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N-DBR和双氧化限制层对VCSEL电、光、热特性的影响
被引量:
3
1
作者
刘立新
赵红东
牛憨笨
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期325-329,共5页
根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔...
根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔面发射激光器结构,并通过对比研究了N-型分布布喇格反射镜和双氧化限制层对增益波导垂直腔面发射激光器特性的影响·计算结果表明,如果忽略N-型分布布喇格反射镜的影响将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差;双氧化限制层结构对激光器特性有较大的改善,它为增益波导垂直腔面发射激光器提供了一种降低阈值,抑制高阶横模的方法·
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关键词
垂直腔面发射激光器
有限差分法
n-型分布布喇格反射镜层
双氧化限制
层
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职称材料
大功率垂直腔面发射激光器中减小p-DBR串联电阻的途径
被引量:
3
2
作者
张建伟
宁永强
+8 位作者
王贞福
李特
崔锦江
张岩
刘光裕
张星
秦莉
刘云
王立军
《中国光学与应用光学》
2009年第1期65-70,共6页
为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出,对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻,实现VCSEL在室温下的大功率连续发射,分析了...
为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出,对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻,实现VCSEL在室温下的大功率连续发射,分析了p型DBR异质结的势垒结构,对突变异质结的串联电阻进行了计算分析,提出降低势垒高度以及增加扩散浓度是减小串联电阻的主要途径,而漏斗状的掺杂能有效降低体电阻;通过对梯度渐变异质结的分析得出缓变结能有效降低势垒高度;而用Matlab对能带图的数值分析表明,Al0.1Ga0.9As/AlAs接触层中Al组分采取双曲线形式的渐变也能有效降低势垒高度,即降低串联电阻;此外,对于渐变区缓变结的比较表明,采用20~25nm的渐变区宽度即可以得到比较低的势垒高度,同时也不会对DBR的反射率有太大的影响,是较合适的选择。
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关键词
垂直腔面发射激光器
p
型
分布
布
喇
格
反射镜
渐变异质结
势垒高度
串联电阻
泊松方程
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职称材料
题名
N-DBR和双氧化限制层对VCSEL电、光、热特性的影响
被引量:
3
1
作者
刘立新
赵红东
牛憨笨
机构
中国科学院西安光学精密机械研究所
河北工业大学信息工程学院
深圳大学光电子学研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期325-329,共5页
基金
河北省自然科学基金(602074)
河北省教育厅博士基金资助项目
文摘
根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔面发射激光器结构,并通过对比研究了N-型分布布喇格反射镜和双氧化限制层对增益波导垂直腔面发射激光器特性的影响·计算结果表明,如果忽略N-型分布布喇格反射镜的影响将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差;双氧化限制层结构对激光器特性有较大的改善,它为增益波导垂直腔面发射激光器提供了一种降低阈值,抑制高阶横模的方法·
关键词
垂直腔面发射激光器
有限差分法
n-型分布布喇格反射镜层
双氧化限制
层
Keywords
Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL)
Finite-difference method (FDM),
n-
DBRlayers
Double oxide-confined regions
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大功率垂直腔面发射激光器中减小p-DBR串联电阻的途径
被引量:
3
2
作者
张建伟
宁永强
王贞福
李特
崔锦江
张岩
刘光裕
张星
秦莉
刘云
王立军
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《中国光学与应用光学》
2009年第1期65-70,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60636020,60676034,60706007,60577003,60876036)
文摘
为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出,对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻,实现VCSEL在室温下的大功率连续发射,分析了p型DBR异质结的势垒结构,对突变异质结的串联电阻进行了计算分析,提出降低势垒高度以及增加扩散浓度是减小串联电阻的主要途径,而漏斗状的掺杂能有效降低体电阻;通过对梯度渐变异质结的分析得出缓变结能有效降低势垒高度;而用Matlab对能带图的数值分析表明,Al0.1Ga0.9As/AlAs接触层中Al组分采取双曲线形式的渐变也能有效降低势垒高度,即降低串联电阻;此外,对于渐变区缓变结的比较表明,采用20~25nm的渐变区宽度即可以得到比较低的势垒高度,同时也不会对DBR的反射率有太大的影响,是较合适的选择。
关键词
垂直腔面发射激光器
p
型
分布
布
喇
格
反射镜
渐变异质结
势垒高度
串联电阻
泊松方程
Keywords
Vertical Cavity Surface Emitting Laser(VCSEL)
p-Distribution Brrag Reflector(p-DBR)
gradient heterojunction
serial resistance
Poisson equation
分类号
TN248.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
N-DBR和双氧化限制层对VCSEL电、光、热特性的影响
刘立新
赵红东
牛憨笨
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
大功率垂直腔面发射激光器中减小p-DBR串联电阻的途径
张建伟
宁永强
王贞福
李特
崔锦江
张岩
刘光裕
张星
秦莉
刘云
王立军
《中国光学与应用光学》
2009
3
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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