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题名大功率偏振不敏感O波段SOA芯片的制备
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作者
杜圆圆
林中晞
吴林福生
苏辉
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机构
福建中科光芯光电科技有限公司
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出处
《红外与激光工程》
2025年第10期139-146,共8页
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基金
国家重点研发计划项目(2023YFB2804803)。
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文摘
为应对O波段半导体光放大器(SOA)实现偏振不敏感特性与高增益性能协同优化的挑战,开发了一种基于应变补偿量子阱与渐变脊宽波导结构的新型芯片。张应变量子阱虽可通过价带重构补偿模式增益差异,但会削弱TE主导增益路径,导致整体性能受限。为此,文中器件采用五阱四垒InGaAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构,将1310 nm处偏振相关增益(PDG)抑制至1 dB以下;在保证输入/输出光斑椭圆度≥80%的情况下,设计锥形渐变脊宽波导延缓增益饱和效应,使输出功率达22.86 dBm。文中研究通过能带-波导协同设计攻克了SOA偏振敏感性与功率输出的兼容性难题,显著提升了链路光功率余量,延长了传输距离,满足了弱光改造、基站拉远等应用场景的需要。
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关键词
o波段半导体光放大器
偏振不敏感
大功率
张应变量子阱
渐变式宽波导
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Keywords
o-band semiconductor optical amplifier
polarization-independent
high-power
tensile-strained quantum well
tapered ridge waveguide
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分类号
TN365
[电子电信]
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