具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管（英文）

1

作者 刘强 蔡剑辉 +7 位作者 何佳铸 王翼泽 张栋梁 刘畅 任伟 俞文杰 刘新科 赵清太 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期543-549,共7页

在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态... 在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10^(-13)A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS_2器件的表现,基于薄层SiO_2栅氧的MoS_2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景. 展开更多

关键词 mos2场效应晶体管 良好的亚阈值斜率 SIO2栅介质 界面态密度

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HfO2/SrTiO3氧化物场效应晶体管的深能级瞬态谱测试方法研究

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作者 肖化宇 杨潇 +2 位作者 唐义强 曾慧中 张万里 《电子测量技术》 2020年第9期23-28,共6页

研究了深能级瞬态谱(DLTS)测量HfO2/SrTiO3(STO)场效应晶体管中缺陷的方法。该场效应晶体管的沟道为Ar+轰击SrTiO3表面形成的导电层,导电层表现为n型掺杂,其载流子浓度约为2.5×1013 cm-2;栅介质为通过磁控溅射的方法制备的非晶氧... 研究了深能级瞬态谱(DLTS)测量HfO2/SrTiO3(STO)场效应晶体管中缺陷的方法。该场效应晶体管的沟道为Ar+轰击SrTiO3表面形成的导电层,导电层表现为n型掺杂,其载流子浓度约为2.5×1013 cm-2;栅介质为通过磁控溅射的方法制备的非晶氧化铪。实验结果和模拟计算均表明SrTiO3基底介电常数随温度的变化会对DLTS测试结果产生不可忽略的影响。在低温下,STO介电常数变化了约3倍,导致DLTS谱线的峰偏移了约1~3 K,进而引起所测缺陷能级偏大约15%,表观陷阱浓度也同样偏大。基于模拟计算,提出了一套修正DLTS实验数据的方法。使用该方法,得到HfO2/STO样品的缺陷能级为0.17 eV^0.38 eV,陷阱浓度为1012 cm-3~1013 cm-3。 展开更多

关键词 HfO2/SrTiO3 场效应晶体管 DLTS 缺陷 介电常数

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冠醚功能化的栅控石墨烯场效应晶体管的制备及对汞离子的检测

3

作者 曹磊 陈美君 +4 位作者 袁刚 常钢 张修华 王升富 何汉平 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期33-41,共9页

Hg^(2+)是一种具有生物蓄积性和毒性的重金属,对环境和人类健康均可造成严重损害.因此,开发便捷的Hg^(2+)传感器非常必要.本文基于溶液栅控石墨烯场效应晶体管的优异性能,通过氮硫杂冠醚的尺寸效应以及冠醚与Hg^(2+)的螯合作用来特异性... Hg^(2+)是一种具有生物蓄积性和毒性的重金属,对环境和人类健康均可造成严重损害.因此,开发便捷的Hg^(2+)传感器非常必要.本文基于溶液栅控石墨烯场效应晶体管的优异性能,通过氮硫杂冠醚的尺寸效应以及冠醚与Hg^(2+)的螯合作用来特异性识别Hg^(2+),制备了一种冠醚功能化栅极的溶液栅控石墨烯场效应晶体管(SGGT)传感器.该SGGT传感器因其固有的信号放大功能而比传统电化学检测Hg^(2+)更灵敏,其检出限为1×10^(−12) mol/L,比传统电化学传感器降低了2~3个数量级,在1×10^(−12)~1×10^(−7) mol/L检测范围内,狄拉克点的变化值与目标物浓度的对数值之间存在良好的线性关系,同时具有极高的选择性.对实际湖水样品的检测效果良好,对Hg^(2+)的检测标准偏差为1.10%~3.77%.本文结果表明,该晶体管传感器可以对Hg^(2+)进行高选择和高灵敏检测. 展开更多

关键词 溶液栅控场效应晶体管 石墨烯 冠醚 Hg^(2+)

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二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性

4

作者 景永凯 范超 +4 位作者 孟宪成 刘哲 王蒙军 郑宏兴 杨瑞霞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期87-93,104,共8页

采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有... 采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有良好的结晶度,SnS_(2)薄膜背栅型FET具备良好的栅压调控特性。器件对波长为405 nm的蓝紫光表现出明显的光响应,光响应度高达456.82 A·W^(-1),外量子效率为1.40×10^(5)%,比探测率为7.12×10^(12)Jones,并且具有较快的光响应速度,上升和下降响应时间分别为1 ms和0.5 ms。器件的光探测性能受栅压调控,当栅压为40 V时,器件的光响应度可达730 A·W^(-1)。 展开更多

关键词 二硫化锡(SnS_(2)) 场效应晶体管(FET) 可见光探测器 光响应度 栅压调控

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半导体场效晶体管型pCO_2传感器研究

5

作者 张福海 牛文成 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第4期22-27,共6页

本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。

关键词 氢离子敏感场效应晶体管(pH-ISFET) 场效应晶体管型溶二氧化碳传感器(FET型pCO₂传感器)

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β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器研究进展

6

作者 李晓旭 石蔡语 +4 位作者 沈磊 曾光 李晓茜 陈宇畅 卢红亮 《人工晶体学报》 2025年第8期1352-1368,共17页

β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))由于具有直接和超宽带隙(~4.9 eV)、高击穿电场(~9 MV/cm),以及优异的热稳定性和化学稳定性等优点,广泛应用于高温、高压、高频及日盲紫外光电探测器等领域。从β-Ga_(2)O_(3)单晶块体上机械剥离出β-Ga_(2)O... β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))由于具有直接和超宽带隙(~4.9 eV)、高击穿电场(~9 MV/cm),以及优异的热稳定性和化学稳定性等优点,广泛应用于高温、高压、高频及日盲紫外光电探测器等领域。从β-Ga_(2)O_(3)单晶块体上机械剥离出β-Ga_(2)O_(3)纳米带作为沟道来探究新型β-Ga_(2)O_(3)器件结构不仅具有很大的灵活性,也将极大地降低成本。近年来,虽然β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器的研究已取得了很大进展,但器件的综合性能依然受限而不能满足商业化的需求,尤其是迁移率较低且响应度低。本文首先介绍了β-Ga_(2)O_(3)材料的基本性质;接着对β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器的研究现状进行总结与分析;最后指出β-Ga_(2)O_(3)基器件面对的困难与挑战,例如界面优化问题、器件可靠性系统研究缺乏等。 展开更多

关键词 β-Ga_(2)O_(3) 纳米带 场效应晶体管 日盲紫外光电探测器 光电性能

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使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数

7

作者 赵宇航 卢意飞 刘强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-130,159,共7页

利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两... 利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。 展开更多

关键词 mos2场效应晶体管(FET) Y函数方法 寄生电阻 杂质电荷 回滞特性

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具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET

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作者 范继锋 王永强 +2 位作者 张艺 李巍 雷鹏 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期241-247,共7页

为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基... 为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基底上。在p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构中,二维空穴气(2DHG)面密度为1.3×10_(13)cm^(-2),且在温度降至80 K时保持不变。通过干法刻蚀减小GaN沟道厚度,使p型MOSHFET呈现增强型工作模式,并获得负的阈值电压(V_(th))。室温下,基于GaN(18 nm)/Al_(0.29)Ga_(0.71)N的增强型p型MOSHFET的V_(th)为-0.79 V,导通电流|I_(ON)|为2.41 mA/mm,关断态漏电流|I_(OFF)|为2.66 pA/mm,亚阈值摆幅(SS)为116 mV/dec。这种极低的|I_(OFF)|和SS值表明材料具有较高的外延质量。此外,在200℃下,该p型MOSHFET仍保持低于10 pA/mm的|I_(OFF)|,且V_(th)偏移较小(-0.3 V),展现出优异的高温工作能力。 展开更多

关键词 GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(mosHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压

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基于CVD法制备的单层二硫化钼的光电晶体管特性研究 被引量：2

9

作者 杨启志 方佳佳 王权 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2018年第3期10-13,共4页

二硫化钼(MoS_2)优异的理化性能在光电晶体管领域的应用具有极大潜力。文中研究了化学气相沉积法(CVD)法生长的MoS_2薄膜制备的光电晶体管的性能。随着光照强度的增加,光电流也随之增加,但幅度逐渐下降,由于其价带上的电子极易吸收能量... 二硫化钼(MoS_2)优异的理化性能在光电晶体管领域的应用具有极大潜力。文中研究了化学气相沉积法(CVD)法生长的MoS_2薄膜制备的光电晶体管的性能。随着光照强度的增加,光电流也随之增加,但幅度逐渐下降,由于其价带上的电子极易吸收能量跃迁到导带从而产生光电流,但最终会达到响应饱和状态。对基于二硫化钼光电晶体管性能的研究有助于二硫化钼材料在光电传感器上的应用。 展开更多

关键词 mos 2 CVD 单层 光电晶体管 光敏 光电流

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MOSFET低温热载流子效应

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作者 刘卫东 魏同立 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1994年第2期15-21,共7页

与常温下相比，低温工作ＭＯＳ器件具有许多优点，但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强。本文简要研究了这种效应，包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响，最后，从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低... 与常温下相比，低温工作ＭＯＳ器件具有许多优点，但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强。本文简要研究了这种效应，包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响，最后，从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低温热载流子效应的设计考虑。 展开更多

关键词 低温 热载流子 mos 场效应晶体管

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高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制

11

作者 田秀伟 马春雷 +3 位作者 刘沛 韩婷婷 宋旭波 吕元杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期740-744,786,共6页

研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道... 研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道厚度为80 nm。采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1. 0Ω·mm。采用原子层沉积（ALD）厚度为25 nm的Hf O2作为器件的栅下绝缘介质层。测试结果表明,在栅偏压为0 V时,器件的开态导通电阻仅为65Ω·mm,漏源饱和电流密度达到173 m A/mm,器件的三端关态击穿电压达到120 V。 展开更多

关键词 氧化镓(Ga2O3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(mosFET) 漏源饱和电流密度 离子注入 击穿电压

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基于HfO2栅介质的Ga2O3 MOSFET器件研制 被引量：3

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作者 韩婷婷 吕元杰 +3 位作者 刘沛 敦少博 顾国栋 冯志红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期177-180,232,共5页

采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在（010）Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层。基于掺杂浓度为2.0×1018cm-3的n型β-Ga2O3薄... 采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在（010）Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层。基于掺杂浓度为2.0×1018cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材料,采用原子层沉积的25 nm的HfO2作为栅下绝缘介质层,研制出Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。器件展示出良好的电学特性,在栅偏压为8 V时,漏源饱和电流密度达到42 m A/mm,器件的峰值跨导约为3.8 m S/mm,漏源电流开关比达到108。此外,器件的三端关态击穿电压为113 V。采用场板结构并结合n型Ga2O3沟道层结构优化设计能进一步提升器件饱和电流和击穿电压等电学特性。 展开更多

关键词 β-Ga2O3 金属氧化物半导体场效应晶体管(mosFET) HfO2介质层 FE掺杂 漏源饱和电流 击穿电压

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英寸级少层MoS_(2)薄膜的低温可控制备 被引量：2

13

作者 郭才胜 吴隽 +4 位作者 牛犇 熊芬 祝柏林 黄成斌 刘静 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期12039-12043,共5页

大面积二硫化钼(MoS_(2))薄膜的可控制备是其走向应用的关键环节,尤其是少层及P型电导的MoS_(2),对于器件应用具有重要意义,但鲜有文献报道。本工作采用室温射频(RF)磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了英寸级的少层MoS_(2)薄膜,并经低温退火... 大面积二硫化钼(MoS_(2))薄膜的可控制备是其走向应用的关键环节,尤其是少层及P型电导的MoS_(2),对于器件应用具有重要意义,但鲜有文献报道。本工作采用室温射频(RF)磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了英寸级的少层MoS_(2)薄膜,并经低温退火,实现了大面积较高质量的MoS_(2)薄膜可控制备。原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和紫外可见吸收光谱(UV-vis)分析结果表明:所制得的大面积超薄薄膜为3层的多晶膜,厚度约2.2 nm,且均匀、平整、可控,薄膜结晶性好、稳定性高。使用同样的工艺在Si/SiO_(2)基片上制备少层MoS_(2)薄膜,并将其制成背栅场效应晶体管(TFT),电学表征表明该薄膜呈现P型导电特征,载流子迁移率为0.183 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。本工作提供了一种大面积少层MoS_(2)薄膜的可控制备方法,而且制备温度低,工艺简单且兼容性强,易实现大规模工业化生产。 展开更多

关键词 mos_(2) 低温硫化退火 大面积制备 场效应晶体管

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MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法

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作者 朱建纲 张卫东 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期32-35,共4页

采用线性近似的方法，对ＭＯＳ器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究，给出了一种较精确的简便计算方法．在该电场模型的基础上，建立了整个热载流子效应的模型框架．

关键词 mos 场效应晶体管 IC 沟道水平电场

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采用T型栅结构的高性能Ga2O3 MOSFET

15

作者 马灵 吕元杰 +2 位作者 刘宏宇 蔡树军 冯志红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期444-448,共5页

基于n型β-Ga2O3制备了具有T型栅结构的高性能Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Fe掺杂的半绝缘β-Ga2O3衬底上同质外延生长200 nm厚的Si掺杂n型β-Ga2O3沟道层,掺杂浓度为5×10^17 ... 基于n型β-Ga2O3制备了具有T型栅结构的高性能Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Fe掺杂的半绝缘β-Ga2O3衬底上同质外延生长200 nm厚的Si掺杂n型β-Ga2O3沟道层,掺杂浓度为5×10^17 cm^-3。器件采用栅长为1μm的T型栅结构,栅源间距为2μm,栅漏间距为18μm;采用原子层沉积(ALD)法生长的高介电常数氧化铪(HfO2)作为栅介质。研制的器件漏源饱和电流密度达到115.8 mA/mm,比导通电阻为52.82 mΩ·cm^2。T型栅结构有效抑制了Ga2O3沟道中的峰值电场强度,提升了器件的耐压特性;而高介电常数的HfO2介质有效降低了器件的漏电流,器件的击穿电压达到1953 V,开关比高达109,器件功率品质因子为77.2 MV/cm^2。 展开更多

关键词 氧化镓(Ga2O3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(mosFET) T型栅 击穿电压 功率品质因子

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Al_2O_3/GaSb p-MOSFET器件电学性质模拟（英文）

16

作者 甘凯仙 王林 邢怀中 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期528-532,共5页

利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75μm的GaSb p-MOS器件获得漏极电流最大为61.2mA/mm.改变沟道长度... 利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75μm的GaSb p-MOS器件获得漏极电流最大为61.2mA/mm.改变沟道长度和GaS b衬底的掺杂浓度,由于高k介质栅电容效应和低阈值电压,漏极电流变化不大.在理想条件下,该器件获得超过三个数量级的漏极开关电流比以及较低的夹断漏电流(10-15A/μm).结果表明,基于高k介质的GaSb MOSFET是III-V族p沟道器件良好的候选材料. 展开更多

关键词 Al2O3/GaSb p型场效应晶体管 饱和电流 泊松方程与连续性方程 开关电流比

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BJMOSFET频率特性的模拟分析 被引量：2

17

作者 曾云 尚玉全 +3 位作者 晏敏 盛霞 滕涛 高云 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期33-36,共4页

提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法... 提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性. 展开更多

关键词 双极mos场效应晶体管 频率特性 模拟分析

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SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟 被引量：2

18

作者 王煜 张鹏飞 +2 位作者 侯东彦 钱佩信 罗台秦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期30-34,共5页

本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速... 本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。 展开更多

关键词 计算机模拟 SOI/mos器件 I-V特性 场效应晶体管

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利用背面Ar^+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性 被引量：1

19

作者 黄美浅 陈平 +1 位作者 李旭 李观启 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期65-69,共5页

研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪... 研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪声等 .实验结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,跨导、沟道电导和表面有效迁移率先增大 ,然后减小 ;阈值电压先减小 ,随后变大 ;而低频噪声在轰击后明显减小 .实验证明 ,上述参数的变化是硅 展开更多

关键词 背面Ar^+轰击 n沟mosFET 线性区 mos场效应晶体管 跨导 迁移率 噪声 直流特性

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基于可控Cd掺杂In_2O_3纳米线的电学特性研究

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作者 郭慧尔 葛焱 +2 位作者 王春来 李琳珑 于永强 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期780-783,共4页

文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性。结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化,载流子迁移率高达... 文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性。结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化,载流子迁移率高达58.1cm2/(V.s),载流子浓度高达3.7×1018 cm-3。可控Cd掺杂In2O3纳米线将在纳米光电子器件方面有着广泛的应用前景。 展开更多

关键词 In2O3纳米线 化学气相沉积 Cd掺杂 场效应晶体管

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