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PDA@BCZT/P(VDF-TrFE)压电薄膜的制备及改性
1
作者 李涓 许超群 《浙江工业大学学报》 北大核心 2025年第2期219-228,共10页
偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))由于具有低密度、柔性、低阻抗以及生物相容性好等优点,在生物医学、电子器件、能源存储等领域具有广泛应用前景。然而相较于陶瓷压电材料,P(VDF-TrFE)薄膜的极化值小,压电常数也较低。为提高P(... 偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))由于具有低密度、柔性、低阻抗以及生物相容性好等优点,在生物医学、电子器件、能源存储等领域具有广泛应用前景。然而相较于陶瓷压电材料,P(VDF-TrFE)薄膜的极化值小,压电常数也较低。为提高P(VDF-TrFE)的压电性能,需要采用有效途径来提高压电相β相的质量分数以及薄膜结晶度。采用高温固相法在1350℃下烧结获得处于MPB结构的0.4 Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O 30.6(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_(3)(BCZT)陶瓷颗粒,用盐酸多巴胺(PDA)对BCZT进行表面处理后以其为填料与P(VDF-TrFE)共混形成复合薄膜。实验结果表明,经表面处理的PDA@BCZT与P(VDF-TrFE)基质的界面相容性得到了明显改善,复合薄膜的结晶度和压电性能大幅提高。当加入质量分数(湿重)为5%的PDA@BCZT时,复合薄膜的结晶度由未添加时的47.60%提高到59.49%,压电系数(d_(33))由10.2 pC/N提高到19.9 pC/N。将添加质量分数(湿重)为5%的PDA@BCZT复合薄膜制成压电器件,用约5 N的力敲击薄膜器件可以产生20 V左右的电压并成功点亮发光二极管。 展开更多
关键词 pDA@BCZT/p(vdf-trfe) 表面处理 结晶度 压电常数
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基于P3HT的有机薄膜晶体管环境稳定性提升
2
作者 李强 丁莉峰 +4 位作者 李磊磊 李禹文 李鑫旺 马佳楠 桑胜波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期23-31,共9页
电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定... 电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定性隔绝空气中的氧分子和水分子;利用聚(3-己基噻)(P3HT)共混聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有源层获得高抗氧化性和抗水解能力。测试结果表明,经过60d后器件载流子迁移率仅降低到原始值的87.91%,电流开关比降低到原来的81.90%,说明本文提出的环境稳定性提升方法优于其他方法。 展开更多
关键词 聚(3-己基噻吩)(p3HT) 有机薄膜晶体管(OTFT) 稳定性提升 表面钝化 有源层共混
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英寸级(C_(24)H_(20)P)_(2)MnBr_(4)单晶薄膜生长及高分辨率X射线成像
3
作者 杨帆 张思媛 +3 位作者 董武佩 王希正 周铭 居佃兴 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第7期1289-1296,共8页
有机金属卤化物在X射线成像领域展现出巨大的应用潜力。然而,多晶薄膜闪烁体屏幕的均匀性差、透射率低和光散射等问题严重降低了X射线成像分辨率。本文使用空间限域法生长制备了英寸级(C_(24)H_(20)P)_(2)MnBr_(4)单晶薄膜,并对其进行... 有机金属卤化物在X射线成像领域展现出巨大的应用潜力。然而,多晶薄膜闪烁体屏幕的均匀性差、透射率低和光散射等问题严重降低了X射线成像分辨率。本文使用空间限域法生长制备了英寸级(C_(24)H_(20)P)_(2)MnBr_(4)单晶薄膜,并对其进行了物相、光学和闪烁性能的研究。该晶体表现出90%的光致发光量子产率(PLQY)及优异的光稳定性,在365 nm紫外光下连续照射24 h,其光谱仍保持稳定。基于该晶体优异的光学性质,在X射线下产生83 000 photons/MeV(估算值)的高光产额,是商用LYSO闪烁体的2.5倍。此外,该晶体展现出优异的耐辐射稳定性,即使在504 mGy·s^(-1)的高剂量率下暴露60 min后仍保持其性能的稳定性。基于上述优势,将(C_(24)H_(20)P)_(2)MnBr_(4)单晶薄膜应用于X射线成像,实现了约23 lp/mm的空间分辨率,在该领域展现出巨大的应用潜力。 展开更多
关键词 (C_(24)H_(20)p)_(2)MnBr_(4) 有机金属卤化物 空间限域 单晶薄膜 闪烁性能 X射线成像
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一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器及其在睡眠监测中的应用 被引量：1
4
作者 骆懿 王东祥 +2 位作者 赵治栋 王金鹏 吴颖 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期345-352,共8页
针对日常睡眠监测的需求,提出一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/锆钛酸铅(PZT)压电传感器并对其性能进行了研究。首先,介绍了P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器的制作及封装流程。其次对其灵敏度,频率响应特性,瞬时响应和稳定性等进... 针对日常睡眠监测的需求,提出一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/锆钛酸铅(PZT)压电传感器并对其性能进行了研究。首先,介绍了P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器的制作及封装流程。其次对其灵敏度,频率响应特性,瞬时响应和稳定性等进行了测试。结果表明,该传感器不仅具有良好的微观外貌形态,且相比于纯P(VDF-TrFE)压电传感器0.73 V/N的灵敏度,制备的含30%PZT的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器灵敏度是纯P(VDF-TrFE)压电传感器的2.5倍,达到了1.78 V/N。此外在低频下能够保持稳定压电输出且具备2 ms较快的响应时间。最后采用自制的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器测量人体心冲击信号,并通过支持向量机(SVM)训练睡眠分期模型实现了对睡眠质量的监测,四分类模型平均准确率达到72.5%,为可穿戴睡眠监测传感器的选择提供了参考。 展开更多
关键词 压电传感器 p(vdf-trfe) 高压静电纺丝 pZT 睡眠监测
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LB法制备的P(VDF-TrFE)共聚物薄膜其光学和电学特性研究(英文) 被引量：1
5
作者 王建禄 孟祥建 +4 位作者 高艳卿 黄志明 沈宏 孙璟兰 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期406-409,456,共5页
运用郎缪尔-布尔吉特法在聚酰亚胺衬底上制备聚偏氟乙烯及三氟乙烯（P（VDF-TrFE））共聚物薄膜.不同厚度薄膜的X射线衍射结果表明,薄膜具有良好的结晶特性,取向为（110）.运用波长范围为300-1300nm的椭圆偏振光谱仪对薄膜光学特性进行... 运用郎缪尔-布尔吉特法在聚酰亚胺衬底上制备聚偏氟乙烯及三氟乙烯（P（VDF-TrFE））共聚物薄膜.不同厚度薄膜的X射线衍射结果表明,薄膜具有良好的结晶特性,取向为（110）.运用波长范围为300-1300nm的椭圆偏振光谱仪对薄膜光学特性进行了表征;运用Cauchy模型对不同角度（θ=75°和85°）测得的Ψ和Δ数据进行了拟合.获得了P（VDF-TrFE）薄膜的光学参数n,k,α以及薄膜的厚度.另外对薄膜的铁电性质的测量,其剩余极化达到了6.3μC/cm^2,矫顽电场为100MV/cm.介电测量得到了薄膜两个明显的相变,铁电-介电相变以及β弛豫. 展开更多
关键词 LB技术 p(vdf-trfe)薄膜 椭圆偏振光谱 电学特性
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基于静电纺丝法制备P(VDF-TRFE)/石墨烯(GR)薄膜的柔性复合压电纳米发电机 被引量：5
6
作者 骆懿 廖家明 +1 位作者 于洋 吴颖 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期200-206,共7页
提出了一种利用静电纺丝工艺制备P(VDF-TRFE)/石墨烯(Graphene,以下简称GR)复合纳米纤维薄膜的方法并对其压电性能进行了研究。首先,以复合薄膜为功能层设计并制备了柔性压电纳米发电机。使用扫描电镜(SEM)表征了复合纤维薄膜表面的微... 提出了一种利用静电纺丝工艺制备P(VDF-TRFE)/石墨烯(Graphene,以下简称GR)复合纳米纤维薄膜的方法并对其压电性能进行了研究。首先,以复合薄膜为功能层设计并制备了柔性压电纳米发电机。使用扫描电镜(SEM)表征了复合纤维薄膜表面的微观形貌。其次,对各纳米发电机样品进行了压电响应对比实验,含0.2%石墨烯的P(VDF-TRFE)/GR纳米发电机的开路输出电压、短路输出电流峰值分别为12.3 V、1.41 μA,比纯P(VDF-TRFE)样品分别增加了大约2.0倍、2.2倍。此外,通过理论分析和周期激振测试探究了纳米发电机电响应输出的影响因素和规律,证实在激振器驱动信号150 mV^300 mV振幅、10 Hz^30 Hz频率的范围内,其开路输出电压随着其振幅和振动频率增大而增大,电容充电效率随其振幅增大而增大。 展开更多
关键词 振动能量收集 p(vdf-trfe) 静电纺丝 石墨烯 纳米发电机
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基于静电纺P(VDF-TrFE)/BaTiO_(3)压电复合薄膜的制备及其性能
7
作者 骆懿 孙玥 +2 位作者 赵治栋 王金鹏 吴颖 《高校化学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期971-979,共9页
为了探究压电纳米发电机在给电子设备供电领域的应用潜力,提出一种在湿度变化的条件下通过静电纺丝法制备聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)(P(VDF-TrFE))/钛酸钡(BaTiO_(3))复合纳米压电薄膜的方法。利用扫描电镜、X射线衍射仪对压电薄膜进行表征... 为了探究压电纳米发电机在给电子设备供电领域的应用潜力,提出一种在湿度变化的条件下通过静电纺丝法制备聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)(P(VDF-TrFE))/钛酸钡(BaTiO_(3))复合纳米压电薄膜的方法。利用扫描电镜、X射线衍射仪对压电薄膜进行表征,并以薄膜为基材制备纳米发电机,利用激振设备对其压电性能进行评估。激振实验表明,当纺丝环境相对湿度为65%时,由P(VDF-TrFE)质量分数为10%、BaTiO_(3)质量分数为1%的纺丝液制备的复合薄膜纳米发电机的压电响应输出最高,相较纯P(VDF-TrFE)提高了约2.0倍。实验表明,该纳米发电机可从日常运动中收集能量并为单片机供电,因此其在给低功耗电子设备供电领域具有较大的应用潜力。 展开更多
关键词 静电纺丝 p(vdf-trfe) 纳米发电机 压电性能
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P(VDF-TrFE)纳米纤维薄膜的柔性压力传感器 被引量：8
8
作者 任广义 蔡凡一 +1 位作者 郑建明 徐春叶 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期109-113,共5页
采用静电纺丝方法制备了不同含量的偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))纳米纤维薄膜。通过P(VDF-TrFE)纳米纤维薄膜和柔性电极的结合,设计制作了一种针对医疗和服饰等领域应用的新型柔性压力传感器。利用扫描电镜和X射线衍射分析... 采用静电纺丝方法制备了不同含量的偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))纳米纤维薄膜。通过P(VDF-TrFE)纳米纤维薄膜和柔性电极的结合,设计制作了一种针对医疗和服饰等领域应用的新型柔性压力传感器。利用扫描电镜和X射线衍射分析的方法分别对P(VDF-TrFE)纳米纤维的形貌和晶体结构进行了表征,并通过自制的测试系统获得了柔性压力传感器的灵敏度。结果表明:静电纺丝得到的纳米纤维具有较高的结晶度和β相结晶含量,其中P(VDF-TrFE)(n(VDF)/n(TrFE)=77/23)纳米纤维的β相结晶含量达到了51.3%,同时这种纳米纤维薄膜具有柔软、透气和生物相容性好等优点;基于电纺纳米纤维的柔性压力传感器具有良好的响应性能。P(VDF-TrFE)(n(VDF)/n(TrFE)=77/23)压力传感器具有最高为60.5mV/N的灵敏度,接近于其塑性薄膜传感器,但塑性薄膜传感器的柔软性和透气性较差。 展开更多
关键词 p(vdf-trfe) 纳米纤维 压电材料 柔性压力传感器
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电子辐照及再结晶P(VDF-TrFE)共聚薄膜红外光谱研究 被引量：1
9
作者 姜丽敏 李伟平 诸跃进 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第8期999-1003,共5页
利用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)研究聚偏氟乙烯与聚三氟乙烯共聚薄膜[P(VDF0.80-TrFE0.20)]的电子辐照和再结晶处理过程中分子链构型变化和化学变化,为深入探讨辐照的改性机理提供依据.研究发现,辐照后薄膜分子链全反构型百分含量随吸... 利用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)研究聚偏氟乙烯与聚三氟乙烯共聚薄膜[P(VDF0.80-TrFE0.20)]的电子辐照和再结晶处理过程中分子链构型变化和化学变化,为深入探讨辐照的改性机理提供依据.研究发现,辐照后薄膜分子链全反构型百分含量随吸收剂量增大而迅速减少,TG构型和T3G构型百分含量显著增多.而当吸收达一定剂量时,三种构型相对含量基本不再变化,表明高剂量辐照时样品极性回升不依赖分子链构型中全反型的含量的增多,而是和高交联度的边界效应有关.再结晶过程中分子链构型变化恰好和辐照效应产生的变化相反,并且形成了更加稳定的C"C共轭结构. 展开更多
关键词 p(vdf-trfe) 傅立叶变换红外光谱 电子辐照 再结晶
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ITO平面微电极上P(VDF-TrFE)薄膜的制备及性能表征
10
作者 沈淑娴 何旭昭 +2 位作者 董灵庆 程逵 翁文剑 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期193-198,共6页
在ITO平面微电极上设计了P(VDF-TrFE)纳米级薄膜,以构建仅电场作用的模式,并避免其他因素的干扰。通过旋涂法制备了不同厚度的P(VDF-TrFE)薄膜,当厚度达到470nm时,薄膜具有足够的致密度和绝缘性,能隔绝电极上的微电流和可能产生的电化... 在ITO平面微电极上设计了P(VDF-TrFE)纳米级薄膜,以构建仅电场作用的模式,并避免其他因素的干扰。通过旋涂法制备了不同厚度的P(VDF-TrFE)薄膜,当厚度达到470nm时,薄膜具有足够的致密度和绝缘性,能隔绝电极上的微电流和可能产生的电化学产物。由于电极上覆有薄膜,在生物电刺激的应用中,还可消除电极材料不均匀对细胞行为的影响。采用覆有P(VDF-TrFE)薄膜的ITO平面微电极对间充质干细胞(MSCs)进行电场刺激,可以显著促进MSCs的增殖和成骨分化,其最佳刺激电压为250mV。这项工作为更充分地理解和发挥电刺激的生理医疗作用提供了新的思路和策略。 展开更多
关键词 电极 p(vdf-trfe) 旋涂法 电刺激 间充质干细胞 成骨分化
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高阶等参元在薄膜结构自由振动中的应用
11
作者 乔海青 鲍四元 +1 位作者 邓子辰 王博 《应用数学和力学》 北大核心 2025年第2期187-198,共12页
薄膜结构是工程中广泛应用的结构之一,其自振特性的理论解与三角函数族有关,采用常规低阶单元分析时,有限元解精度不高.虽然h型有限元法将结构的网格细化后可提高有限元解的精度,但是其前处理相对困难,如果细化网格时出现畸变网格,那么... 薄膜结构是工程中广泛应用的结构之一,其自振特性的理论解与三角函数族有关,采用常规低阶单元分析时,有限元解精度不高.虽然h型有限元法将结构的网格细化后可提高有限元解的精度,但是其前处理相对困难,如果细化网格时出现畸变网格,那么有限元解的精度可能降低.基于p型有限元法构造两种用于研究薄膜结构自由振动特性的四边形高阶等参元,即节点数为16的Q16等参元和节点数为13的Q13等参元.不同形状和不同边界条件的薄膜结构算例表明,所提单元较常规低阶等参元有较快的收敛速率和较高的精度及计算效率. 展开更多
关键词 薄膜自由振动 p型有限元 自振特性
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ZnO薄膜p型掺杂的研究进展 被引量：21
12
作者 叶志镇 张银珠 +1 位作者 徐伟中 吕建国 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期11-18,共8页
ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直... ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述. 展开更多
关键词 研究进展 ZNO薄膜 p型掺杂 氧化锌 半导体
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直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究 被引量：10
13
作者 吕建国 叶志镇 +3 位作者 陈汉鸿 汪雷 赵炳辉 张银珠 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第1期5-8,共4页
本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,生长气氛为NH3 O2 中。利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究 ,结果表明 ,ZnO薄膜为高度c轴取向 ,在 5 0 0... 本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,生长气氛为NH3 O2 中。利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究 ,结果表明 ,ZnO薄膜为高度c轴取向 ,在 5 0 0℃的衬底温度下具有很好的结晶性能 ,而且 ,该温度下ZnO还实现了p型转变 ,电阻率为 10 3 Ω·cm ,载流子浓度 10 15cm-3 ,Hall迁移率 3 4cm2 / (V·s)。这是利用溅射技术首次制备出p ZnO薄膜。实验还表明p ZnO薄膜在可见光区域具有 90 %的高透射率 ,室温下光学带宽约为 3 2 1eV。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 p型ZNO薄膜 掺杂 氧化锌 半导体薄膜 薄膜生长
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P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用 被引量：6
14
作者 焦宝臣 张晓丹 +3 位作者 赵颖 孙建 魏长春 杨瑞霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期602-605,共4页
利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜... 利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21Ω.cm、迁移率是0.22cm2/(V.s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3。此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47V。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 p型 透明导电薄膜 太阳电池
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喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜 被引量：7
15
作者 季振国 赵丽娜 +2 位作者 何作鹏 陈琛 周强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期211-216,共6页
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明,当In／Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In／Sn比在... 利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明,当In／Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In／Sn比在0．06-0．25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In／Sn比超过 0．3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型．因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In／Sn比不宜过低,也不能过高．热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In／Sn=0．2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电．当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80％以上． 展开更多
关键词 铟锡氧化物 透明导电薄膜 p型导电 喷雾热解
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P型和N型金刚石薄膜研究进展 被引量：11
16
作者 龚春生 李尚升 张贺 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期36-40,共5页
金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金... 金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金刚石薄膜P型掺杂和N型掺杂的研究现状,对金刚石薄膜N型掺杂研究中存在的问题进行了分析和探索,并对N型金刚石的前景进行了展望。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 p型 N型
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分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究(英文) 被引量：9
17
作者 吴俊 徐非凡 +3 位作者 巫艳 陈路 于梅芳 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期81-83,共3页
报道了利用As4 作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEHgCdTe材料进行SIMS及Hall测试,证实利用原位As掺杂及高温退火可获得P型MBEHgCdTe材料.
关键词 HGCDTE薄膜 分子束外延 掺杂 As HGCDTE材料 激活 p型 MBE 退火技术 研究结果 SIMS 高温退火 原位
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Zn_(1-x)Mg_xO薄膜p型导电和光学性能 被引量：10
18
作者 张霞 李效民 +4 位作者 陈同来 于伟东 高相东 张灿云 赵俊亮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期503-508,共6页
采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD... 采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD)、场发射-扫描电镜(FE-SEM)、霍尔效应(Hall-effect)、光致发光(Photolum inescence,PL)谱等手段研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性能、光学性能和带隙变化。电学测试结果表明,未掺杂ZnO及Zn0.81Mg0.19O薄膜为n型导电;而N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜呈p型导电。Zn0.81Mg0.19O和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O(p型)薄膜在维持ZnO纤锌矿结构的前提下,光学带隙随Mg掺杂量增加而增大。初步结果显示,优化工艺参数下通过Mg掺杂制备光学带隙可调的p型Zn0.81Mg0.19O薄膜,对于试制Zn1-xMgxO基同质p-n结、短波长(紫外、深紫外)器件等方面有重要意义。 展开更多
关键词 超声喷雾热分解 p型Zn1-xMgxO薄膜 导电性能 光致发光
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ZnO薄膜p型掺杂的研究进展 被引量：4
19
作者 李驰平 张铭 +3 位作者 宋雪梅 王波 李彤 严辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F05期297-300,共4页
ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,... ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 p型掺杂 共掺杂方法
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P型透明导电SnO_2薄膜的研究进展 被引量：6
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作者 倪佳苗 赵修建 +1 位作者 郑小林 赵江 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期531-535,共5页
SnO2薄膜是一种应用广泛的宽禁带半导体材料。近几年来,随着对SnO2的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,SnO2薄膜成为研究热点之一。制备掺杂的p型SnO2是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径。近年来,国内外在p型SnO2薄... SnO2薄膜是一种应用广泛的宽禁带半导体材料。近几年来,随着对SnO2的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,SnO2薄膜成为研究热点之一。制备掺杂的p型SnO2是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径。近年来,国内外在p型SnO2薄膜研究方面取得了较大的进展。目前报道的p型SnO2薄膜的最高电导率为5.952Ω-1cm-1。并且得到了具有较好非线性伏安特性的铟锡氧化物的透明p-n结。本文就其最新进展进行了综述。 展开更多
关键词 SNO2薄膜 p型透明导电膜 综述 透明氧化物
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