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花球状Se/MoSe2的制备及其吸附有机染料的性能 被引量:4
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作者 亓淑艳 赵亚栋 +2 位作者 马宁龙 胥焕岩 刘志海 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期747-752,共6页
针对有机污染物难降解的问题,采用水热法在不同温度和时间条件下制备了Se/MoSe2样品,研究了Se/MoSe2对有机染料的吸附效果。利用XRD、SEM、TEM和X射线荧光光谱等表征手段,发现样品含有Se和MoSe2两相,形貌是一些交错的纳米片自组装构成... 针对有机污染物难降解的问题,采用水热法在不同温度和时间条件下制备了Se/MoSe2样品,研究了Se/MoSe2对有机染料的吸附效果。利用XRD、SEM、TEM和X射线荧光光谱等表征手段,发现样品含有Se和MoSe2两相,形貌是一些交错的纳米片自组装构成的花球状结构。试验表明:样品的比表面积随着水热时间和水热温度的增加而增大。当水热时间超过12 h,水热温度超过260℃,且在12 min的反应时间内,样品的吸附率都可以达到97%以上,这可能是由于比表面积的增加,游离Se存在,π-π相互作用和MoSe2表面疏水性共同作用的结果。 展开更多
关键词 水热法 非晶态 mose2 游离Se 花球状 吸附性 比表面积 罗丹明B
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单层WSe2、MoSe2激子发光的压力诱导K-Λ交互转变 被引量:1
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作者 付鑫鹏 周强 +2 位作者 秦莉 李芳菲 付喜宏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1647-1653,共7页
采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe_2和MoSe_2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究。其中单层WSe_2的中性和负电激子演化趋势在2. 43 GPa处出现拐点,单层MoSe_2中性激... 采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe_2和MoSe_2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究。其中单层WSe_2的中性和负电激子演化趋势在2. 43 GPa处出现拐点,单层MoSe_2中性激子发光在3. 7 GPa处发生了劈裂。结合第一性原理计算分析,确认该不连续现象的产生机制为压力诱导的导带底K-Λ交互转变。该结果可以扩大至整个二维层状材料体系,为发展激子器件垫定基础。 展开更多
关键词 单层WSe2 单层mose2 金刚石对顶砧 激子
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电还原MoSe2修饰TiO2纳米管光电化学性能研究 被引量:3
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作者 张亚萍 丁文明 +5 位作者 朱海丰 黄承兴 于濂清 王永强 李哲 徐飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期797-802,共6页
通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO2纳米管阵列,以钼酸钠和亚硒酸为原料,改变原料的浓度配比以及沉积电压,电化学还原沉积MoSe2对TiO2纳米管阵列进行修饰,以半导体复合的方式提高TiO2的光电化学性能。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描... 通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO2纳米管阵列,以钼酸钠和亚硒酸为原料,改变原料的浓度配比以及沉积电压,电化学还原沉积MoSe2对TiO2纳米管阵列进行修饰,以半导体复合的方式提高TiO2的光电化学性能。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对复合物进行物相、形貌分析,通过电化学工作站测试复合材料的线性伏安曲线、交流阻抗。结果表明, MoSe2与TiO2形成了p-n异质结,降低了光生电子和空穴的复合以及电荷转移电阻显著降低,使载流子浓度、光电流密度明显增大。沉积电压为-0.5 V, 2 mmol/L H2SeO3沉积30 s,经过300℃热处理的MoSe2/TiO2复合材料具有优异的光电化学性能,在0 V偏压条件下光响应电流密度为1.17 mA/cm^2,是空白样品的3倍,电荷转移电阻从331.6Ω/cm^2下降到283.9Ω/cm^2。当热处理温度为330℃时,MoSe2会发生团聚,堵塞TiO2基底,使得MoSe2/TiO2吸光能力减弱,综合性能变差。 展开更多
关键词 TIO2纳米管阵列 mose2 电化学沉积 光电化学性能
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MoSe2/Ag3PO4复合材料的制备及其可见光降解罗丹明B的光催化性能 被引量:3
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作者 王新刚 刘凯 +4 位作者 朱晖 李翀煜 林雷雷 郭峰 代洪亮 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第2期327-339,共13页
通过原位沉积法合成了一种光催化活性强、稳定性高的MoSe2/Ag3PO4复合材料。MoSe2/Ag3PO4形成的异质结构能有效分离光生电子-空穴对,从而提高光催化活性。光生电子从Ag3PO4表面向MoSe2的转移降低了Ag+向金属Ag的可能性。当MoSe2和Ag3PO... 通过原位沉积法合成了一种光催化活性强、稳定性高的MoSe2/Ag3PO4复合材料。MoSe2/Ag3PO4形成的异质结构能有效分离光生电子-空穴对,从而提高光催化活性。光生电子从Ag3PO4表面向MoSe2的转移降低了Ag+向金属Ag的可能性。当MoSe2和Ag3PO4的质量分数为1∶5(最优组合)时,MoSe2/Ag3PO4在可见光照射下30 min内降解RhB效率达98%,并且经过4次重复试验,其可见光照射下RhB降解效率仍可达到89%。通过液相色谱/质谱(LC/MS)技术测定光催化过程中产物的变化,提出了MoSe2/Ag3PO4光催化降解RhB的途径。 展开更多
关键词 光催化 染料 硒化钼 磷酸银 光降解
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碳纳米管表面Co/MoSe2莫特-肖特基异质结的构筑及高效析氢性能 被引量:1
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作者 任先培 胡启威 +3 位作者 凌芳 吴飞 李强 庞柳青 《新型炭材料(中英文)》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1059-1069,共11页
二硒化钼(MoSe_(2))是一种先进的电解水制氢催化剂,但其电催化性能还远不如金属铂(Pt)。将半导体与金属结合构建莫特-肖特基异质结是一种提高催化活性的有效途径。本文采用溶胶-凝胶工艺和热还原法在碳纳米管表面制备了金属钴(Co)/半导... 二硒化钼(MoSe_(2))是一种先进的电解水制氢催化剂,但其电催化性能还远不如金属铂(Pt)。将半导体与金属结合构建莫特-肖特基异质结是一种提高催化活性的有效途径。本文采用溶胶-凝胶工艺和热还原法在碳纳米管表面制备了金属钴(Co)/半导体MoSe_(2)莫特-肖特基异质结(Co/MoSe_(2)@CNT)。实验和理论计算结果表明Co/MoSe_(2)莫特-肖特基异质结导致电子在界面处重新分布并形成一个内建电场,这不仅可以优化氢原子吸附的自由能,还可以提高析氢过程中电荷的传输效率。因此,Co/MoSe_(2)@CNT获得了优异的析氢活性:在电流密度为10 mA cm^(-2)时的过电势仅为185 mV、Tafel斜率为69 mV dec^(-1)。这项工作提供了一种新的策略来制备Co/MoSe_(2)莫特-肖特基异质结,并突出了莫特-肖特基效应的重要意义,有利于未来开发出更高效的莫特-肖特基电催化剂。 展开更多
关键词 二硒化钼 钴纳米粒子 莫特-肖特基异质结 析氢反应
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碳纳米管承载MoSe2纳米片作为锂硫电池的夹层材料 被引量:6
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作者 邵智韬 武立立 +4 位作者 杨月 马新志 李璐 叶红凤 张喜田 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期219-226,共8页
多硫化物的穿梭效应是锂硫(Li-S)电池最致命的固有问题。本文通过在商业聚丙烯隔膜上涂覆碳纳米管支撑的MoSe2纳米片,成功构建了对多硫化物具有强吸附作用的功能化夹层,有效抑制了多硫化物穿梭效应的发生。将该功能化隔膜用于锂硫电池,... 多硫化物的穿梭效应是锂硫(Li-S)电池最致命的固有问题。本文通过在商业聚丙烯隔膜上涂覆碳纳米管支撑的MoSe2纳米片,成功构建了对多硫化物具有强吸附作用的功能化夹层,有效抑制了多硫化物穿梭效应的发生。将该功能化隔膜用于锂硫电池,可获得良好的储能性质。在电流密度为0.1C时,电池的初始比容量高达1485 mAh g^−1。在高电流密度(2C)下,电池的比容量仍能达到880 mAh g^−1,说明电池的倍率性能较好。此外,电池在电流密度为0.5 C时表现出优异的长期循环稳定性。在循环300次的过程中,电池每圈容量的衰减率仅为0.093%。这些优异的储能特性得益于MoSe2对多硫化物的强吸附作用以及CNTs良好的导电性。 展开更多
关键词 碳纳米管 硒化钼 锂硫电池 功能隔膜 穿梭效应
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MoSe_2纳米片的制备及其摩擦性能 被引量:3
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作者 宋也黎 彭红红 +2 位作者 李长生 唐华 晋跃 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期83-85,共3页
通过固相反应方法合成了MoSe2纳米片,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等对其进行了表征;通过摩擦试验研究了MoSe2纳米片作为150bn润滑油添加剂的摩擦性能。结果表明:MoSe2具有纳米片状结构,长为100~500 nm,厚为10~... 通过固相反应方法合成了MoSe2纳米片,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等对其进行了表征;通过摩擦试验研究了MoSe2纳米片作为150bn润滑油添加剂的摩擦性能。结果表明:MoSe2具有纳米片状结构,长为100~500 nm,厚为10~50 nm,添加MoSe2纳米片基础油的摩擦因数要比添加MoS2纳米片基础油的高,其中MoSe2添加5%(质量分数)的润滑油的摩擦性能最好。 展开更多
关键词 mose2纳米片 润滑油 添加剂 摩擦性能
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IF-MoSe_2纳米材料在液体石蜡中的摩擦学性能研究 被引量:3
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作者 余应明 李长生 +2 位作者 刘艳清 孙彩虹 张伟 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期10-13,共4页
将采用化学气相沉积反应法制备的IF-MoSe2纳米材料和片层状MoS2分别添加到液体石蜡中,用Span80作为分散剂分散后在UMT-2摩擦实验机上进行摩擦试验,采用扫描电镜观测磨痕形貌和纳米在摩擦表面的分布,通过测量接触表面油膜的电阻和接触点... 将采用化学气相沉积反应法制备的IF-MoSe2纳米材料和片层状MoS2分别添加到液体石蜡中,用Span80作为分散剂分散后在UMT-2摩擦实验机上进行摩擦试验,采用扫描电镜观测磨痕形貌和纳米在摩擦表面的分布,通过测量接触表面油膜的电阻和接触点沿法向的坐标分析摩擦过程的变化。结果显示,IF-MoSe2纳米材料作为润滑油添加剂具有比片层状MoS2更加优越的减摩抗磨性能;通过测量油膜电阻可以监测摩擦表面的成膜状况;接触点法向坐标反映磨痕的形貌,并且在边界润滑状态下,摩擦因数曲线的变化直接受接触点法向坐标的影响。 展开更多
关键词 IF—mose2 油膜电阻 接触点
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晶界对单层多晶MoS_2和MoSe_2摩擦性能的影响
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作者 张欢 何文远 +1 位作者 严鑫洋 郑学军 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期188-193,共6页
目的基于阿蒙顿固体摩擦理论和静电力理论,利用原子力显微镜和开尔文显微镜研究晶界对单层多晶MoS_2和MoSe_2纳米片摩擦性能的影响。方法用化学气相沉积法制备单层多晶MoS_2和MoSe_2,结合摩擦力显微镜模块、开尔文显微镜模块,在单层多晶... 目的基于阿蒙顿固体摩擦理论和静电力理论,利用原子力显微镜和开尔文显微镜研究晶界对单层多晶MoS_2和MoSe_2纳米片摩擦性能的影响。方法用化学气相沉积法制备单层多晶MoS_2和MoSe_2,结合摩擦力显微镜模块、开尔文显微镜模块,在单层多晶MoS_2和MoSe_2不同区域上(500 nm×500 nm),研究晶界对其摩擦性能的影响。结果对于单层多晶MoS_2和MoSe_2,有明显晶界区域的粗糙度、接触电势差和粘附力要大于无明显晶界区域或无晶界区域。有明显晶界区域的摩擦系数大于其他区域,无明显晶界区域的摩擦系数大于无晶界区域。结论探针在晶界处滑动时,受到棘轮效应和压电效应的双重作用,导致探针更大的变形量与更多的能量耗散,因此有明显晶界区域的摩擦力显著增大。对于晶界不明显的区域,其摩擦力仅受压电效应的作用,也会有所增大。对于无晶界的区域,因探针滑动时不会受到棘轮效应和压电效应的作用,其摩擦力相对较小。 展开更多
关键词 原子力显微镜 开尔文显微镜 晶界 MOS2 mose2 棘轮效应 压电效应 摩擦性能
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电光-MoSe 2主被动双调Q 946 nm全固态激光器 被引量:3
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作者 李建林 雷广智 +2 位作者 白杨 白冰 孙延笑 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期9-16,共8页
报道了一种基于电光-可饱和吸收主被动双调Q技术的窄脉冲宽度、高峰值功率946nm全固态激光器.该激光器采用808nm脉冲半导体激光侧面泵浦长尺寸Nd∶YAG晶体棒抽运方式和双凹型折叠谐振腔结构,并将横向加压式的双45°角切割掺氧化镁... 报道了一种基于电光-可饱和吸收主被动双调Q技术的窄脉冲宽度、高峰值功率946nm全固态激光器.该激光器采用808nm脉冲半导体激光侧面泵浦长尺寸Nd∶YAG晶体棒抽运方式和双凹型折叠谐振腔结构,并将横向加压式的双45°角切割掺氧化镁铌酸锂晶体电光调Q与单层二硒化钼被动可饱和吸收调Q相结合,通过优化设计谐振腔结构,在脉冲重复频率550 Hz时,获得了最大单脉冲能量3.15mJ、脉冲宽度9.1ns、峰值功率高达346kW的946nm主被动双调Q脉冲激光的稳定输出,脉冲宽度和能量的峰峰值不稳定度分别达到±2.87%和±3.42%,光束质量因子分别为M_x^2=3.851和M_y^2=3.870. 展开更多
关键词 主被动双调Q MoSe 2 MgO∶LiNbO 3电光晶体 窄脉冲宽度 高峰值功率
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400nm飞秒激光激发下MoSe_(2)中瞬态光电流引起的太赫兹辐射(特邀)
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作者 范泽宇 黄媛媛 +3 位作者 杜婉怡 雷珍 周译玄 徐新龙 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期207-213,共7页
通过太赫兹发射光谱研究了400 nm飞秒激光脉冲激发层状MoSe2所引起的物理效应。太赫兹振幅随泵浦功率、方位角、偏振角的依赖关系表明,太赫兹辐射主要由表面耗尽场诱导的光生电流和二阶非线性极化诱导的移位电流这两种瞬态光电流效应共... 通过太赫兹发射光谱研究了400 nm飞秒激光脉冲激发层状MoSe2所引起的物理效应。太赫兹振幅随泵浦功率、方位角、偏振角的依赖关系表明,太赫兹辐射主要由表面耗尽场诱导的光生电流和二阶非线性极化诱导的移位电流这两种瞬态光电流效应共同引起,并且两种电流的贡献分别为82%和18%。研究结果可为MoSe2在超快光学领域的发展和应用提供实验支持。 展开更多
关键词 太赫兹光谱 飞秒激光 二硒化钼 光生电流 非线性光学
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