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发射光谱研究多针对板正电晕放电形貌被引量：5: 1; 作者宿鹏浩朱益民陈海丰《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1998-2002,共5页; 利用光学发射光谱(OES)法检测N2发射光谱,研究了常压下多针对板正电晕放电中辉光放电和击穿流光放电的高能电子分布,并与相同电极结构下负电晕放电进行了比较。根据N2第二正态激发谱峰ISPB在空间的分布,较精确地确定了辉光放电电离区形... 展开更多; 关键词发射光谱辉光放电击穿流光放电电离区放电通道电子雪崩高能电子 n2第二正态谱峰; 在线阅读下载PDF 职称材料

多针双极电晕放电形貌发射光谱研究: 2; 作者陈海丰宿鹏浩朱益民《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期24-27,共4页; 利用光学发射光谱(OES)法检测N2发射光谱,研究常压下多针双极电晕放电中高能电子分布。根据N2第二正态激发谱峰ISPB在空间的分布,较精确地确定其电离区形貌,体积分ISPB获知ISPB与放电电流I之间的关系。多针双极电晕放电在高压电极和地... 展开更多; 关键词发射光谱高能电子 n2第二正态谱峰电离区电子雪崩; 在线阅读下载PDF 职称材料

多针对板电晕放电电离区微观特性分析被引量：6: 3; 作者杨树张零零 +3 位作者宓东朱益民刘爽郝阳《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期203-207,共5页; 为了对多针对板正、负电晕放电电离区的微观特性进行分析,采用统计和理论分析的方法对前期利用发射光谱法测量电离区形貌的实验结果进行了研究,得到了高压针电极周围N2第2正带跃迁谱峰光强分布的等光强线曲线方程;电离区按N2第2正带跃... 展开更多; 关键词电晕放电放电电压电离区 n2第2正带跃迁谱峰电子平均速度电流密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

多针对板负电晕放电电离区形貌确定被引量：8: 4; 作者宿鹏浩朱益民陈海丰《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期2171-2174,共4页; 在前期对常压下多针对板负电晕放电伏安特性研究的基础上,利用光学发射光谱(OES)法检测放电产生的N2发射光谱,研究其电离区形貌。根据N2发射光谱中峰值最大的第二正态激发谱峰强度ISPB在高压针电极周围的空间分布,较精确地确定了电离区... 展开更多; 关键词发射光谱电晕放电电离区电子雪崩高能电子 n2第二正态谱峰; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名发射光谱研究多针对板正电晕放电形貌被引量：5: 1; 作者宿鹏浩朱益民陈海丰; 机构大连海事大学环境科学与工程学院非热放电应用研究室; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1998-2002,共5页; 基金新世纪优秀人才支持计划项目(NCET-07-0126) 辽宁省高级人才培养计划(RC-05-08) 博士点基金项目(20060151002)资助; 文摘利用光学发射光谱(OES)法检测N2发射光谱,研究了常压下多针对板正电晕放电中辉光放电和击穿流光放电的高能电子分布,并与相同电极结构下负电晕放电进行了比较。根据N2第二正态激发谱峰ISPB在空间的分布,较精确地确定了辉光放电电离区形貌和击穿流光放电电通道形貌,体积分辉光放电中ISPB获知ISPB与放电电流I之间的关系。辉光放电中,电离区范围和ISPB比负电晕放电小,电子雪崩沿针径向比沿轴向发展范围大;随着U升高,电离区范围只沿针轴向小幅度增大;ISPB的积分值与I近似成二阶线性关系。击穿流光放电中,针板之间形成放电通道;针尖周围ISPB较强的区域成"子弹状",距离针尖较远的放电通道内高能电子密度沿针轴向分布比较均匀,沿针径向先略有增大后减小。; 关键词发射光谱辉光放电击穿流光放电电离区放电通道电子雪崩高能电子 n2第二正态谱峰; Keywords Emission spectrum Glow discharge Streamer discharge Ionization region Streamer channel Electron avalanche Energetic electron n2 second positive band’s intensity; 分类号 O56 [理学—原子与分子物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多针双极电晕放电形貌发射光谱研究: 2; 作者陈海丰宿鹏浩朱益民; 机构大连海事大学环境科学与工程学院非热放电应用研究室; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期24-27,共4页; 基金新世纪优秀人才支持计划项目(NCET-07-0126) 博士点基金项目(20060151002) 辽宁省高等学校优秀人才计划项目(RC-05-08)资助; 文摘利用光学发射光谱(OES)法检测N2发射光谱,研究常压下多针双极电晕放电中高能电子分布。根据N2第二正态激发谱峰ISPB在空间的分布,较精确地确定其电离区形貌,体积分ISPB获知ISPB与放电电流I之间的关系。多针双极电晕放电在高压电极和地电极附近各有一个电离区,各电离区的范围都随电压U的升高而不同程度增大。其中负电晕电离区范围大于正电晕电离区,高压端电子雪崩沿针尖轴向比沿径向发展范围大。正负电晕电离区中ISPB体积分值均与I近似呈一阶线性关系,即ISPB的分布和高能电子浓度相对应。电离区中形成电流的带电粒子为高能电子,迁移区中形成电流的带电粒子为离子。; 关键词发射光谱高能电子 n2第二正态谱峰电离区电子雪崩; Keywords Emission spectrum Energetic electron n2 second positive band＇s intensity Ionisation region Electron avalanche; 分类号 O56 [理学—原子与分子物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多针对板电晕放电电离区微观特性分析被引量：6: 3; 作者杨树张零零宓东朱益民刘爽郝阳; 机构大连海事大学环境污染治理研究所大连海事大学物理系; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期203-207,共5页; 基金新世纪优秀人才计划(NCET-07-0126) 高等学校博士学科点专项科研基金(20060151002) 国家自然科学基金面上项目(51078048)~~; 文摘为了对多针对板正、负电晕放电电离区的微观特性进行分析,采用统计和理论分析的方法对前期利用发射光谱法测量电离区形貌的实验结果进行了研究,得到了高压针电极周围N2第2正带跃迁谱峰光强分布的等光强线曲线方程;电离区按N2第2正带跃迁谱峰的分布可分为内、中、外3层;在确定的电压下,由内到外N2第2正带跃迁谱峰与其等值曲面面积的乘积随着距针极的距离呈小﹣大﹣小的变化趋势,而电子的平均速度则呈大﹣小﹣大的相反变化趋势;电流密度与N2第2正带跃迁谱峰呈良好的线性关系。上述结论说明利用发射光谱法可研究放电电离区的微观特性,并为有关电离放电的应用提供理论参考。; 关键词电晕放电放电电压电离区 n2第2正带跃迁谱峰电子平均速度电流密度; Keywords corona discharge applied voltage ionization region n2 second positive band intensity average electron velocity current density; 分类号 O461.1 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多针对板负电晕放电电离区形貌确定被引量：8: 4; 作者宿鹏浩朱益民陈海丰; 机构大连海事大学环境科学与工程学院非热放电应用研究室; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期2171-2174,共4页; 基金国家自然科学基金项目(50276006 50208005) 辽宁省高等学校优秀人才资助计划(RC-05-08)资助; 文摘在前期对常压下多针对板负电晕放电伏安特性研究的基础上,利用光学发射光谱(OES)法检测放电产生的N2发射光谱,研究其电离区形貌。根据N2发射光谱中峰值最大的第二正态激发谱峰强度ISPB在高压针电极周围的空间分布,较精确地确定了电离区形貌;在电离区内体积分ISPB,获知ISPB与放电电流I之间的关系。实验结果表明,电离区大小随着外加电压U升高而增大;电子雪崩始于距离针尖半径约1mm处的球面上,并且只在mm量级范围内发展,即电离区的大小为mm量级;电子雪崩沿针尖轴向比沿径向发展范围大,电离区形貌为"子弹"状;ISPB的积分值与I成二次相系数很小的二阶线性关系,故放电中受激物质主要是N2;高能电子主要存在于电离区,迁移区中形成电流的带电粒子为离子。; 关键词发射光谱电晕放电电离区电子雪崩高能电子 n2第二正态谱峰; Keywords Emission spectrum Corona discharge Ionization region Electron avalanche Energetic electron n2 second positive band＇s intensity; 分类号 O536 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	发射光谱研究多针对板正电晕放电形貌	宿鹏浩朱益民陈海丰	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2008	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	多针双极电晕放电形貌发射光谱研究	陈海丰宿鹏浩朱益民	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	多针对板电晕放电电离区微观特性分析	杨树张零零宓东朱益民刘爽郝阳	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	多针对板负电晕放电电离区形貌确定	宿鹏浩朱益民陈海丰	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2007	8	在线阅读下载PDF 职称材料