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GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片被引量：3: 1; 作者蒋东铭陈新宇 +1 位作者杨立杰黄子乾《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期37-41,共5页; 采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34d... 展开更多; 关键词毫米波砷化镓 pin二极管单刀双掷开关微波单片集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Q-MMIC技术的W波段低成本PIN管开关（英文）被引量：1: 2; 作者许正彬徐杰钱澄《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期680-683,共4页; 采用低成本方法设计了一款W波段单刀单掷开关.通过在单独加工的石英基片无源电路上安装倒装PIN管,获得了一款W波段准毫米波单片（Q-MMIC）开关.为了获得低损耗、高隔离度性能,开关设计中采用了3-D PIN管模型和电路补偿结构.测试结果表... 展开更多; 关键词准毫米波单片开关 pin管 W波段; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关: 3; 作者章军云齐志央 +5 位作者凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期357-362,共6页; 研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开... 展开更多; 关键词铝镓砷砷化镓异质结 pin二极管毫米波单刀三掷开关; 在线阅读下载PDF 职称材料

低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析: 4; 作者李彦波薄仕群张旭东《半导体情报》 1997年第4期39-42,共4页; 给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。; 关键词硅双极晶体管低温击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器被引量：5: 5; 作者贾晨阳彭龙新 +3 位作者刘昊凌志健李建平韩方彬《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第3期169-173,共5页; 设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路... 展开更多; 关键词毫米波限幅低噪声放大器 pin二极管 pHEMT晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

毫米波超宽带大功率单片单刀双掷开关被引量：1: 6; 作者刘会东魏洪涛 +1 位作者吴洪江高学邦《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期581-584,共4页; 采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型;在电路设计阶段采用GaAs pin二极管单级并联结构,提高功率特性;在工艺加工阶段调整p... 展开更多; 关键词毫米波单刀双掷(SPDT) 砷化镓 pin二极管微波单片集成电路(MMIC); 在线阅读下载PDF 职称材料

从S波段到毫米波段的可重构功分器设计研究: 7; 作者高伟男耿军平 +7 位作者周晗陈念王堃任超凡苏达贺冲梁仙灵金荣洪《电波科学学报》 CSCD 北大核心 2022年第3期394-404,共11页; 为满足毫米波可重构通信系统需要,文中设计了毫米波可重构威尔金森功分器.首先在S波段设计了基于PIN二极管的可重构功分器电路和原型;然后在此基础上把原理外推到K/Ka频段,通过参数提取方法重点研究PIN二极管寄生参数的影响及其最佳匹... 展开更多; 关键词可重构功率分配器 pin二极管开关阻抗变换器毫米波; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片被引量：3: 1; 作者蒋东铭陈新宇杨立杰黄子乾; 机构南京国博电子有限公司南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期37-41,共5页; 文摘采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。; 关键词毫米波砷化镓 pin二极管单刀双掷开关微波单片集成电路; Keywords millimeter-wave GaAs pin diode SPDT switch MMIC; 分类号 TN312.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Q-MMIC技术的W波段低成本PIN管开关（英文）被引量：1: 2; 作者许正彬徐杰钱澄; 机构东南大学毫米波国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期680-683,共4页; 基金 Supported by State Key Laboratory of Millimeter Waves Innovative Project Topics of Southeast University(Z201209); 文摘采用低成本方法设计了一款W波段单刀单掷开关.通过在单独加工的石英基片无源电路上安装倒装PIN管,获得了一款W波段准毫米波单片（Q-MMIC）开关.为了获得低损耗、高隔离度性能,开关设计中采用了3-D PIN管模型和电路补偿结构.测试结果表明开关在88 GHz时插入损耗最小,最小值为0.5 dB;在80~101 GHz频率范围内,开关导通时的插入损耗小于2 dB;在84~104 GHz频率范围内,开关隔离度大于30 dB.整个开关电路尺寸为1.5 mm×3.0 mm.; 关键词准毫米波单片开关 pin管 W波段; Keywords quasi-monolithic millimeter-wave integrated circuit（Q-MMIC） switch pin diode W-band; 分类号 TN773.2 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关: 3; 作者章军云齐志央凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜; 机构南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期357-362,共6页; 文摘研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。; 关键词铝镓砷砷化镓异质结 pin二极管毫米波单刀三掷开关; Keywords AlGaAs GaAs heterojunction pin diode millimeter-wave SP3T switch; 分类号 TN312.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析: 4; 作者李彦波薄仕群张旭东; 机构河北大学电子与信息工程系; 出处《半导体情报》 1997年第4期39-42,共4页; 文摘给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。; 关键词硅双极晶体管低温击穿电压; Keywords millimeter wave ask modulator pin diode; 分类号 TN322.806 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器被引量：5: 5; 作者贾晨阳彭龙新刘昊凌志健李建平韩方彬; 机构南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第3期169-173,共5页; 文摘设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路,减小了噪声,提高了电路稳定性。测试结果表明,该毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器在33~37GHz频带内,增益达到22dB,增益平坦为±1dB,输入驻波小于2,输出驻波小于1.5,噪声小于3.0dB,输出1dB增益压缩点(P1dB)大于5dBm,可以承受15W的脉冲输入功率。; 关键词毫米波限幅低噪声放大器 pin二极管 pHEMT晶体管; Keywords millimeter wave limiter low noise amplifier(limiter-LNA) pin diode pHEMT; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名毫米波超宽带大功率单片单刀双掷开关被引量：1: 6; 作者刘会东魏洪涛吴洪江高学邦; 机构河北半导体研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期581-584,共4页; 文摘采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型;在电路设计阶段采用GaAs pin二极管单级并联结构,提高功率特性;在工艺加工阶段调整p+层、n+层的掺杂浓度和i层的厚度,获得低损耗、高功率特性的GaAs pin二极管;最终制备的单刀双掷开关芯片在片测试表明,在25～40 GHz范围内插入损耗小于1.0 dB,隔离度大于25 dB,输入输出电压驻波比小于2.0∶1,具有优异的宽带小信号特性;35 GHz下承受功率高达34 dBm,具有非常好的功率特性。; 关键词毫米波单刀双掷(SPDT) 砷化镓 pin二极管微波单片集成电路(MMIC); Keywords millimeter-wave single pole doubl throw （SPDT） GaAs pin diode microwave mondithic intergrated circuit （MMIC）; 分类号 TM564.3 [电气工程—电器] TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名从S波段到毫米波段的可重构功分器设计研究: 7; 作者高伟男耿军平周晗陈念王堃任超凡苏达贺冲梁仙灵金荣洪; 机构上海交通大学电子工程系中国航空无线电电子研究所; 出处《电波科学学报》 CSCD 北大核心 2022年第3期394-404,共11页; 基金国家自然科学基金(61571289); 文摘为满足毫米波可重构通信系统需要,文中设计了毫米波可重构威尔金森功分器.首先在S波段设计了基于PIN二极管的可重构功分器电路和原型;然后在此基础上把原理外推到K/Ka频段,通过参数提取方法重点研究PIN二极管寄生参数的影响及其最佳匹配方式;最后设计了K/Ka频段的可重构功分器原型,并进行了仿真和测试.实测结果表明,K/Ka频段可重构功分器在工作带宽内,双路导通模式下端口1到传输端口(端口2和端口3)的插入损耗小于4.92 dB,传输端口之间的隔离度大于15.8 dB;单路导通模式下插入损耗小于1.65 dB,端口1和隔离端口之间的隔离度大于22.4 dB,实测结果与仿真结果基本一致.使用场路联合仿真的方法基于PIN二极管设计可重构功分器,在K/Ka频段考虑寄生参数的影响,设计的可重构功分器模型准确、结构简单,适合可重构系统应用.; 关键词可重构功率分配器 pin二极管开关阻抗变换器毫米波; Keywords reconfigurability power divider pin diode switch impedance transformer millimeter wave; 分类号 TN817 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片	蒋东铭陈新宇杨立杰黄子乾	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于Q-MMIC技术的W波段低成本PIN管开关（英文）	许正彬徐杰钱澄	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关	章军云齐志央凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析	李彦波薄仕群张旭东	《半导体情报》	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器	贾晨阳彭龙新刘昊凌志健李建平韩方彬	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2019	5	在线阅读下载PDF 职称材料
6	毫米波超宽带大功率单片单刀双掷开关	刘会东魏洪涛吴洪江高学邦	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	从S波段到毫米波段的可重构功分器设计研究	高伟男耿军平周晗陈念王堃任超凡苏达贺冲梁仙灵金荣洪	《电波科学学报》 CSCD 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料