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退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响
被引量：
2
1
作者
赵鸿燕
司俊杰
+4 位作者
鲁正雄
成彩晶
丁嘉欣
张亮
陈慧娟
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第12期1283-1286,共4页
研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响。研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaNP-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1A/cm2降...
研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响。研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaNP-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1A/cm2降为5.7×10-5A/cm2,串阻由18.01kΩ减小到1.071kΩ,从而优化了AlGaN P-I-N二极管的I-V特性。分析认为这与退火改善接触电极特性,同时消除器件制备工艺中引入的损伤、降低缺陷态密度有关。
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关键词
ALGA
n
p—i—n二极管
退火
欧姆接触
工艺损伤
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职称材料
绝缘体上硅微环谐振腔电光调制器的分析与最优设计
被引量：
7
2
作者
韦丽萍
王永华
+4 位作者
臧俊斌
崔丹凤
李艳娜
刘耀英
薛晨阳
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期1473-1477,共5页
针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的...
针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的理论模型.在此基础上,利用Rsoft仿真软件对脊型波导截面光场分布进行了仿真分析,得到了光场局域性能较优的脊型纳米波导微环谐振腔设计;结合Sentaurus TCAD仿真软件对不同掺杂浓度下的P-I-N型二极管性能进行了仿真计算,理论得出了Q值仅为5×103时频移量达58.74GHz的微环谐振腔最优电光调制器结构,为电光调制器的深入研究提供了理论参考.
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关键词
等离子体色散效应
微环谐振腔
电光调制器
脊型波导
p—i—
n
型
二极管
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职称材料
题名
退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响
被引量：
2
1
作者
赵鸿燕
司俊杰
鲁正雄
成彩晶
丁嘉欣
张亮
陈慧娟
机构
中国空空导弹研究院
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第12期1283-1286,共4页
文摘
研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响。研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaNP-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1A/cm2降为5.7×10-5A/cm2,串阻由18.01kΩ减小到1.071kΩ,从而优化了AlGaN P-I-N二极管的I-V特性。分析认为这与退火改善接触电极特性,同时消除器件制备工艺中引入的损伤、降低缺陷态密度有关。
关键词
ALGA
n
p—i—n二极管
退火
欧姆接触
工艺损伤
Keywords
AlGa
n
p
-I-
n
p
hotodiodes
a
n
n
eali
n
g
ohmic co
n
tact
damage
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
绝缘体上硅微环谐振腔电光调制器的分析与最优设计
被引量：
7
2
作者
韦丽萍
王永华
臧俊斌
崔丹凤
李艳娜
刘耀英
薛晨阳
机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
中北大学朔州校区
中北大学电子测试技术国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期1473-1477,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61076111)资助
文摘
针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的理论模型.在此基础上,利用Rsoft仿真软件对脊型波导截面光场分布进行了仿真分析,得到了光场局域性能较优的脊型纳米波导微环谐振腔设计;结合Sentaurus TCAD仿真软件对不同掺杂浓度下的P-I-N型二极管性能进行了仿真计算,理论得出了Q值仅为5×103时频移量达58.74GHz的微环谐振腔最优电光调制器结构,为电光调制器的深入研究提供了理论参考.
关键词
等离子体色散效应
微环谐振腔
电光调制器
脊型波导
p—i—
n
型
二极管
Keywords
p
lasma dis
p
ersio
n
effect
Micro-ri
n
g reso
n
ator
Electro-o
p
tic modulator
Rib waveguide
p
I-
n
ty
p
e diode
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
TN256 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响
赵鸿燕
司俊杰
鲁正雄
成彩晶
丁嘉欣
张亮
陈慧娟
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
绝缘体上硅微环谐振腔电光调制器的分析与最优设计
韦丽萍
王永华
臧俊斌
崔丹凤
李艳娜
刘耀英
薛晨阳
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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