使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数

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作者 赵宇航 卢意飞 刘强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-130,159,共7页

利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两... 利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。 展开更多

关键词 mos2场效应晶体管(fet) Y函数方法 寄生电阻 杂质电荷 回滞特性

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英寸级少层MoS_(2)薄膜的低温可控制备 被引量：2

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作者 郭才胜 吴隽 +4 位作者 牛犇 熊芬 祝柏林 黄成斌 刘静 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期12039-12043,共5页

大面积二硫化钼(MoS_(2))薄膜的可控制备是其走向应用的关键环节,尤其是少层及P型电导的MoS_(2),对于器件应用具有重要意义,但鲜有文献报道。本工作采用室温射频(RF)磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了英寸级的少层MoS_(2)薄膜,并经低温退火... 大面积二硫化钼(MoS_(2))薄膜的可控制备是其走向应用的关键环节,尤其是少层及P型电导的MoS_(2),对于器件应用具有重要意义,但鲜有文献报道。本工作采用室温射频(RF)磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了英寸级的少层MoS_(2)薄膜,并经低温退火,实现了大面积较高质量的MoS_(2)薄膜可控制备。原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和紫外可见吸收光谱(UV-vis)分析结果表明:所制得的大面积超薄薄膜为3层的多晶膜,厚度约2.2 nm,且均匀、平整、可控,薄膜结晶性好、稳定性高。使用同样的工艺在Si/SiO_(2)基片上制备少层MoS_(2)薄膜,并将其制成背栅场效应晶体管(TFT),电学表征表明该薄膜呈现P型导电特征,载流子迁移率为0.183 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。本工作提供了一种大面积少层MoS_(2)薄膜的可控制备方法,而且制备温度低,工艺简单且兼容性强,易实现大规模工业化生产。 展开更多

关键词 mos_(2) 低温硫化退火 大面积制备 场效应晶体管

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过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展 被引量：3

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作者 张禹 韦习成 +1 位作者 余运龙 张浩 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期867-873,共7页

过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的... 过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在的研究方向做了展望。 展开更多

关键词 过渡金属二硫族化合物 fet 器件

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GaAs开关FET功率特性的研究 被引量：4

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作者 王磊 马伟宾 刘帅 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期110-114,共5页

在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分... 在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分析,发现频率下降会降低开关FET的栅压,从而降低开关FET低频下的功率容量。通过增加栅极电阻来提高栅极电压,进而增加开关FET功率容量。最后通过实际的开关电路验证了增大栅极电阻可有效提高开关电路的功率容量,对今后的开关类器件设计工作起到一定的指导意义。 展开更多

关键词 砷化镓 场效应晶体管(fet) 栅极电阻 功率容量 功率压缩

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超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展

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作者 魏雨夕 马昕宇 +2 位作者 江泽俊 魏杰 罗小蓉 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期263-275,共13页

氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材... 氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材料热导率低和缺陷多也导致器件发生电学特性漂移、性能加速退化等可靠性问题。本文首先介绍本团队在氧化镓功率器件新结构方面的研究进展,对研制的样品进行测试分析并研究其电热特性;然后开展了氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结场效应晶体管(HJFET)的电热可靠性研究,本团队提出电离陷阱模型和界面偶极子电离模型解释其性能退化机制,此外,提出了一种新的可靠性加固技术,以提高β-Ga_(2)O_(3)HJFET的电热可靠性。结果表明,氧化镓功率器件在高压、低功耗和高可靠性应用方面具有很大潜力。这些研究为氧化镓功率器件设计和优化提供新的思路,有力助推氧化镓功率器件实用化进程。 展开更多

关键词 氧化镓 功率半导体器件 二极管 场效应晶体管 电热特性 可靠性

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GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究 被引量：3

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作者 顾占彪 王淼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期474-478,共5页

基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使... 基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。 展开更多

关键词 砷化镓 场效应晶体管(fet) 微波脉冲固态功率放大器 脉冲波形顶部降落 脉冲波形顶部过冲

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短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型

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作者 黄庆安 吕世骥 童勤义 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1992年第6期23-29,共7页

本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.

关键词 离子注入 晶体管模型 MESfet GAAS

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采用可控硅单相半控桥式整流在J1C-6132车床上实现能耗制动

8

作者 张磊 周传朋 《机床与液压》 北大核心 2005年第9期187-187,141,共2页

采用可控硅单相半控桥式整流在J1C-6132车床上实现能耗制动,解决了单结晶体管小功率触发电路带负载能力弱的问题。

关键词 可控硅失控 可靠关断 场效应管

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半导体场效晶体管型pCO_2传感器研究

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作者 张福海 牛文成 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第4期22-27,共6页

本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。

关键词 氢离子敏感场效应晶体管(pH-ISfet) 场效应晶体管型溶二氧化碳传感器(fet型pCO₂传感器)

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h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质氢终端金刚石场效应晶体管 被引量：2

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作者 王维 蔚翠 +5 位作者 何泽召 周闯杰 郭建超 马孟宇 高学栋 冯志红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第9期687-691,724,共6页

金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料,但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能,六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率。利用商业化大面积h-BN材料,制备了h-BN/Al_(... 金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料,但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能,六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率。利用商业化大面积h-BN材料,制备了h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石FET,h-BN/Al_(2)O_(3)/氢终端金刚石材料的载流子迁移率得到提升,达到186 cm^(2)/(V·s)。相较于Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET,h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET最大饱和电流密度和最大跨导均得到提升,分别为141 mA/mm和9.7 mS/mm。通过电容-电压(C-V)测试计算了栅介质和金刚石间界面固定电荷密度和陷阱密度,h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET界面负固定电荷密度为5.4×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1),低于Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET(8.5×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1))。固定电荷密度低、载流子迁移率高是h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质金刚石FET性能提升的主要原因。 展开更多

关键词 金刚石 场效应晶体管(fet) 氢终端 六方氮化硼(h-BN) 栅介质

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一种GaN FET开关用高压高速驱动器的设计与实现 被引量：2

11

作者 王子青 廖斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期674-678,共5页

设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时... 设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时提高了输入噪声容限,电平转换级、输出级对传统电路结构做了改进,转换速度更快,功耗更低。该电路采用标准硅基高压CMOS工艺制造流片,芯片测试结果表明,负电源工作电压为-5^-40 V,静态电流小于10μA,动态电流为5 m A@10 MHz,传输延时小于20 ns。芯片尺寸为1.42 mm×1.83 mm。该电路具有响应速度快、功耗低以及抗噪声能力强等特点,可广泛应用于微波通信系统中。 展开更多

关键词 Ga N场效应晶体管(fet)开关 高压驱动器 施密特电路 电平转换 死区时间

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克服FET生物传感器德拜屏蔽效应的研究进展 被引量：1

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作者 熊恩毅 魏淑华 +4 位作者 张兆浩 魏千惠 张双 方敏 张青竹 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期169-177,共9页

目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测。虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽效应的影响,导致灵敏度降低甚至无法检测。阐述了Bio... 目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测。虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽效应的影响,导致灵敏度降低甚至无法检测。阐述了BioFET的工作原理;介绍了BioFET目前面临的挑战之一——德拜屏蔽效应;解释了德拜屏蔽效应的原理;探讨了克服德拜屏蔽效应的典型方法:增加德拜长度、优化目标物、优化器件结构以及降低电双层影响,并对这4个方面的研究进展从增强机理、具体方法及检测效果等方面进行了详细的分析和总结。 展开更多

关键词 场效应晶体管(fet) 生物传感器 德拜屏蔽效应 电双层 灵敏度

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p型CuInS_2花状微球的液相可控合成及其电学性能表征

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作者 吴义良 周国方 +2 位作者 王文坚 张梓晗 吴春艳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期154-159,共6页

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在乙二醇(EG)中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)以及紫外-可见吸收光谱等表征其形貌、结构及成分,并构建了基... 以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在乙二醇(EG)中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)以及紫外-可见吸收光谱等表征其形貌、结构及成分,并构建了基于其的底栅型场效应器件(Back-gate FET)。实验结果表明:p型CuInS2微球所需合成温度为200℃,禁带宽度为1.62eV,电导率约为2S·cm-1。CuInS2微球有望用于低耗、高效CuInS2基光伏器件的制备。 展开更多

关键词 CuInS2 微球 场效应器件 光伏器件

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基于FET生物传感器的病原微生物检测系统设计

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作者 王浩 马金标 +3 位作者 毕明帆 谢新武 程智 王秀清 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第4期83-86,共4页

设计了一种基于场效应管(FET)生物传感器的检测系统。以STM32F103微处理器集成了自动进样、温度控制、光调制、数据采集与放大等模块;同时完成了基于C++软件环境的数据处理与分析人机交互界面的设计。通过对整个系统性能测试实验分析,... 设计了一种基于场效应管(FET)生物传感器的检测系统。以STM32F103微处理器集成了自动进样、温度控制、光调制、数据采集与放大等模块;同时完成了基于C++软件环境的数据处理与分析人机交互界面的设计。通过对整个系统性能测试实验分析,结果表明:该系统检测灵敏度高,响应速度快,性能稳定可靠,抗干扰性强,操作简单、便携,能够较好地满足现场快速检测病原微生物的需求。 展开更多

关键词 场效应管 生物传感器 病原微生物 检测系统

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基于TiO_2纳米管阵列的延伸型场效应晶体管pH传感器 被引量：2

15

作者 廖建军 赵帅 +1 位作者 季建宇 韩宝如 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2018年第10期14-16,50,共4页

基于延伸栅极型晶体管(EGFET)的pH传感器是新型溶液pH检测技术。该文将TiO_2纳米管阵列作为EGFET的延伸栅极,并详细研究了EGFET的pH敏感特性。得益于TiO_2纳米管阵列高比表面积和良好的化学稳定性,EGFET具有较宽的pH响应范围pH2～pH12,... 基于延伸栅极型晶体管(EGFET)的pH传感器是新型溶液pH检测技术。该文将TiO_2纳米管阵列作为EGFET的延伸栅极,并详细研究了EGFET的pH敏感特性。得益于TiO_2纳米管阵列高比表面积和良好的化学稳定性,EGFET具有较宽的pH响应范围pH2～pH12,灵敏度为54.2 mV/pH,接近理论能斯特限值(59mV/pH),并且具有较低的迟滞(14. 3 mV)以及漂移率(2. 2 mV/h)。与传统玻璃式pH电极相比,EGFET pH传感器具有方便携带、快速响应、易与集成电路集成等特点,应用前景广泛。 展开更多

关键词 延伸栅极型晶体管 PH传感器 TIO2纳米管阵列

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不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性

16

作者 刘先婷 刘伟景 李清华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期570-576,共7页

无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性... 无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性的影响,对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET由于掺杂浓度和传导方式不同导致的性能差异。结果表明,随着温度升高,载流子声子散射加剧,器件的寄生电容增加,导致器件的模拟/RF性能下降。体传导的JLNT-FET受到声子散射影响较小,所以其漏源电流受温度影响比表面传导的IMNT-FET小。另外,JLNT-FET的载流子迁移率受沟道重掺杂影响,导致其驱动能力和模拟/RF性能都比IMNT-FET差。研究结果对进一步优化这两类器件及其在电路中的应用具有一定的参考意义。 展开更多

关键词 无结纳米管场效应晶体管(JLNT-fet) 反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-fet) 模拟/射频(RF)特性 环境温度 传导模式

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有机-有机界面效应的原位及非原位研究

17

作者 冀连连 王现鹏 +7 位作者 张莹莹 申学礼 薛娣 王璐 王滋 王文冲 黄丽珍 迟力峰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第1期30-31,共2页

有机-有机异质结构已被广泛应用于各种有机电子器件,包括有机发光二极管(OLEDs)、有机场效应晶体管(OFETs)和有机太阳能电池等。全面理解有机-有机异质结构的界面效应,对于器件的设计和性能优化具有重要意义。然而由于有机半导体具有多... 有机-有机异质结构已被广泛应用于各种有机电子器件,包括有机发光二极管(OLEDs)、有机场效应晶体管(OFETs)和有机太阳能电池等。全面理解有机-有机异质结构的界面效应,对于器件的设计和性能优化具有重要意义。然而由于有机半导体具有多样的化学特性以及分子间较弱的范德华力,界面电荷传输特性与有机-有机电子结构、环境气氛等密切相关。在此,我们报道了随着顶层半导体并五苯(pentacene)的沉积,并五苯/酞菁氧钒(VOPc)异质结构的原位实时电学性能监测。结果显示,异质结构晶体管的p型迁移率从0.4 cm2∙V−1∙s^(−1)下降至0.2 cm2∙V−1∙s^(−1),而n型迁移率从0.01 cm2∙V−1∙s^(−1)迅速增加至约0.9 cm2∙V−1∙s^(−1)。这种n型输运行为的增强归因于pentacene向VOPc的界面电子转移效应以及由此导致的VOPc层中陷阱态的填充。此外,非原位实验对比表明,当晶体管制备过程暴露于大气时会明显抑制这种界面电荷转移效应,导致沉积pentacene后n型输运几乎没有得到改善。薄膜形态、开尔文探针力显微镜(KPFM)和X射线光电子能谱(XPS)的结果表明,界面处存在从pentacene到VOPc的电子转移。进一步的密度泛函理论(DFT)计算表明,由于pentacene/VOPc之间较强的相互作用,pentacene往VOPc的电荷转移量约为0.15 e。此外,O_(2)/H2O的存在会抑制这种界面电荷转移效应,这与我们的实验结果一致。本研究通过原位电学表征对有机-有机界面之间的电荷转移效应给出了深入解释,有利于进一步的器件性能优化及界面效应分析。 展开更多

关键词 有机-有机异质结构 原位表征 电荷转移效应 有机场效应晶体管 O_(2)/H2O掺杂

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用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统 被引量：10

18

作者 李东 刘百玉 +7 位作者 刘进元 欧阳娴 白永林 白晓红 王琛 田进寿 黄蕾 李辉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1304-1306,共3页

采用射频GaAs场效应管和微带传输线技术,研制出用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统.该系统电脉冲整形宽度为3.5 ns,幅度在0～5 V范围内调节,时域调整精度200ps.整形后的方波,前沿383 ps,后沿642 ps,顶部不平坦度4～5%,波形幅度稳定性... 采用射频GaAs场效应管和微带传输线技术,研制出用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统.该系统电脉冲整形宽度为3.5 ns,幅度在0～5 V范围内调节,时域调整精度200ps.整形后的方波,前沿383 ps,后沿642 ps,顶部不平坦度4～5%,波形幅度稳定性4～5%(p-p).利用该系统产生的整形电脉冲驱动电光波导调制器进行激光脉冲整形,得到了理想的整形激光脉冲. 展开更多

关键词 电脉冲整形系统 微带传输线 GaAs场效应管

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基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电特性研究 被引量：5

19

作者 李静雷 郑凯波 +3 位作者 沈浩■ 邢晓艳 孙大林 陈国荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期83-86,共4页

本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法,用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌,测试了它的输出特性曲线和转移特性曲线。当Vds=2 V时,测得场效应管的开启电压Vgt=-16.2 V;计算得到低频跨导gm=46.6nS。在Vgs=0 V时,测得一维... 本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法,用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌,测试了它的输出特性曲线和转移特性曲线。当Vds=2 V时,测得场效应管的开启电压Vgt=-16.2 V;计算得到低频跨导gm=46.6nS。在Vgs=0 V时,测得一维ZnO纳米线的载流子浓度n=1.15×108cm-1,电子迁移率μe=14.4 cm2/Vs,电导率σ=0.26Ω-1cm-1。该场效应管的上限截止频率fH=1585 Hz,漏源极间电容C=25.4 pF。本文还对基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电灵敏度和光电时间响应进行了测试分析。 展开更多

关键词 氧化锌 纳米线 场效应管 频率响应

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整形高功率激光装置的任意电脉冲发生器设计(英文) 被引量：6

20

作者 刘辉 刘百玉 +3 位作者 白永林 欧阳娴 缑永胜 郑锦坤 《中国光学》 EI CAS 2011年第1期60-65,共6页

基于GaAs场效应管电压控制电流和开关的特性,设计了一种任意电脉冲发生器,并成功应用于激光脉冲整形装置。该电脉冲发生器利用超宽带窄脉冲触发多个GaAs场效应管,产生多路负脉冲,通过模拟延时线依次将各路负脉冲延迟一定时间后经微带线... 基于GaAs场效应管电压控制电流和开关的特性,设计了一种任意电脉冲发生器,并成功应用于激光脉冲整形装置。该电脉冲发生器利用超宽带窄脉冲触发多个GaAs场效应管,产生多路负脉冲,通过模拟延时线依次将各路负脉冲延迟一定时间后经微带线耦合输出多路负脉冲叠加的波形;通过多路不同幅度的脉冲堆积效应来获得形状任意可调的整形电脉冲。为了满足惯性约束聚变(ICF)实验中对电脉冲幅度不能过小的要求,在电路的输出端接入增益可调的超宽带电压放大器,使脉冲幅度达到实验要求。利用设计的任意电脉冲发生器实现了脉冲幅度0～5 V可调、脉宽0～10ns可调、时域调节精度为330 ps,整形方波脉冲下降沿为330 ps、上升沿为240 ps。实验结果表明,将产生的电脉冲注入光波导调制器,可获得理想形状的整形激光脉冲,提高激光脉冲的输出能量。 展开更多

关键词 任意波形发生器 高功率激光 微带线 GaAs场效应管

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