检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

采用N_2-RF等离子体氮化GaAs(001)(英文): 1; 作者秦志新陈志忠 +1 位作者周建辉张国义《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期114-118,共5页; 研究了在MBE系统中 ,GaAs( 0 0 1 )表面的氮化过程。GaAs( 0 0 1 )表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2 气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2 发生器挡板的情况下 ,氮化导致GaAs( 0 0 1 )表面损伤 ,并且形... 展开更多; 关键词 Gan 分子束外延 MBE系统 GAAS 砷化镓氮化镓 n2-rf等离子体氮化; 在线阅读下载PDF 职称材料

N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响: 2; 作者蔡文浩黄建浩 +1 位作者李东升杨德仁《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期132-134,共3页; 采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后... 展开更多; 关键词富硅氮化硅 n2O等离子体光致发光电致发光; 在线阅读下载PDF 职称材料

辉光等离子体氮化铀表面的氢腐蚀被引量：5: 3; 作者宾韧刘柯钊 +2 位作者陈林白彬钟永强《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期775-779,共5页; 采用辉光等离子体氮化方法制备铀表面氮化样品。俄歇电子能谱和X射线衍射对样品的分析表明,铀表面形成了厚约250nm、主要成分为α-U2N3+x的氮化层,氮化层与基体之间具有平缓的过渡层,且氮在金属铀的基体内有一定扩散。与轻微氧化样品氢... 展开更多; 关键词表面改性辉光等离子体氮化 U2n3 氢蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

等离子体法制备超细粉体氮化铝的研究被引量：5: 4; 作者尚书勇梅丽 +2 位作者李兰英印永祥戴晓雁《化工新型材料》 CAS CSCD 2004年第7期8-10,共3页; 以微米级铝粉为原料 ,用N2 热等离子体法制备了超细氮化铝粉体。在等离子体功率12kW ,运行N2 流量 2m3/h ,急冷NH3流量 0 6m3/h ,送粉N2 流量 0 8m3/h条件下 ,铝粉全部转化为纳米氮化铝。采用SEM技术和粒度分析仪对产品进行了分析 ,... 展开更多; 关键词氮气等离子体法制备超细粉体材料氮化铝微米级铝粉 n2 SEM技术粒度分析仪合成纳米材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用N_2-RF等离子体氮化GaAs(001)(英文): 1; 作者秦志新陈志忠周建辉张国义; 机构北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期114-118,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 6 9876 0 0 2 )~~; 文摘研究了在MBE系统中 ,GaAs( 0 0 1 )表面的氮化过程。GaAs( 0 0 1 )表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2 气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2 发生器挡板的情况下 ,氮化导致GaAs( 0 0 1 )表面损伤 ,并且形成多晶结构。当增加N2 气压时 ,损伤变得更严重。但是 ,在关闭N2 发生器挡板的情况下 ,在 5 0 0℃下 ,经过氮化将观察到 ( 3× 3)再构的RHEED花样 ,表面仍保持原子级的平整度。上述结果表明 ,不开N2 发生器挡板 ,低温 ( 5 0 0℃下 )氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c GaN。; 关键词 Gan 分子束外延 MBE系统 GAAS 砷化镓氮化镓 n2-rf等离子体氮化; Keywords Gan nitridation MBE; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响: 2; 作者蔡文浩黄建浩李东升杨德仁; 机构浙江大学硅材料国家重点实验室; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期132-134,共3页; 基金 "973计划"基金资助项目(2007CB613403) 教育部"长江学者和创新团队发展计划资助"项目(IRT0651); 文摘采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后强度有所提高。但经过高温热处理后,EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子,这些N原子与Si原子结合,消除Si的悬挂键,降低了非辐射复合中心的浓度;而热处理后发生的原子重排,使得N原子与Si原子断开,进而与O原子结合,致使EL强度降低。; 关键词富硅氮化硅 n2O等离子体光致发光电致发光; Keywords silicon-rich silicon nitride n2O plasma photoluminescence electroluminescence; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名辉光等离子体氮化铀表面的氢腐蚀被引量：5: 3; 作者宾韧刘柯钊陈林白彬钟永强; 机构表面物理与化学重点实验室中国工程物理研究院; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期775-779,共5页; 文摘采用辉光等离子体氮化方法制备铀表面氮化样品。俄歇电子能谱和X射线衍射对样品的分析表明,铀表面形成了厚约250nm、主要成分为α-U2N3+x的氮化层,氮化层与基体之间具有平缓的过渡层,且氮在金属铀的基体内有一定扩散。与轻微氧化样品氢腐蚀的对比实验表明,氮化处理使样品表面缺陷密度减少,改性层对氢吸附、扩散有阻挡作用,氢蚀形核较慢且其生长明显受到改性层的抑制,这表明铀表面辉光等离子体氮化可作为延缓氢腐蚀的有效手段。; 关键词表面改性辉光等离子体氮化 U2n3 氢蚀; Keywords surface modification glow-discharge plasma nitriding U2 na hydrogen corrosion; 分类号 TG174.43 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名等离子体法制备超细粉体氮化铝的研究被引量：5: 4; 作者尚书勇梅丽李兰英印永祥戴晓雁; 机构四川大学化工学院; 出处《化工新型材料》 CAS CSCD 2004年第7期8-10,共3页; 基金国家科技部中小型企业科技创新基金项目 (0 1C2 62 2 51 0 0 958); 文摘以微米级铝粉为原料 ,用N2 热等离子体法制备了超细氮化铝粉体。在等离子体功率12kW ,运行N2 流量 2m3/h ,急冷NH3流量 0 6m3/h ,送粉N2 流量 0 8m3/h条件下 ,铝粉全部转化为纳米氮化铝。采用SEM技术和粒度分析仪对产品进行了分析 ,制得的氮化铝粉末平均粒径为10 0nm ,粒度分布为 4 0～ 14; 关键词氮气等离子体法制备超细粉体材料氮化铝微米级铝粉 n2 SEM技术粒度分析仪合成纳米材料; Keywords plasma,ultra-fine powder,aluminum nitride,preparation; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料