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NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe界面的影响
1
作者
朱轩民
张静
+4 位作者
马雪丽
李晓婷
闫江
李永亮
王文武
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期444-448,463,共6页
研究了不同条件的非原位NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si_(0.7)Ge_(0.3),采用双层Al_2O_3结构,第一层1 nm厚的Al_2O_3薄膜为保护层,之后使用非原位NH_3等离子体分别在...
研究了不同条件的非原位NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si_(0.7)Ge_(0.3),采用双层Al_2O_3结构,第一层1 nm厚的Al_2O_3薄膜为保护层,之后使用非原位NH_3等离子体分别在300和400℃下对Al_2O_3/SiGe界面进行不同时间和功率的钝化处理,形成硅氮化物(SiN_xO_y)和锗氮化物(GeN_xO_y)的界面层。通过X射线光电子能谱(XPS)分析表面的物质成分,结果表明NH_3等离子体钝化在界面处存在选择性氮化,更倾向于与Si结合从而抑制Ge形成高价态,这种选择性会随着时间的增加、功率的增高和温度的升高变得更加明显。
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关键词
SIGE
界面钝化
nh3等离子体
Al2O
3
/SiGe/Si
选择性
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职称材料
基于不同AlN钝化层的极性GaN MOS器件界面特性
被引量：
1
2
作者
高森
武娴
+1 位作者
肖磊
王敬
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第9期690-693,738,共5页
界面质量是影响GaN MOS器件性能以及可靠性的主要因素之一,Al2O3栅介质与极性GaN界面间插入超薄非晶AlN作为钝化层可以有效改善GaN栅界面特性,针对AlN钝化层生长方式研究了GaN界面优化特性。通过GaN MOS电容的C-V和J-V特性,结合透射电...
界面质量是影响GaN MOS器件性能以及可靠性的主要因素之一,Al2O3栅介质与极性GaN界面间插入超薄非晶AlN作为钝化层可以有效改善GaN栅界面特性,针对AlN钝化层生长方式研究了GaN界面优化特性。通过GaN MOS电容的C-V和J-V特性,结合透射电子显微镜(TEM)表征分析,对比了不同生长条件的AlN插入层对GaN MOS电容的界面特性的影响。相比常规热生长AlN钝化层制备的样品,以等离子体NH3为N源在300℃下生长AlN钝化层制备的GaN MOS电容的频散和滞回特性均得到显著改善,界面态密度也略有改善。分析认为,经过等离子体NH3的轰击作用有效地抑制了GaN表面上Ga—O键的形成,在GaN表面直接生长AlN,从而改善了界面特性。
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关键词
GaN
MOS电容
AlN钝化层
界面态分析
等离子体
nh
3
C-V特性
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职称材料
题名
NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe界面的影响
1
作者
朱轩民
张静
马雪丽
李晓婷
闫江
李永亮
王文武
机构
北方工业大学信息学院
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期444-448,463,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61674003)
文摘
研究了不同条件的非原位NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si_(0.7)Ge_(0.3),采用双层Al_2O_3结构,第一层1 nm厚的Al_2O_3薄膜为保护层,之后使用非原位NH_3等离子体分别在300和400℃下对Al_2O_3/SiGe界面进行不同时间和功率的钝化处理,形成硅氮化物(SiN_xO_y)和锗氮化物(GeN_xO_y)的界面层。通过X射线光电子能谱(XPS)分析表面的物质成分,结果表明NH_3等离子体钝化在界面处存在选择性氮化,更倾向于与Si结合从而抑制Ge形成高价态,这种选择性会随着时间的增加、功率的增高和温度的升高变得更加明显。
关键词
SIGE
界面钝化
nh3等离子体
Al2O
3
/SiGe/Si
选择性
Keywords
SiGe
interface passivation
nh
3
plasma
Al2O
3
/SiGe/Si
selectivity
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于不同AlN钝化层的极性GaN MOS器件界面特性
被引量：
1
2
作者
高森
武娴
肖磊
王敬
机构
清华大学微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第9期690-693,738,共5页
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404105)。
文摘
界面质量是影响GaN MOS器件性能以及可靠性的主要因素之一,Al2O3栅介质与极性GaN界面间插入超薄非晶AlN作为钝化层可以有效改善GaN栅界面特性,针对AlN钝化层生长方式研究了GaN界面优化特性。通过GaN MOS电容的C-V和J-V特性,结合透射电子显微镜(TEM)表征分析,对比了不同生长条件的AlN插入层对GaN MOS电容的界面特性的影响。相比常规热生长AlN钝化层制备的样品,以等离子体NH3为N源在300℃下生长AlN钝化层制备的GaN MOS电容的频散和滞回特性均得到显著改善,界面态密度也略有改善。分析认为,经过等离子体NH3的轰击作用有效地抑制了GaN表面上Ga—O键的形成,在GaN表面直接生长AlN,从而改善了界面特性。
关键词
GaN
MOS电容
AlN钝化层
界面态分析
等离子体
nh
3
C-V特性
Keywords
GaN MOS capacitor
AlN passivation layer
interface state analysis
plasma
nh
3
C-V characteristic
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe界面的影响
朱轩民
张静
马雪丽
李晓婷
闫江
李永亮
王文武
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于不同AlN钝化层的极性GaN MOS器件界面特性
高森
武娴
肖磊
王敬
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
1
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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