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高温煤气中NH_3、有机硫、HCl及焦油蒸气的同时脱除被引量：2: 1; 作者豆斌林鲁军 +2 位作者申文琴沙兴中高晋生《华东理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期177-180,216,共5页; 在固定床反应器中对高温煤气中 NH3 、有机硫化物、HCl及焦油蒸气 4种污染物进行了单独和同时脱除的研究 ,其中选择 CS2 和 1 -甲基萘分别作为高温煤气中有机硫化物和焦油蒸气的模型化合物。研究得出 ,高温煤气中氨催化分解和 1 -甲基... 展开更多; 关键词高温煤气氨有机硫化物氯化氢焦油蒸气煤气净化; 在线阅读下载PDF 职称材料

NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响: 2; 作者潘大力杨瑞霞 +1 位作者张嵩董增印《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期152-157,共6页; 氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法。为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比(NH3流量与HCl流量之比)。通过建立简单的生长模型,... 展开更多; 关键词 GAN 氢化物气相外延(HVPE) Ⅴ/Ⅲ比 nh3流量形态变化模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

HVPE法制备AlN单晶薄膜被引量：1: 3; 作者李毓轩秦知福《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期409-412,共4页; 采用氢化物气相外延(HVPE)在6H-SiC衬底上生长AlN单晶薄膜。利用热力学理论计算源区Al-NH体系中的物质平衡,表明源区温度为800~900K时,HCl与AlCl3气体分压为1∶3,主要产物是对石英管腐蚀较低的AlCl_3。控制源区温度800~900K,生长区温度1... 展开更多; 关键词氢化物气相外延氮化铝热力学 nh3和hcl流量比表面形貌; 在线阅读下载PDF 职称材料

L-谷氨酸盐酸盐膜的气敏特性被引量：1: 4; 作者全宝富戚金清 +2 位作者王剑刚全海英孙良彦《传感器技术》 CSCD 1998年第2期6-8,共3页; 以Ｌ－谷氨酸盐酸盐为敏感膜，将其涂于具有金电极的ＡＴ切型的石英振子上，制成敏感元件·该膜对ＮＨ３具有很高的频率响应，高的灵敏度和良好的选择特性。; 关键词石英振子谷氨酸盐酸盐膜气敏元件敏感元件; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温煤气中NH_3、有机硫、HCl及焦油蒸气的同时脱除被引量：2: 1; 作者豆斌林鲁军申文琴沙兴中高晋生; 机构华东理工大学能源化工系; 出处《华东理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期177-180,216,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目 !(5 97760 17) 国家重点基础研究发展规划项目 !(G19990 2 2 10 4); 文摘在固定床反应器中对高温煤气中 NH3 、有机硫化物、HCl及焦油蒸气 4种污染物进行了单独和同时脱除的研究 ,其中选择 CS2 和 1 -甲基萘分别作为高温煤气中有机硫化物和焦油蒸气的模型化合物。研究得出 ,高温煤气中氨催化分解和 1 -甲基萘催化裂解的最佳催化剂同为 Ni- 3催化剂 ,CS2 转化的最佳催化剂为硫化态的 Ni- 3催化剂 ,最好的脱氯剂为 ECl。在 NH3 、CS2 、HCl及 1 -甲基萘 4种污染物同时存在时 ,将上述脱除剂组合在一起进行同时脱除实验表明 :ECl脱氯剂对 HCl的转化率和 Ni- 3催化剂对 1 -甲基萘的转化率均为 1 0 0 % ,氧化态的 Ni- 3催化剂对 NH3 的转化率和硫化态的 Ni- 3催化剂对 CS2 的转化率则随温度的升高而增加 ,在 30 0～ 550°C之间 ,氨的最大转化率为 79% ,CS2 的最大转化率为 88%; 关键词高温煤气氨有机硫化物氯化氢焦油蒸气煤气净化; Keywords high temperature coal gas nh 3 organic sulphur hcl tar component; 分类号 TQ546.5 [化学工程—煤化学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响: 2; 作者潘大力杨瑞霞张嵩董增印; 机构河北工业大学电子信息工程学院中国电子科技集团公司第四十六研究所中国电子科技集团公司新型半导体晶体材料技术重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期152-157,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61774054)。; 文摘氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法。为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比(NH3流量与HCl流量之比)。通过建立简单的生长模型,对不同Ⅴ/Ⅲ比下GaN薄膜形态变化的机理进行了分析,研究了HVPE生长过程中氮源(Ⅴ族)和镓源(Ⅲ族)不同流量比对结晶质量和表面形貌的影响。实验结果表明,低Ⅴ/Ⅲ比会导致成核密度低,岛状晶胞难以合并;高Ⅴ/Ⅲ比会降低表面Ga原子的迁移率,导致表面高度差异大,结晶质量差。与Ⅴ/Ⅲ比为15.000和28.125相比,Ⅴ/Ⅲ比为21.250时更适合GaN薄膜生长,得到的晶体质量最高。; 关键词 GAN 氢化物气相外延(HVPE) Ⅴ/Ⅲ比 nh3流量形态变化模型; Keywords GaN hydride vapor phase epitaxy(HVPE) Ⅴ/Ⅲratio nh3 flow rate morphological change model; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HVPE法制备AlN单晶薄膜被引量：1: 3; 作者李毓轩秦知福; 机构中国电子科技集团公司第四十六研究所; 出处《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期409-412,共4页; 基金国家重点研究基金资助项目; 文摘采用氢化物气相外延(HVPE)在6H-SiC衬底上生长AlN单晶薄膜。利用热力学理论计算源区Al-NH体系中的物质平衡,表明源区温度为800~900K时,HCl与AlCl3气体分压为1∶3,主要产物是对石英管腐蚀较低的AlCl_3。控制源区温度800~900K,生长区温度1 373K,HCl流量25cm^3/min,分析NH_3和HCl流量比(R)对薄膜形貌及结晶度的影响。R=0.5时,获得表面平整光滑且厚度为7μm的AlN单晶。; 关键词氢化物气相外延氮化铝热力学 nh3和hcl流量比表面形貌; Keywords HVPE AlN thermaldynamics flow ratio of nh3to hcl surface morphology; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名L-谷氨酸盐酸盐膜的气敏特性被引量：1: 4; 作者全宝富戚金清王剑刚全海英孙良彦; 机构吉林大学电子工程系; 出处《传感器技术》 CSCD 1998年第2期6-8,共3页; 基金吉林省科委资助; 文摘以Ｌ－谷氨酸盐酸盐为敏感膜，将其涂于具有金电极的ＡＴ切型的石英振子上，制成敏感元件·该膜对ＮＨ３具有很高的频率响应，高的灵敏度和良好的选择特性。; 关键词石英振子谷氨酸盐酸盐膜气敏元件敏感元件; Keywords Quartz crystal detector L-glutamic acid-hcl film nh 3 sensor; 分类号 TH703.2 [机械工程—精密仪器及机械] TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高温煤气中NH_3、有机硫、HCl及焦油蒸气的同时脱除	豆斌林鲁军申文琴沙兴中高晋生	《华东理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2001	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响	潘大力杨瑞霞张嵩董增印	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	HVPE法制备AlN单晶薄膜	李毓轩秦知福	《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	L-谷氨酸盐酸盐膜的气敏特性	全宝富戚金清王剑刚全海英孙良彦	《传感器技术》 CSCD	1998	1	在线阅读下载PDF 职称材料