针对集成电路在21~23℃范围内近mK量级测温精度的需求,研究了负温度系数(negtive temperature coefficient,NTC)热敏电阻温度计的校准方法对集成电路测温系统精度的影响。利用比较法对24支3种不同型号的NTC热敏电阻温度计进行校准,使用...针对集成电路在21~23℃范围内近mK量级测温精度的需求,研究了负温度系数(negtive temperature coefficient,NTC)热敏电阻温度计的校准方法对集成电路测温系统精度的影响。利用比较法对24支3种不同型号的NTC热敏电阻温度计进行校准,使用最小二乘法进行基本方程、Hoge-1方程、Steinhart-Hart方程的系数计算,分析校准方程的内插残差,评价低阶精准校准方程的可行性,为集成电路制作工艺的高质量中的温度测控提供技术支撑。结果表明:基本方程、Steinhart-Hart方程、Hoge-1方程残差的标准偏差分别为2.29、0.63、0.65 mK;使用2个校准点的基本方程的性能最差,使用3个校准点的校准方程的Hoge-1方程表现出最好的内插性能,在集成电路窄温区温度精确测量方面具有较高的应用价值。展开更多
研究了含铜Mn系铁氧体的阻温特性,目的是用廉价的铁氧体取代价格昂贵的、传统的Mn Ni Co氧化物、负温度系数热敏电阻。通过Cu^(2+)离子取代Fe^(2+)离子或Mn^(2+)离子,及改变淬火工艺,可以改变Mn系铁氧体整体电阻率ρ和材料参数B,得到可...研究了含铜Mn系铁氧体的阻温特性,目的是用廉价的铁氧体取代价格昂贵的、传统的Mn Ni Co氧化物、负温度系数热敏电阻。通过Cu^(2+)离子取代Fe^(2+)离子或Mn^(2+)离子,及改变淬火工艺,可以改变Mn系铁氧体整体电阻率ρ和材料参数B,得到可与传统氧化物器件相比拟的性能。展开更多
温度是影响火工品电磁防护其防护效果的主要因素,负温度系数(NTC)热敏电阻用于半导体桥(SCB)能有效提高其射频感度。采用恒流激励和电容放电两种实验,对不同环境温度下NTC热敏电阻对SCB性能的影响规律进行了研究。通过1 A 5 min恒流激...温度是影响火工品电磁防护其防护效果的主要因素,负温度系数(NTC)热敏电阻用于半导体桥(SCB)能有效提高其射频感度。采用恒流激励和电容放电两种实验,对不同环境温度下NTC热敏电阻对SCB性能的影响规律进行了研究。通过1 A 5 min恒流激励实验,分析了室温(25℃)和高温(70℃)时NTC热敏电阻的并联分流情况;25℃时NTC热敏电阻分走59%回路电流,70℃时,对小尺寸SCB(S-SCB)的分流率最大达到63%。在电容放电激励下,探讨了并联NTC热敏电阻SCB在25℃和70℃时电爆性能的变化情况。结果表明,并联NTC热敏电阻前后,典型尺寸(L-SCB)在25℃和70℃下的爆发时间和爆发消耗能量均无显著性变化。而S-SCB并联NTC热敏电阻后,当温度从25℃升至70℃,爆发时间从5.94μs增长到7.18μs,爆发消耗积分能量从0.388 m J降低到0.178 m J。展开更多
文摘针对集成电路在21~23℃范围内近mK量级测温精度的需求,研究了负温度系数(negtive temperature coefficient,NTC)热敏电阻温度计的校准方法对集成电路测温系统精度的影响。利用比较法对24支3种不同型号的NTC热敏电阻温度计进行校准,使用最小二乘法进行基本方程、Hoge-1方程、Steinhart-Hart方程的系数计算,分析校准方程的内插残差,评价低阶精准校准方程的可行性,为集成电路制作工艺的高质量中的温度测控提供技术支撑。结果表明:基本方程、Steinhart-Hart方程、Hoge-1方程残差的标准偏差分别为2.29、0.63、0.65 mK;使用2个校准点的基本方程的性能最差,使用3个校准点的校准方程的Hoge-1方程表现出最好的内插性能,在集成电路窄温区温度精确测量方面具有较高的应用价值。
文摘温度是影响火工品电磁防护其防护效果的主要因素,负温度系数(NTC)热敏电阻用于半导体桥(SCB)能有效提高其射频感度。采用恒流激励和电容放电两种实验,对不同环境温度下NTC热敏电阻对SCB性能的影响规律进行了研究。通过1 A 5 min恒流激励实验,分析了室温(25℃)和高温(70℃)时NTC热敏电阻的并联分流情况;25℃时NTC热敏电阻分走59%回路电流,70℃时,对小尺寸SCB(S-SCB)的分流率最大达到63%。在电容放电激励下,探讨了并联NTC热敏电阻SCB在25℃和70℃时电爆性能的变化情况。结果表明,并联NTC热敏电阻前后,典型尺寸(L-SCB)在25℃和70℃下的爆发时间和爆发消耗能量均无显著性变化。而S-SCB并联NTC热敏电阻后,当温度从25℃升至70℃,爆发时间从5.94μs增长到7.18μs,爆发消耗积分能量从0.388 m J降低到0.178 m J。
