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变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用被引量：8: 1; 作者费武雄陆妩 +9 位作者任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1493-1497,共5页; 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地... 展开更多; 关键词 npn双极晶体管 ~60Coγ辐照低剂量率辐照损伤增强变温辐照加速评估方法; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应被引量：8: 2; 作者费武雄陆妩 +9 位作者任迪远郑玉展王义元陈睿王志宽杨永晖李茂顺兰博崔江维赵云《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期217-222,共6页; 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显... 展开更多; 关键词 npn双极晶体管 60Coγ辐照偏置低剂量率辐照损伤增强; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应被引量：5: 3; 作者席善斌陆妩 +6 位作者郑玉展许发月周东李明王飞王志宽杨永晖《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期533-537,共5页; 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺... 展开更多; 关键词 npn双极晶体管 60Co Γ辐照基区掺杂浓度低剂量率辐照损伤增强效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

NPN双极晶体管的ELDRS效应及退火行为: 4; 作者陆妩任迪远 +4 位作者郑玉展王义元郭旗余学峰何承发《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第B10期90-93,共4页; 对国产NPN双极晶体管在不同剂量率下的辐射效应和退火特性进行了研究。结果显示:在不同剂量率辐照下,NPN晶体管的特性衰降均非常明显。不仅晶体管的过剩基极电流明显增大,直流增益迅速下降,其集电极电流也随辐照总剂量的增加而逐渐衰减... 展开更多; 关键词 npn双极晶体管 ~60Coγ辐照 ELDRS 退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SiC的NPN双极型晶体管设计: 5; 作者冷贺彬朱平《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期91-96,137,共7页; 利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流... 展开更多; 关键词 npn双极型晶体管 SIC 工作温度击穿电压特征频率禁带宽度晶体管增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟: 6; 作者陕宇皓刘延飞 +1 位作者郑浩彭征《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第3期177-183,共7页; 为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体... 展开更多; 关键词 npn双极型晶体管三维模型总剂量效应低剂量率损伤增强效应仿真模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用被引量：8: 1; 作者费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖; 机构中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院研究生院模拟集成电路国家重点实验室; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1493-1497,共5页; 文摘对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。; 关键词 npn双极晶体管 ~60Coγ辐照低剂量率辐照损伤增强变温辐照加速评估方法; Keywords npn bipolar transistor ^（60）Co γ irradiation enhanced low dose rate sensitivity alter temperature irradiation accelerated evaluation method; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应被引量：8: 2; 作者费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿王志宽杨永晖李茂顺兰博崔江维赵云; 机构中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院研究生院模拟集成电路国家重点实验室; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期217-222,共6页; 基金模拟集成电路国家重点实验室资助项目(9140C090403070C09); 文摘对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。; 关键词 npn双极晶体管 60Coγ辐照偏置低剂量率辐照损伤增强; Keywords npn bipolar transistor 60Coγ irradiation bias enhanced low dose rate sensitivity; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应被引量：5: 3; 作者席善斌陆妩郑玉展许发月周东李明王飞王志宽杨永晖; 机构中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院研究生院模拟集成电路国家重点实验室; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期533-537,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(10975182); 文摘对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。; 关键词 npn双极晶体管 60Co Γ辐照基区掺杂浓度低剂量率辐照损伤增强效应; Keywords npn bipolar transistor 60Co γ irradiation base doping concentration enhancedlow dose rate sensitivity; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NPN双极晶体管的ELDRS效应及退火行为: 4; 作者陆妩任迪远郑玉展王义元郭旗余学峰何承发; 机构中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院研究生院; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第B10期90-93,共4页; 文摘对国产NPN双极晶体管在不同剂量率下的辐射效应和退火特性进行了研究。结果显示:在不同剂量率辐照下,NPN晶体管的特性衰降均非常明显。不仅晶体管的过剩基极电流明显增大,直流增益迅速下降,其集电极电流也随辐照总剂量的增加而逐渐衰减,且低剂量率辐照下损伤更明显。本中对造成各种实验现象的损伤机理进行了分析。; 关键词 npn双极晶体管 ~60Coγ辐照 ELDRS 退火; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiC的NPN双极型晶体管设计: 5; 作者冷贺彬朱平; 机构中北大学仪器与电子学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期91-96,137,共7页; 文摘利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流程与版图。仿真结果表明,SiC双极型晶体管具有击穿电压高(BV_(CEO)=900 V)、特征频率高(f_T=5 GHz),晶体管增益适中(β=33)等特点。; 关键词 npn双极型晶体管 SIC 工作温度击穿电压特征频率禁带宽度晶体管增益; Keywords npn bipolar transistor SiC operating temperature breakdown voltage characteristic frequency band gap transistor gain; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟: 6; 作者陕宇皓刘延飞郑浩彭征; 机构西安高新技术研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第3期177-183,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61834004,61701505)。; 文摘为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。; 关键词 npn双极型晶体管三维模型总剂量效应低剂量率损伤增强效应仿真模拟; Keywords npn bipolar junction transistor 3D model total dose effect enhanced low dose rate sensitivity simulation; 分类号 TL99 [核科学技术—核技术及应用] TN325.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用	费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应	费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿王志宽杨永晖李茂顺兰博崔江维赵云	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	8	在线阅读下载PDF 职称材料
3	不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应	席善斌陆妩郑玉展许发月周东李明王飞王志宽杨永晖	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	NPN双极晶体管的ELDRS效应及退火行为	陆妩任迪远郑玉展王义元郭旗余学峰何承发	《电子产品可靠性与环境试验》	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于SiC的NPN双极型晶体管设计	冷贺彬朱平	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟	陕宇皓刘延飞郑浩彭征	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料