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电热耦合作用下Mini/Micro-LED三基色色品坐标变化规律研究
1
作者 黄研培 王鹏 +5 位作者 庄庆瑞 史园 陈跃奋 杨旭 李金钗 黄凯 《发光学报》 北大核心 2025年第8期1485-1495,共11页
微型发光二极管(Mini/Micro-light emitting diode,Mini/Micro-LED)显示技术应用场景不断扩展,使其常工作于很宽的温区和电流密度范围。然而,环境温度和工作电流的变化都将不可避免地引起LED发光特性发生变化,从而导致三基色色品坐标偏... 微型发光二极管(Mini/Micro-light emitting diode,Mini/Micro-LED)显示技术应用场景不断扩展,使其常工作于很宽的温区和电流密度范围。然而,环境温度和工作电流的变化都将不可避免地引起LED发光特性发生变化,从而导致三基色色品坐标偏移、色域发生改变,严重影响显示器件的显色性能。本文通过系统分析红绿蓝(Red-Green-Blue,RGB)三色Mini/Micro-LED在不同温度和注入电流密度下发光特性的变化规律,深入探讨了电热耦合作用下Mini/Micro-LED三基色色品坐标变化规律,及由其构成的显示器数字电影倡导-协议3(Digital Cinema Initiatives-Protocol 3,DCI-P3)色域覆盖率变化趋势。研究发现,温度升高使得三色LED色品坐标同步偏移,色域覆盖率仅略微减小;而注入电流密度增大则导致色域覆盖率大幅下降,最高降幅可达15%。表明注入电流密度对LED色域的负面影响比环境温度更为严重。因此,在Mini/Micro-LED显示技术研发过程中,除了关注LED显示屏的热管理以降低环境温度因素对色彩性能的影响,还需重点优化电流调控策略,对电流密度变化引入动态色域补偿算法,以提升显示效果。 展开更多
关键词 微型发光二极管 色品坐标 色域
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Mini/Micro LED巨量转移关键技术与装备研究现状 被引量：1
2
作者 汤晖 廖智燊 +3 位作者 魏玉章 林志杭 董志强 张晓辉 《振动．测试与诊断》 EI CSCD 北大核心 2023年第5期839-849,1033,共12页
微型半导体发光二极管显示技术(mini/micro light emitting diode,简称Mini/Micro LED)是一种基于微型LED芯片的自发光显示技术,相较于液晶显示技术(liquid crystal display,简称LCD)和有机发光二极管显示技术(organic light‑emitting d... 微型半导体发光二极管显示技术(mini/micro light emitting diode,简称Mini/Micro LED)是一种基于微型LED芯片的自发光显示技术,相较于液晶显示技术(liquid crystal display,简称LCD)和有机发光二极管显示技术(organic light‑emitting diode,简称OLED),具有显著性能优势,被视为次世代显示技术的发展趋势。由于巨量转移技术与装备的限制,Mini/Micro LED显示设备尚未实现大规模量产。针对此问题,首先,根据现有Mini/Micro LED巨量转移工艺方法的不同工作原理,总结了3种主要工艺方法,即接触式微转印技术、非接触式激光转移技术和自组装转移技术;其次,调研了现有Mini/Micro LED巨量转移工艺方法中涉及到的技术与装备,归纳了其中的通用关键技术,即高速高精对位和视觉检测;然后,针对上述关键技术挑战,围绕Mini/Micro LED新型显示装备若干关键技术与典型设备集成开发介绍了笔者的前期研究工作;最后,讨论了实现Mini/Micro LED大规模量产中存在的问题及发展方向。 展开更多
关键词 微型半导体发光二极管显示技术 巨量转移 显示半导体装备 高速高精对位 振动抑制
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基于Micro-LED全彩色微显示器制造技术研究进展 被引量：2
3
作者 万艳丽 田婷芳 张振威 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2153-2163,共11页
Micro-LED作为新一代显示技术,具有高亮度、低能耗、长寿命、自发光等优点,但其低效率全彩色显示等技术瓶颈限制了其产业化的进程和普及率的上升。全彩色显示是micro-LED商业化的关键技术,但随着LED芯片的高度集成化和微小化,将巨量的RG... Micro-LED作为新一代显示技术,具有高亮度、低能耗、长寿命、自发光等优点,但其低效率全彩色显示等技术瓶颈限制了其产业化的进程和普及率的上升。全彩色显示是micro-LED商业化的关键技术,但随着LED芯片的高度集成化和微小化,将巨量的RGB三色芯片转移到同一衬底上实现全彩色显示的方法很大程度上造成了高成本和低成品率。因此,亟需发现更为简便和高效的全彩色显示方法。本文就micro-LED微显示器的制作技术及其实现全彩色显示的方法进行综述,重点介绍了量子点颜色转换层法、RGB直接排列法、特殊结构法和光学透镜法,最后探讨了micro-LED微显示器的技术挑战及发展趋势。 展开更多
关键词 micro-led 全彩色微显示器 量子点 纳米棒 发光二极管 颜色转换
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气动巨量转移机构刺晶减振控制 被引量：1
4
作者 刘强 樊竞超 +2 位作者 牛萍娟 陈云喆 孙海威 《振动与冲击》 北大核心 2025年第11期157-162,共6页
针对气动针刺式巨量转机构在高速、高频刺晶过程横梁扭转振动影响转移精度问题,提出了一种基于动态平衡法的双边侧挂直线电机主动减振方案,基于同步反向运动的针刺系统和随动系统,建立了横梁扭转振动幅值的数学模型,并使用有限元法对运... 针对气动针刺式巨量转机构在高速、高频刺晶过程横梁扭转振动影响转移精度问题,提出了一种基于动态平衡法的双边侧挂直线电机主动减振方案,基于同步反向运动的针刺系统和随动系统,建立了横梁扭转振动幅值的数学模型,并使用有限元法对运动过程进行瞬态分析。直线电机电流控制上采用了BP-PID(back propagation-process identifier)方法调控参数,提高了电流函数收敛速度,降低了启动电流超调量,优化了电机推力的控制方法。试验表明,在不间断加速模式与高速启停模式下分别减小横梁振幅86.74%与84.47%,证明了动态平衡法主动减振结构对抑制气动针刺巨量转移装置横梁扭转振动效果明显,对巨量转移精度提升具有重要意义。 展开更多
关键词 巨量转移 mini/micro led 主动减振 有限元
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采用MEMS工艺制作封装载体的LED封装技术
5
作者 夏明颖 崔东辉 +3 位作者 聂丛伟 贾默然 陈军波 杨云童 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期222-226,共5页
针对Si C衬底的白光LED技术研究和智能化半导体照明技术发展的需求,基于Si材料的功能特性和物理特性,研究了将Si作为Si C基LED封装载体的相关技术。采用MEMS的加工工艺,设计了精确尺寸的芯片安装腔体和高效率的反射层,抑制了Si本体材料... 针对Si C衬底的白光LED技术研究和智能化半导体照明技术发展的需求,基于Si材料的功能特性和物理特性,研究了将Si作为Si C基LED封装载体的相关技术。采用MEMS的加工工艺,设计了精确尺寸的芯片安装腔体和高效率的反射层,抑制了Si本体材料对光的吸收,提高了芯片侧向光的导出效率。通过分析光窗形貌及封装胶折射率对白光LED光效的影响,给出了一个全新的Si C衬底的白光LED封装的技术路线,为LED芯片与驱动一体化封装的实现奠定了技术基础。实现了完整的加工过程和样品制备,测试表明光效大于130 lm/W,热阻小于4.6℃/W。 展开更多
关键词 发光二极管(led) 微电子机械系统(MEMS) 微光机电系统(MOEMS) led封装 光效
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基于GaN FET的LED微显示单片集成技术研究进展
6
作者 涂睿 刘宏宇 +3 位作者 孙润光 厉凯 艾世乐 汤昊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期426-433,共8页
发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注。与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势。总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件... 发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注。与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势。总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件结构及性能,这些器件结构包括:直接利用LED外延结构制作FET驱动微型LED发光像素的横向集成结构、HEMT驱动微型LED发光像素的横向叠层结构、纳米线GaN FET驱动LED发光像素的垂直叠层结构。对基于GaN FET驱动的LED微显示技术的进展进行了综述。对GaN FET驱动的LED微显示技术的应用前景和研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 单片集成 GaN FET 发光二极管(led) 微型led 微显示
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我国新型显示关键材料发展战略研究 被引量：18
7
作者 高伟男 毕勇 +1 位作者 刘新厚 许祖彦 《中国工程科学》 CSCD 北大核心 2020年第5期44-50,共7页
新型显示作为电子信息领域为数不多的千亿美元级产业,是信息化、智能化时代我国战略性新兴产业重点发展方向之一。本文针对新型显示关键材料与工艺在新型显示技术和产业发展进程中的战略性、支撑性和保障性作用开展论述,梳理了具有代表... 新型显示作为电子信息领域为数不多的千亿美元级产业,是信息化、智能化时代我国战略性新兴产业重点发展方向之一。本文针对新型显示关键材料与工艺在新型显示技术和产业发展进程中的战略性、支撑性和保障性作用开展论述,梳理了具有代表性的新型显示关键材料的研究现状与发展趋势,凝练了我国相关领域在材料技术和应用技术方面存在的问题,提出了我国新型显示关键材料发展目标和重点方向。研究建议:抓牢新一轮显示技术升级与产业转型的重大机遇,从国家经济发展全局的高度、全产业链生态的角度出发,以整机应用为牵引,以核心材料为突破口,打造新型显示创新平台,构建高效的技术创新体系;聚合优势力量,突破产业化发展中的核心共性关键材料与工艺问题,完善产业协同创新生态。从技术、市场、资金、政策等多个角度完成了新型显示创新平台的可行性分析,以期支持我国新型显示产业"从跟随到引领"的跨越式发展。 展开更多
关键词 新型显示 有机发光二极管 微米级发光二极管 激光显示 关键材料
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微热管红外测温系统的设计 被引量：6
8
作者 李聪明 罗怡 +1 位作者 周传鹏 王晓东 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期2449-2455,共7页
根据集成发光二极管（LED）的微热管尺寸小、温升快、温度梯度变化剧烈等特点,搭建了非接触式红外测温系统,以实现对其不同特征区域的温度测量。对该系统的信号采集与转换、误差分析与补偿、测温特性指标、以及微热管的热性能进行了研... 根据集成发光二极管（LED）的微热管尺寸小、温升快、温度梯度变化剧烈等特点,搭建了非接触式红外测温系统,以实现对其不同特征区域的温度测量。对该系统的信号采集与转换、误差分析与补偿、测温特性指标、以及微热管的热性能进行了研究。该系统通过LabVIEW编程软件实现红外传感器的电信号采集与温度转换;将不同温度的加热块作为等温体参考,对比热电偶与红外测温结果完成静态和动态测温特性分析,进而通过环境温度补偿方法修正LED辐射热引起的传感器漂移误差;最后基于线性拟合法完成传感器的校准。利用该测试系统在不同热负载下测试了微热管的热性能。结果显示：测温系统的准确度、重复性及线性度分别为1.2-1.5℃、1%和0.2%;时间常数T和响应时间t0.05分别约为15ms和30ms。该红外非接触测温系统能够减小传感元件对被测温度场的影响,具有测温精度高和热惰性小的特点,为微热管热性能评估提供了新的测量方法。 展开更多
关键词 红外测温系统 非接触测量 温度测量 微热管 热性能 发光二极管
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