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关于N型晶体硅费米能级的研究
1
作者
王惠
杨伟强
+1 位作者
严金梅
魏红军
《太阳能》
2015年第9期43-45,共3页
采用数值方法计算了掺杂浓度为1016cm-13的N型晶体硅费米能级随温度（O800K）的变化曲线，并讨论了禁带宽度随温度变化时对费米能级的影响。计算结果显示，在温度0K〈R100K的低温弱电离区间，费米能级随温度的升高而逐渐增大；温度约为1...
采用数值方法计算了掺杂浓度为1016cm-13的N型晶体硅费米能级随温度（O800K）的变化曲线，并讨论了禁带宽度随温度变化时对费米能级的影响。计算结果显示，在温度0K〈R100K的低温弱电离区间，费米能级随温度的升高而逐渐增大；温度约为100K时，最大费米能级位于导带底以下0．059eV处；温度在100K〈T〈700K范围内几乎呈线性下降；温度大于700K时，费米能级逐渐趋于平缓，接近本征半导体硅的费米能级。这些结论与实验吻合。
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关键词
费米能级
n型半导体硅
电中性条件
数值计算
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职称材料
题名
关于N型晶体硅费米能级的研究
1
作者
王惠
杨伟强
严金梅
魏红军
机构
晶澳太阳能有限公司
出处
《太阳能》
2015年第9期43-45,共3页
文摘
采用数值方法计算了掺杂浓度为1016cm-13的N型晶体硅费米能级随温度（O800K）的变化曲线，并讨论了禁带宽度随温度变化时对费米能级的影响。计算结果显示，在温度0K〈R100K的低温弱电离区间，费米能级随温度的升高而逐渐增大；温度约为100K时，最大费米能级位于导带底以下0．059eV处；温度在100K〈T〈700K范围内几乎呈线性下降；温度大于700K时，费米能级逐渐趋于平缓，接近本征半导体硅的费米能级。这些结论与实验吻合。
关键词
费米能级
n型半导体硅
电中性条件
数值计算
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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作者
出处
发文年
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1
关于N型晶体硅费米能级的研究
王惠
杨伟强
严金梅
魏红军
《太阳能》
2015
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