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Ni_(4)Ti_(3)沉淀相对NiTi形状记忆合金相变行为的影响
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作者 郑烨昆 赵睿东 于超 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第6期123-131,共9页
采用第二近邻修正型嵌入原子势的分子动力学方法,建立了共格沉淀相与半共格沉淀相块状/柱状模型,模拟了温度诱发相变和应力诱发相变,分析了Ni_(4)Ti_(3)沉淀相对Ni Ti形状记忆合金相变行为的影响.结果表明,Ni_(4)Ti_(3)沉淀相本征应变... 采用第二近邻修正型嵌入原子势的分子动力学方法,建立了共格沉淀相与半共格沉淀相块状/柱状模型,模拟了温度诱发相变和应力诱发相变,分析了Ni_(4)Ti_(3)沉淀相对Ni Ti形状记忆合金相变行为的影响.结果表明,Ni_(4)Ti_(3)沉淀相本征应变诱发的弹性应力场对相变中马氏体变体类型、形核位置、分布等有重要影响.在温度诱发相变时,共格沉淀相促进部分马氏体变体的形核生长,能显著提高Ni Ti超弹性形状记忆合金的马氏体相变开始温度;在应力诱发相变时,Ni_(4)Ti_(3)沉淀相使马氏体早于无沉淀相区域形核,导致了相变应力降低、抑制了马氏体解孪,减小了应力-应变曲线的滞回环. 展开更多
关键词 ni_(4)ti_(3)沉淀相 马氏体相变 分子动力学 马氏体解孪
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Alternative Strategy for Development of Dielectric Calcium Copper Titanate‑Based Electrolytes for Low‑Temperature Solid Oxide Fuel Cells
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作者 Sajid Rauf Muhammad Bilal Hanif +8 位作者 Zuhra Tayyab Matej Veis MAKYousaf Shah Naveed Mushtaq Dmitry Medvedev Yibin Tian Chen Xia Martin Motola Bin Zhu 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2025年第1期310-332,共23页
The development of low-temperature solid oxide fuel cells(LT-SOFCs)is of significant importance for realizing the widespread application of SOFCs.This has stimulated a substantial materials research effort in developi... The development of low-temperature solid oxide fuel cells(LT-SOFCs)is of significant importance for realizing the widespread application of SOFCs.This has stimulated a substantial materials research effort in developing high oxide-ion conductivity in the electrolyte layer of SOFCs.In this context,for the first time,a dielectric material,CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)is designed for LT-SOFCs electrolyte application in this study.Both individual CCTO and its heterostructure materials with a p-type Ni_(0.8)Co_(0.15)Al_(0.05)LiO_(2−δ)(NCAL)semiconductor are evaluated as alternative electrolytes in LT-SOFC at 450–550℃.The single cell with the individual CCTO electrolyte exhibits a power output of approximately 263 mW cm^(-2) and an open-circuit voltage(OCV)of 0.95 V at 550℃,while the cell with the CCTO–NCAL heterostructure electrolyte capably delivers an improved power output of approximately 605 mW cm^(-2) along with a higher OCV over 1.0 V,which indicates the introduction of high hole-conducting NCAL into the CCTO could enhance the cell performance rather than inducing any potential short-circuiting risk.It is found that these promising outcomes are due to the interplay of the dielectric material,its structure,and overall properties that led to improve electrochemical mechanism in CCTO–NCAL.Furthermore,density functional theory calculations provide the detailed information about the electronic and structural properties of the CCTO and NCAL and their heterostructure CCTO–NCAL.Our study thus provides a new approach for developing new advanced electrolytes for LT-SOFCs. 展开更多
关键词 LT-SOFCs Dielectric CaCu_(3)ti_(4)O_(12) Semiconductor ni_(0.8)Co_(0.15)Al_(0.05)LiO_(2−δ) Ionic conductivity Heterostructure electrolyte
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基于相场模拟的应力辅助时效的NiTi形状记忆合金功能性能研究
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作者 徐波 于超 +3 位作者 王宠 阚前华 王清远 康国政 《力学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期3507-3520,共14页
通过改进的耦合沉淀相析出和马氏体相变的相场模型模拟了应力辅助时效的NiTi单晶的超弹性、弹卡效应、单程形状记忆效应和应力辅助双程形状记忆效应,讨论了单一取向Ni_(4)Ti_(3)沉淀相对功能性能的影响以及背后的微观机理.模拟结果显示... 通过改进的耦合沉淀相析出和马氏体相变的相场模型模拟了应力辅助时效的NiTi单晶的超弹性、弹卡效应、单程形状记忆效应和应力辅助双程形状记忆效应,讨论了单一取向Ni_(4)Ti_(3)沉淀相对功能性能的影响以及背后的微观机理.模拟结果显示,由于单一取向Ni_(4)Ti_(3)沉淀相的强几何约束,超弹性过程和应力辅助双程形状记忆过程中的马氏体相变并不以马氏体条带快速扩宽的方式进行,而是以大量针状马氏体的形核与生长来实现,马氏体逆相变则以大量针状马氏体的缩减和消失来实现.含单一取向Ni_(4)Ti_(3)沉淀相的单晶系统具有优良的弹卡效应.对于单程形状记忆效应,含单一取向Ni_(4)Ti_(3)沉淀相的单晶系统在温度诱发马氏体相变过程中形成的孪晶面均与沉淀相惯习面平行,单一取向和两种取向的Ni_(4)Ti_(3)沉淀相对马氏体重取向的约束不同,对温度诱发马氏体逆相变的约束也不同,导致二者对应的应力-应变-温度曲线的差异.文章将为理解Ni_(4)Ti_(3)沉淀相对Ni Ti合金功能性能的影响提供见解,并为调控合金的马氏体相变、功能和力学性能提供参考. 展开更多
关键词 niti形状记忆合金 ni_(4)ti_(3)沉淀相 相场模拟 功能性能
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