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具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管（英文）: 1; 作者刘强蔡剑辉 +7 位作者何佳铸王翼泽张栋梁刘畅任伟俞文杰刘新科赵清太《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期543-549,共7页; 在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态... 展开更多; 关键词 mos2场效应晶体管良好的亚阈值斜率 SIO2栅介质界面态密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性: 2; 作者景永凯范超 +4 位作者孟宪成刘哲王蒙军郑宏兴杨瑞霞《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期87-93,104,共8页; 采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有... 展开更多; 关键词二硫化锡(SnS_(2)) 场效应晶体管(fet) 可见光探测器光响应度栅压调控; 在线阅读下载PDF 职称材料

使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数: 3; 作者赵宇航卢意飞刘强《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-130,159,共7页; 利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两... 展开更多; 关键词 mos2场效应晶体管(fet) Y函数方法寄生电阻杂质电荷回滞特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体场效晶体管型pCO_2传感器研究: 4; 作者张福海牛文成《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第4期22-27,共6页; 本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。; 关键词氢离子敏感场效应晶体管(pH-ISfet) 场效应晶体管型溶二氧化碳传感器(fet型pCO₂传感器); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管（英文）: 1; 作者刘强蔡剑辉何佳铸王翼泽张栋梁刘畅任伟俞文杰刘新科赵清太; 机构上海大学物理系量子与分子结构国际中心中科院上海微系统与信息技术研究所深圳大学材料学院德国于利希研究中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期543-549,共7页; 基金 Supported by the National Natural Science Foundation of China(61674161,61504083) Open Project of State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Public welfare capacity building in Guangdong Province(2015A010103016) the Science and Technology Foundation of Shenzhen(JCYJ20160226192033020); 文摘在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10^(-13)A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS_2器件的表现,基于薄层SiO_2栅氧的MoS_2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景.; 关键词 mos2场效应晶体管良好的亚阈值斜率 SIO2栅介质界面态密度; Keywords mos2 fets, excellent subthreshold swing, SiO2 dielectric, interface state density; 分类号 TN386.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性: 2; 作者景永凯范超孟宪成刘哲王蒙军郑宏兴杨瑞霞; 机构河北工业大学电子信息工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期87-93,104,共8页; 基金国家自然科学基金资助项目(61804043)。; 文摘采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有良好的结晶度,SnS_(2)薄膜背栅型FET具备良好的栅压调控特性。器件对波长为405 nm的蓝紫光表现出明显的光响应,光响应度高达456.82 A·W^(-1),外量子效率为1.40×10^(5)%,比探测率为7.12×10^(12)Jones,并且具有较快的光响应速度,上升和下降响应时间分别为1 ms和0.5 ms。器件的光探测性能受栅压调控,当栅压为40 V时,器件的光响应度可达730 A·W^(-1)。; 关键词二硫化锡(SnS_(2)) 场效应晶体管(fet) 可见光探测器光响应度栅压调控; Keywords tin disulfide(SnS_(2)) field effect transistor(fet) visible-light detector photoresponsivity gate voltage modulation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数: 3; 作者赵宇航卢意飞刘强; 机构上海集成电路研发中心有限公司中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-130,159,共7页; 基金上海自然科学基金资助项目(Y52GXA1J01); 文摘利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。; 关键词 mos2场效应晶体管(fet) Y函数方法寄生电阻杂质电荷回滞特性; Keywords mos2 field effect transistor （fet） Y-function method parasitic resistance impurity charge hysteresis characteristic; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体场效晶体管型pCO_2传感器研究: 4; 作者张福海牛文成; 机构南开大学; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第4期22-27,共6页; 文摘本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。; 关键词氢离子敏感场效应晶体管(pH-ISfet) 场效应晶体管型溶二氧化碳传感器(fet型pCO₂传感器); Keywords hydrogen ion sensitive fiele-effect transistor(pH-ISfet) field-effect transistor type dissolved carbon dioxide sensor(fet type pCO2 sensor); 分类号 TP212-55 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管（英文）	刘强蔡剑辉何佳铸王翼泽张栋梁刘畅任伟俞文杰刘新科赵清太	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	在线阅读下载PDF 职称材料
2	二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性	景永凯范超孟宪成刘哲王蒙军郑宏兴杨瑞霞	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	在线阅读下载PDF 职称材料
3	使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数	赵宇航卢意飞刘强	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	在线阅读下载PDF 职称材料
4	半导体场效晶体管型pCO_2传感器研究	张福海牛文成	《传感技术学报》 CAS CSCD	1989	在线阅读下载PDF 职称材料