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多孔硅的I-V特性及NO_2气敏特性研究 被引量:6
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作者 孙凤云 胡明 +2 位作者 孙鹏 陈鹏 刘博 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期316-319,共4页
采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表... 采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min。 展开更多
关键词 多孔硅 孔隙率 Ⅰ-Ⅴ特性 no2气敏特性
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基于高岭土多孔基板的In2O3微米梳制备及其气敏性能 被引量:2
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作者 卢瑞 钟祥熙 +4 位作者 殷尧禹 李昂 魏德洲 沈岩柏 张云海 《金属矿山》 CAS 北大核心 2019年第8期185-191,共7页
采用模压-烧结法制备高岭土多孔基板,考察烧结温度对高岭土多孔基板表面形貌与孔隙结构的影响,通过热蒸发法在高岭土多孔基板上制备出In2O3微米材料,并采用XRD、SEM、FTIR、阿基米德排水法等检测手段考察多孔基板及In2O3微米材料的形貌... 采用模压-烧结法制备高岭土多孔基板,考察烧结温度对高岭土多孔基板表面形貌与孔隙结构的影响,通过热蒸发法在高岭土多孔基板上制备出In2O3微米材料,并采用XRD、SEM、FTIR、阿基米德排水法等检测手段考察多孔基板及In2O3微米材料的形貌与结构。结果表明,在烧结温度1 200℃时所获高岭土多孔基板的孔径尺寸在45μm左右,显气孔率为32.71%,体积密度为1.48 g/cm^3,抗弯强度为15.08 MPa。在该多孔基板上所制备的In2O3产物呈梳状结构,梳齿直径和长度分别在1~10μm和20~80μm范围内,梳柄长度约为1 mm,结晶良好。对In2O3微米梳的气敏检测结果表明:In2O3微米梳对NO2气体具有良好的选择性、可逆性和重复性;其对浓度为0.001%的NO2气体的灵敏度随着工作温度的升高呈先升高后降低的趋势,响应时间和恢复时间随之减少,且在最佳工作温度200℃时达到最大值,为44.4,此时的响应时间和恢复时间分别为21 s和106 s;In2O3微米梳对NO2气体的灵敏度随着NO2浓度的增加而增加,两者之间呈线性相关,响应时间随着NO2浓度的增加而缩短,恢复时间则随之增长。 展开更多
关键词 高岭土多孔基板 In2O3微米材料 no2气敏特性
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