洋王泽来 +4 位作者张鹏陆晓东吴元庆张宇峰周涛《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期930-936,共7页; 少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段。基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合... 展开更多; 关键词 p型单晶硅少子寿命电子陷阱复合中心杂质和缺陷密度俘获截面; 在线阅读下载PDF 职称材料

Pd在p型单晶硅(100)表面自催化化学沉积(英文): 4; 作者陈扬景粉宁 +1 位作者叶为春王春明《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1743-1746,共4页; 研究了Pd在氢终止的p型单晶硅(100)表面的自催化化学沉积(AED).在室温下将刻蚀过的硅片浸入常规的HF-PdCl_2-HCl溶液制备了Pd膜.将沉积了Pd的基底作为工作电极,用循环伏安法(CV)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了Pd膜的... 展开更多; 关键词自催化化学沉积阳极溶出 pD 原子力显微镜 p型单晶硅(100); 在线阅读下载PDF 职称材料

Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究: 5; 作者朱宝李连杰 +1 位作者丁士进张卫《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期693-697,共5页; 首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列。接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性。结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品... 展开更多; 关键词重掺杂p型单晶硅 pt纳米颗粒快速热退火辅助化学刻蚀氢氟酸浓度; 在线阅读下载PDF 职称材料

单晶硅电火花成形加工试验研究与工艺参数优化被引量：6: 6; 作者辛彬李淑娟李玉玺《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1854-1861,共8页; 针对电火花加工过程中材料去除率、表面粗糙度和电极损耗这3个工艺目标不能同时兼顾的问题,以P型单晶硅为试验加工对象,采用中心组合设计试验考察峰值电流、脉冲宽度、脉冲间隔对单晶硅电火花成形加工过程中材料去除率、表面粗糙度以及... 展开更多; 关键词机械制造工艺与设备电火花成形加工 p型单晶硅材料去除率表面粗糙度电极损耗遗传算法; 在线阅读下载PDF 职称材料

ITO/TiW双层薄膜的制备及其与p-Si接触性能的研究: 7; 作者吴斯泰沈鸿烈 +2 位作者姚函妤李玉芳沈小亮《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1187-1192,共6页; 利用射频磁控溅射两步法分别在玻璃和p型单晶Si衬底上制备ITO/Ti W双层薄膜。采用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪和X射线衍射仪表征ITO/Ti W双层薄膜的光学性能、电学性能和结晶性能,用吉时利2400表和线性传输线模型测试ITO/Ti W双... 展开更多; 关键词 ITO/TiW双层薄膜欧姆接触 p型单晶硅磁控溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名p型单晶硅上电镀纳米Ni-W-P合金电极及其光照析氢研究被引量：4: 1; 作者张卫国姚素薇赵转清龚正烈; 机构天津大学化工学院应用化学系天津理工学院; 出处《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第10期790-793,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 698780 2 1); 文摘通过电化学方法在半导体 p型硅上沉积 Ni-W-P合金 ,制备出具有高催化析氢活性的纳米金属 /半导体电极 .考察了电沉积工艺条件对电极催化析氢性能的影响 ,用扫描电镜 (SEM)观察了电极的表面形貌 .结果表明 ,随着镀液 p H值增加、温度升高 ,Ni-W-P合金镀层结构由晶态向非晶态转变 .在 5 0℃ ,p H=6,电流密度为 1 5 A/dm2 时 ,获得了纳米晶 Ni-W-P合金。; 关键词半导体纳米晶Ni-W-p合金催化析氢 p型单晶硅催化活性电镀水光解催化剂氢气镍钨磷合金电极; Keywords semiconductor,nanocrystal Ni W p alloy,hydrogen evolution,catalytic activity; 分类号 TQ116.21 [化学工程—无机化工] O646.5 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究被引量：3: 2; 作者宋晓岚张晓伟徐大余喻振兴邱冠周; 机构中南大学资源加工与生物工程学院; 出处《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期126-131,共6页; 基金科技部国际科技合作项目资助(2005DFBA028) 教育部大学生创新性实验计划项目资助(LA07023); 文摘采用电化学极化测量技术研究了p（100）和p（111）硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为，考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响。结果表明：在室温下当KOH浓度为5～6mol／L时硅片腐蚀速率最大；随着KOH腐蚀液温度增加，腐蚀速率增大，在50℃左右腐蚀速率增加显著；硅片表面缝隙会加剧硅的局部腐蚀，在同等实验条件下缝隙腐蚀速率比均匀腐蚀快一个数量级。; 关键词 p型单晶硅片腐蚀行为极化曲线缝隙腐蚀; Keywords p-type silicon wafer corrosion behavior polarization curve crevice corrosion; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响被引量：3: 3; 作者赵洋王泽来张鹏陆晓东吴元庆张宇峰周涛; 机构渤海大学新能源学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期930-936,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(11304020) 辽宁省教育厅一般项目资助项目(L2012401); 文摘少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段。基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律。研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域。; 关键词 p型单晶硅少子寿命电子陷阱复合中心杂质和缺陷密度俘获截面; Keywords p type monocrystalline silicon minority carrier lifetime electron trap recombination center impurity and defect density capture cross section; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pd在p型单晶硅(100)表面自催化化学沉积(英文): 4; 作者陈扬景粉宁叶为春王春明; 机构兰州大学化学化工学院; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1743-1746,共4页; 基金教育部博士基金(20030730014)资助项目; 文摘研究了Pd在氢终止的p型单晶硅(100)表面的自催化化学沉积(AED).在室温下将刻蚀过的硅片浸入常规的HF-PdCl_2-HCl溶液制备了Pd膜.将沉积了Pd的基底作为工作电极,用循环伏安法(CV)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了Pd膜的阳极溶出行为和形貌.结果表明,Pd的生长遵循Volmer-Weber (VW)生长模式,Pd膜给出了很好的支持.; 关键词自催化化学沉积阳极溶出 pD 原子力显微镜 p型单晶硅(100); Keywords Autocatalytic electroless deposition Anodic stripping palladium Atomic force microscopy p-Silicon （100）; 分类号 O643.3 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究: 5; 作者朱宝李连杰丁士进张卫; 机构复旦大学微电子研究院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期693-697,共5页; 基金国家自然科学基金(61076076); 文摘首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列。接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性。结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品表面分布着许多Pt岛链,在硅衬底表面没有观察到任何孔洞;当氢氟酸的浓度上升到5.3 mol/L时,样品表面起伏不平,出现许多大小不一的小丘,岛链状Pt减少;当氢氟酸的浓度增加到26.5 mol/L时,样品表面出现大量的孔洞,Pt岛链进一步减少。通过对样品的剖面结构进行观察,发现硅衬底中形成了致密的介孔,同时还观察到底部含有Pt岛状物的不规则沟槽,并且介孔的生长速率快于沟槽。最后,对上述实验现象的形成机制进行了讨论。; 关键词重掺杂p型单晶硅 pt纳米颗粒快速热退火辅助化学刻蚀氢氟酸浓度; Keywords heavily doped p-type monocrystalline silicon pt nanoparticle rapid thermal annealing assisted chemical etching HF concentration; 分类号 TN405.983 [电子电信—微电子学与固体电子学] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单晶硅电火花成形加工试验研究与工艺参数优化被引量：6: 6; 作者辛彬李淑娟李玉玺; 机构西安理工大学机械与精密仪器工程学院西安现代控制技术研究所; 出处《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1854-1861,共8页; 基金国家自然科学基金项目(51575442) 陕西省自然科学基金项目(2016JZ011) 陕西省教育厅基金项目(2014SZS10-Z01); 文摘针对电火花加工过程中材料去除率、表面粗糙度和电极损耗这3个工艺目标不能同时兼顾的问题,以P型单晶硅为试验加工对象,采用中心组合设计试验考察峰值电流、脉冲宽度、脉冲间隔对单晶硅电火花成形加工过程中材料去除率、表面粗糙度以及电极损耗的影响,引入响应曲面法建立材料去除率、表面粗糙度和电极损耗的2阶关系模型,方差分析结果表明响应模型具有很好的拟合程度和适应性。进一步分析实际加工条件对工艺参数的约束,以提高材料去除率,降低表面粗糙度和电极损耗为目标建立工艺参数优化模型,设计基于带精英策略的非支配排序遗传算法对优化问题进行求解。在最优解条件下材料去除率的验证结果与理论最优值的平均相对误差为4.9%,表面粗糙度的验证结果与理论最优值的平均相对误差为5.2%,电极损耗的验证结果与理论最优值的平均相对误差为5.7%.验证试验表明,该算法能实现硅材料放电成形加工过程的工艺参数优化。; 关键词机械制造工艺与设备电火花成形加工 p型单晶硅材料去除率表面粗糙度电极损耗遗传算法; Keywords manufacturing technology and equipment electrical discharge machining p-type monocrystalline silicon material removal rate surface roughness electrode loss genetic algorithm; 分类号 TG661 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ITO/TiW双层薄膜的制备及其与p-Si接触性能的研究: 7; 作者吴斯泰沈鸿烈姚函妤李玉芳沈小亮; 机构南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室江苏省光伏科学与工程协同创新中心常州大学; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1187-1192,共6页; 基金国家自然科学基金项目(61176062) 江苏省前瞻性联合创新项目(BY2013003-08) +1 种基金中央高校基本科研业务费(3082015NJ20150024); 文摘利用射频磁控溅射两步法分别在玻璃和p型单晶Si衬底上制备ITO/Ti W双层薄膜。采用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪和X射线衍射仪表征ITO/Ti W双层薄膜的光学性能、电学性能和结晶性能,用吉时利2400表和线性传输线模型测试ITO/Ti W双层薄膜与p-Si接触的I-V曲线以及比接触电阻。结果表明Ti W薄膜厚度为8 nm时,ITO/Ti W双层薄膜的光电性能最优,还发现Ti W薄膜的引入有利于ITO薄膜的晶粒长大。ITO薄膜与p-Si之间插入Ti W层可以改善接触性能,ITO/Ti W(8 nm)与p-Si接触的比接触电阻最低为4.1×10-4Ω·cm2。; 关键词 ITO/TiW双层薄膜欧姆接触 p型单晶硅磁控溅射; Keywords ITO/TiW double-layer film, Ohmic contact, p-type silicon, Magnetron sputtering; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	p型单晶硅上电镀纳米Ni-W-P合金电极及其光照析氢研究	张卫国姚素薇赵转清龚正烈	《应用化学》 CAS CSCD 北大核心	2001	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究	宋晓岚张晓伟徐大余喻振兴邱冠周	《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响	赵洋王泽来张鹏陆晓东吴元庆张宇峰周涛	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Pd在p型单晶硅(100)表面自催化化学沉积(英文)	陈扬景粉宁叶为春王春明	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究	朱宝李连杰丁士进张卫	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	单晶硅电火花成形加工试验研究与工艺参数优化	辛彬李淑娟李玉玺	《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	6	在线阅读下载PDF 职称材料
7	ITO/TiW双层薄膜的制备及其与p-Si接触性能的研究	吴斯泰沈鸿烈姚函妤李玉芳沈小亮	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料