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皮秒脉冲激光对4H-SiC材料内部烧蚀改性的分子动力学模拟研究: 1; 作者华军谢云龙 +2 位作者黄磊王宇烜姚建武《激光技术》北大核心 2025年第4期597-603,共7页; 为了分析超快脉冲激光与4H-SiC在原子尺度的相互作用,采用双温模型的分子动力学方法,模拟研究了皮秒激光烧蚀4H-SiC内部的表现过程,并对不同激光能量强度辐照下4H-SiC内部的熔化温度、温度场、原子轨迹、烧蚀区域进行了分析。结果表明,... 展开更多; 关键词激光技术隐形切割分子动力学双温模型 4H-sic; 在线阅读下载PDF 职称材料

分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响被引量：7: 2; 作者宁建平秦尤敏 +2 位作者吕晓丹 A．Bogaerts 苟富君《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期111-115,共5页; 利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响。由模拟结果可知,随着温度的升高,F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势,而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加。Si的刻蚀量... 展开更多; 关键词分子动力学刻蚀样品温度 sic; 在线阅读下载PDF 职称材料

3C-SiC辐照诱发缺陷演化及温度效应分子动力学模拟被引量：6: 3; 作者马小强袁大庆 +5 位作者夏海鸿范平张乔丽左(走翼) 艾尔肯.阿不列木朱升云《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期219-226,共8页; 运用分子动力学方法,采用LAMMPS程序模拟了3C-SiC中的级联碰撞过程。研究了不同初始运动方向、不同能量下的PKA级联碰撞产生点缺陷的演化,结果表明,级联碰撞产生的空位数与PKA初始运动方向无关而与PKA能量之间呈线性关系。通过对级联碰... 展开更多; 关键词 3C-sic 分子动力学级联碰撞缺陷温度效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

分子动力学模拟不同入射角度的SiF_3^+对SiC表面的作用: 4; 作者贺平逆吕晓丹 +1 位作者赵成利苟富均《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期144-149,共6页; 采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时,以不同角度(5°、30°、60°和75°)入射的SiF3+与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示,入射SiF3+与SiC表... 展开更多; 关键词分子动力学 SiF3+刻蚀sic 分子动力学模拟 sic; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ar＋与氟化的Si样品相互作用机制的研究：分子动力学模拟被引量：4: 5; 作者秦尤敏吕晓丹 +2 位作者宁建平 A．Bogaerts 苟富君《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期229-235,共7页; 采用分子动力学方法模拟了Ar+与表面含有C,F反应层的Si样品的相互作用过程,以了解Ar+与氟化的Si的作用机制。为了和相对应的实验结果做比较,选择了两种样品,表面富F样品和表面富C样品。模拟结果表明,对于表面富F样品,能清楚地看到Si的... 展开更多; 关键词分子动力学作用机制刻蚀表面富F样品表面富C样品; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名皮秒脉冲激光对4H-SiC材料内部烧蚀改性的分子动力学模拟研究: 1; 作者华军谢云龙黄磊王宇烜姚建武; 机构西安建筑科技大学理学院; 出处《激光技术》北大核心 2025年第4期597-603,共7页; 基金西安建筑科技大学校人才科技基金资助项目(DB12062)。; 文摘为了分析超快脉冲激光与4H-SiC在原子尺度的相互作用,采用双温模型的分子动力学方法,模拟研究了皮秒激光烧蚀4H-SiC内部的表现过程,并对不同激光能量强度辐照下4H-SiC内部的熔化温度、温度场、原子轨迹、烧蚀区域进行了分析。结果表明,皮秒激光与4H-SiC相互作用的过程主要是热烧蚀,烧蚀过程在激光脉冲结束后才会剧烈进行,且激光能量强度越大烧蚀过程越剧烈,烧蚀区域也越不规则;4H-SiC晶格熔化温度与体系压强有关,当系统体系压强为6.1 GPa时,晶格熔化温度为3230 K,高于其常压下晶格熔化温度2827 K约400 K,且当体系压强越大时,晶格熔化所需温度越高。这一结果为皮秒激光用于隐形切割4H-SiC提供了理论参考。; 关键词激光技术隐形切割分子动力学双温模型 4H-sic; Keywords laser technique stealth dicing molecular dynamics two-temperature model 4H-sic; 分类号 TN249 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响被引量：7: 2; 作者宁建平秦尤敏吕晓丹 A．Bogaerts 苟富君; 机构贵州大学等离子体与材料表面作用研究所四川大学核科学与技术工程学院比利时安特卫普大学化学系PLASMANT课题组荷兰皇家科学院等离子体所; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期111-115,共5页; 基金贵州省优秀青年科技人才培养计划(700968101); 文摘利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响。由模拟结果可知,随着温度的升高,F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势,而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加。Si的刻蚀量均随着温度的升高而升高。样品中Si原子的刻蚀主要是通过生成SiF4得以实现的,C原子的刻蚀主要是通过生成CFx(x=1～3)等挥发性物质实现的。; 关键词分子动力学刻蚀样品温度 sic; Keywords molecular dynamics, etching, sample temperature, sic; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名3C-SiC辐照诱发缺陷演化及温度效应分子动力学模拟被引量：6: 3; 作者马小强袁大庆夏海鸿范平张乔丽左(走翼) 艾尔肯.阿不列木朱升云; 机构中国原子能科学研究院核物理研究所国核(北京)科学技术研究院新疆大学物理科学与技术学院; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期219-226,共8页; 文摘运用分子动力学方法,采用LAMMPS程序模拟了3C-SiC中的级联碰撞过程。研究了不同初始运动方向、不同能量下的PKA级联碰撞产生点缺陷的演化,结果表明,级联碰撞产生的空位数与PKA初始运动方向无关而与PKA能量之间呈线性关系。通过对级联碰撞过程中热峰、损伤区域瞬态温度分布分析可看出,级联碰撞过程中会产生高温区域,且此区域大小随时间的变化与PKA能量无关。; 关键词 3C-sic 分子动力学级联碰撞缺陷温度效应; Keywords 3C-sic molecular dynamics displacement cascade defect temperature effect; 分类号 TL341 [核科学技术—核技术及应用] O571.1 [理学—粒子物理与原子核物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名分子动力学模拟不同入射角度的SiF_3^+对SiC表面的作用: 4; 作者贺平逆吕晓丹赵成利苟富均; 机构贵州大学PSI研究所MEMS课题组贵州大学理学院四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室荷兰皇家科学院等离子体所; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期144-149,共6页; 基金贵州省优秀青年科技人才培养计划(700968101) 国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(2009GB104006); 文摘采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时,以不同角度(5°、30°、60°和75°)入射的SiF3+与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示,入射SiF3+与SiC表面相互作用后会分解,分解率随着入射角度的增加而减小。分解产物除少量散射外,大部分会沉积在SiC表面,Si和F在SiC表面的平均饱和沉积量随入射角度的增加而减少。随着SiF3+不断轰击SiC表面,SiC表面会形成Si-F-C反应层,且反应层厚度随着入射角度的增加而减少。同时发现SiC中的Si原子较C原子更容易被刻蚀,与实验结果一致。当刻蚀达到稳定,入射角度为5°、30°、60°和75°时,C的刻蚀率分别约为0.026、0.038、0.018、0.005,Si的刻蚀率分别约为0.043、0.051、0.043和0.023。各入射角度下,产物分子种类主要为F、SiF和SiF2。F和SiF产物量随入射角度增加而增加,而SiF2产量随入射角度增加而减少。在入射角度等于5°和30°时,SixFyCz是主要的含C产物;而在入射角度等于60°和75°时,CF是主要的含C产物。在入射角度等于5°和30°时,SiF2是主要的含Si产物;在入射角度等于60°和75°时,SiF是主要的含Si产物。刻蚀主要通过化学增强的物理溅射进行。; 关键词分子动力学 SiF3+刻蚀sic 分子动力学模拟 sic; Keywords molecular dynamics, SiF3＋ etching sic, molecular dynamics simulation, sic; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ar＋与氟化的Si样品相互作用机制的研究：分子动力学模拟被引量：4: 5; 作者秦尤敏吕晓丹宁建平 A．Bogaerts 苟富君; 机构贵州大学等离子体与材料表面作用研究所四川大学核科学与技术工程学院比利时安特卫普大学化学系PLASMANT课题组荷兰皇家科学院等离子体所; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期229-235,共7页; 文摘采用分子动力学方法模拟了Ar+与表面含有C,F反应层的Si样品的相互作用过程,以了解Ar+与氟化的Si的作用机制。为了和相对应的实验结果做比较,选择了两种样品,表面富F样品和表面富C样品。模拟结果表明,对于表面富F样品,能清楚地看到Si的刻蚀且随着入射能量的增加Si的刻蚀增加。当入射Ar+数量到达一定程度后Si的刻蚀完全停止。对于富C样品,几乎没有发生Si的刻蚀,这是由于Si-C键对Si的刻蚀起阻碍作用。; 关键词分子动力学作用机制刻蚀表面富F样品表面富C样品; Keywords molecular dynamics, Interaction mechanism, etching, F-rich sample, C-rich sample; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	皮秒脉冲激光对4H-SiC材料内部烧蚀改性的分子动力学模拟研究	华军谢云龙黄磊王宇烜姚建武	《激光技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响	宁建平秦尤敏吕晓丹 A．Bogaerts 苟富君	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	3C-SiC辐照诱发缺陷演化及温度效应分子动力学模拟	马小强袁大庆夏海鸿范平张乔丽左(走翼) 艾尔肯.阿不列木朱升云	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	分子动力学模拟不同入射角度的SiF_3^+对SiC表面的作用	贺平逆吕晓丹赵成利苟富均	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Ar＋与氟化的Si样品相互作用机制的研究：分子动力学模拟	秦尤敏吕晓丹宁建平 A．Bogaerts 苟富君	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	4	在线阅读下载PDF 职称材料