检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

TiO2-Fe3O4-ATP吸附剂对P(Ⅴ)的吸附和脱附: 1; 作者薛田田刘洋 +1 位作者苏可心李静萍《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第9期2252-2256,2260,共6页; 通过凹凸棒黏土负载TiO2-Fe3O4制备了TiO2-Fe3O4-ATP吸附剂,进行了P(Ⅴ)的静态吸附和脱附实验,对其动力学和热力学参数进行了研究。通过SEM对凹凸棒黏土负载纳米TiO2-Fe3O4前后结构进行了表征,考察了物料配比及吸附时间、pH值、温度、... 展开更多; 关键词凹凸棒黏土纳米二氧化钛 p(ⅴ) 吸附脱附; 在线阅读下载PDF 职称材料

透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究被引量：1: 2; 作者吴芳王海燕 +5 位作者卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期42-46,共5页; 本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗... 展开更多; 关键词透明导电膜 p-Si:H膜 Ⅰ-ⅴ测试电接触特性晶化率; 在线阅读下载PDF 职称材料

n^+-p-H gCdTe光伏探测器的化学硫化被引量：1: 3; 作者赵晓燕彭震宇鲁正雄《航空兵器》 2006年第1期35-37,共3页; 首次采用Na2S.9H2O在n+-p-HgCdTe表面进行化学硫化,然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明,化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度,避免了相应漏电... 展开更多; 关键词 n^%pLUS%-p-HgCdTe 光伏探测器化学硫化 Ⅰ-ⅴ特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

改性毛竹生物炭复合材料对水中磷的动态吸附试验被引量：4: 4; 作者李艳红王国豪 +2 位作者张立浩梁森朱义年《桂林理工大学学报》 CAS 北大核心 2021年第1期155-164,共10页; 以铁改性毛竹生物炭复合材料(PMC-Fe/C-B)为吸附剂,使用固定床吸附装置模拟动态吸附过程,探究P(Ⅴ)溶液初始浓度、流速、pH、吸附剂投加量、吸附剂粒径以及吸附温度等因素对PMC-Fe/C-B吸附P(Ⅴ)的影响。通过SEM-EDS、XRD、FT-IR和XPS等... 展开更多; 关键词 pMC-Fe/C-B 动态吸附 p(ⅴ) Thomas模型除磷; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnO薄膜V族掺杂的研究进展被引量：3: 5; 作者朱仁江孔春阳 +2 位作者马勇王万录廖克俊《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期113-115,125,共4页; ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题。; 关键词氧化锌 p型掺杂共掺杂 ⅴ族元素; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TiO2-Fe3O4-ATP吸附剂对P(Ⅴ)的吸附和脱附: 1; 作者薛田田刘洋苏可心李静萍; 机构兰州交通大学化学与生物工程学院; 出处《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第9期2252-2256,2260,共6页; 基金甘肃省自然科学基金项目(3ZX062-B25-002) 甘肃省建设科技攻关项目(JK2010-31) 金川公司预研基金资助项目(JCYY2013002)。; 文摘通过凹凸棒黏土负载TiO2-Fe3O4制备了TiO2-Fe3O4-ATP吸附剂,进行了P(Ⅴ)的静态吸附和脱附实验,对其动力学和热力学参数进行了研究。通过SEM对凹凸棒黏土负载纳米TiO2-Fe3O4前后结构进行了表征,考察了物料配比及吸附时间、pH值、温度、投加量和初始浓度对P(Ⅴ)吸附率的影响。结果表明,3/4负载TiO2-Fe3O4-ATP吸附剂对P(Ⅴ)有良好的吸附作用,当吸附剂质量为0.6 g,P(Ⅴ)离子初始浓度0.6 mg/L时,pH为8左右,温度20℃,吸附剂对P(Ⅴ)的吸附率为92.9%。吸附过程为准二级动力学,吸附类型与Freundlich吸附模型一致。TiO2-Fe3O4-ATP吸附剂在循环使用4次后,吸附率仍能达到77%以上。; 关键词凹凸棒黏土纳米二氧化钛 p(ⅴ) 吸附脱附; Keywords attapulgite nanometer titanium dioxide p(ⅴ) adsorption desorption; 分类号 TQ170 [化学工程—硅酸盐工业] O647.3 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究被引量：1: 2; 作者吴芳王海燕卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健; 机构郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期42-46,共5页; 文摘本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大。通过I-V测试仪测试了ZnO:Al/p-Si:H、SnO2/p-Si:H和SnO2/ZnO:Al/p-Si:H的接触特性,结果显示ZnO:Al/p-Si:H的接触特性并不比SnO2/p-Si:H差。; 关键词透明导电膜 p-Si:H膜 Ⅰ-ⅴ测试电接触特性晶化率; Keywords transparent conductive films p-Si ： H films Ⅰ-ⅴ testing contact characteristics crystalline volume fraction; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名n^+-p-H gCdTe光伏探测器的化学硫化被引量：1: 3; 作者赵晓燕彭震宇鲁正雄; 机构中国空空导弹研究院; 出处《航空兵器》 2006年第1期35-37,共3页; 文摘首次采用Na2S.9H2O在n+-p-HgCdTe表面进行化学硫化,然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明,化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度,避免了相应漏电流的形成。; 关键词 n^%pLUS%-p-HgCdTe 光伏探测器化学硫化 Ⅰ-ⅴ特性; Keywords n ^＋ -on-p-HgCdTe photovohaic detectors sulphur-passivation Ⅰ-ⅴ characteristics; 分类号 TJ760.5 [兵器科学与技术—武器系统与运用工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名改性毛竹生物炭复合材料对水中磷的动态吸附试验被引量：4: 4; 作者李艳红王国豪张立浩梁森朱义年; 机构桂林理工大学环境科学与工程学院桂林理工大学广西环境污染控制理论与技术重点实验室桂林理工大学岩溶地区水污染控制与用水安全保障协同创新中心青岛华高墨烯科技股份有限公司; 出处《桂林理工大学学报》 CAS 北大核心 2021年第1期155-164,共10页; 基金国家自然科学基金面上项目(52070050) 广西科技计划项目(2020GXNSFAA159017) 广西创新团队项目(2018GXNSFGA281001)。; 文摘以铁改性毛竹生物炭复合材料(PMC-Fe/C-B)为吸附剂,使用固定床吸附装置模拟动态吸附过程,探究P(Ⅴ)溶液初始浓度、流速、pH、吸附剂投加量、吸附剂粒径以及吸附温度等因素对PMC-Fe/C-B吸附P(Ⅴ)的影响。通过SEM-EDS、XRD、FT-IR和XPS等现代表征手段分别对吸附P(Ⅴ)前后的PMC-Fe/C-B进行表征,结果显示PMC-Fe/C-B表面的含氧官能团与P(Ⅴ)发生了氧化还原反应,同时伴随有物理吸附和离子交换。动态吸附模型结果显示,在初始浓度为10 mg·L^(-1),进水流速为5.136 mL·min^(-1),pH为3,吸附剂粒径>100目(<0.149 mm)、吸附温度为35℃以及投加量为0.5 g的条件下,PMC-Fe/C-B对P(Ⅴ)的最大吸附容量q_(e,exp)为14.26 mg·g^(-1),去除率为77.65%。Thomas模型能较好地拟合PMC-Fe/C-B对P(Ⅴ)的动态吸附数据,C_(t)/C_(0)、t之间的相关性显著(R^(2)=0.9368~0.9912)。改性材料PMC-Fe/C-B在废水除P(Ⅴ)的实际应用中具有较好的可行性。; 关键词 pMC-Fe/C-B 动态吸附 p(ⅴ) Thomas模型除磷; Keywords pMC-Fe/C-B dynamic adsorption model p(ⅴ) Thomas model phosphorus removal; 分类号 X703.1 [环境科学与工程—环境工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnO薄膜V族掺杂的研究进展被引量：3: 5; 作者朱仁江孔春阳马勇王万录廖克俊; 机构重庆师范大学光学工程实验室重庆大学数理学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期113-115,125,共4页; 基金重庆市攻关项目资助(CSTC 2004AC4034)重庆市教委项目资助(KJ050812); 文摘 ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题。; 关键词氧化锌 p型掺杂共掺杂 ⅴ族元素; Keywords ZnO, p-type doping, codoping, group- ⅴ elements; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程] TN304.21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	TiO2-Fe3O4-ATP吸附剂对P(Ⅴ)的吸附和脱附	薛田田刘洋苏可心李静萍	《应用化工》 CAS CSCD 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究	吴芳王海燕卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	n^+-p-H gCdTe光伏探测器的化学硫化	赵晓燕彭震宇鲁正雄	《航空兵器》	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	改性毛竹生物炭复合材料对水中磷的动态吸附试验	李艳红王国豪张立浩梁森朱义年	《桂林理工大学学报》 CAS 北大核心	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	ZnO薄膜V族掺杂的研究进展	朱仁江孔春阳马勇王万录廖克俊	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料