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“EDA技术”课程实验教学的探索 被引量:18
1
作者 谢小东 李平 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2012年第6期181-183,共3页
结合申报"四川省精品课程"和"国家特色专业"的成功经验,从实验安排、实验内容、实验教材和实验平台等角度对该课程的实验教学进行了讨论,目的是使该课程开出特色、突出实用性,成为学生实实在在的"饭碗"... 结合申报"四川省精品课程"和"国家特色专业"的成功经验,从实验安排、实验内容、实验教材和实验平台等角度对该课程的实验教学进行了讨论,目的是使该课程开出特色、突出实用性,成为学生实实在在的"饭碗"课程。 展开更多
关键词 微电子学 EDA 教学特色
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纳米电子技术 被引量:6
2
作者 袁寿财 朱长纯 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期6-9,共4页
微电子技术引发了本世纪的信息革命。纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。
关键词 微电子技术 极限 纳米电子技术
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CMOS图像传感器中分段电容DAC非理想因素研究(英文) 被引量:2
3
作者 孙权 姚素英 +2 位作者 徐文静 聂凯明 徐江涛 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期32-39,共8页
CMOS图像传感器信号处理中通常采用分段电容DAC产生斜坡参考电压。研究了分段电容DAC精确的电容失配及寄生与其转换精度的关系式。基于对分段电容DAC工作原理的研究,导出了电容失配及寄生模型;针对其分数桥接电容失配、各二进制电容间... CMOS图像传感器信号处理中通常采用分段电容DAC产生斜坡参考电压。研究了分段电容DAC精确的电容失配及寄生与其转换精度的关系式。基于对分段电容DAC工作原理的研究,导出了电容失配及寄生模型;针对其分数桥接电容失配、各二进制电容间的失配及寄生电容问题进行了理论分析;对分段电容DAC进行非理想因素仿真,设计了一个采用分段电容DAC的10位单斜ADC并对其进行测试,仿真和测试结果均验证了理论分析的正确性。上述理论分析结果可作为分段电容DAC的设计指导。 展开更多
关键词 微电子学与固体电子学 电容失配 寄生 转换精度
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双面硅条探测器的研制与测试 被引量:2
4
作者 孙立杰 林承键 +10 位作者 杨峰 郭昭乔 郭天舒 徐新星 包鹏飞 杨磊 贾会明 马南茹 张焕乔 刘祖华 夏清良 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期336-342,共7页
研制了双面硅条探测器。探测器灵敏面积为48mm×48mm,厚约300μm,结面和欧姆面的硅条互相垂直,均由相互平行、宽度相等的48条组成,每条宽0.9mm、间距0.1mm。对其电气特性(耗尽偏压、反向漏电流、条间电阻)和探测特性(上升时间、... 研制了双面硅条探测器。探测器灵敏面积为48mm×48mm,厚约300μm,结面和欧姆面的硅条互相垂直,均由相互平行、宽度相等的48条组成,每条宽0.9mm、间距0.1mm。对其电气特性(耗尽偏压、反向漏电流、条间电阻)和探测特性(上升时间、能量分辨、条间串扰)进行了测试。在偏压为-15V时,各条平均反向漏电流小于10nA。对于从结面入射的5.157 MeV的α粒子,前放信号上升时间约45ns,结面各条的能量分辨率约0.6%-0.7%,基本无条间串扰;欧姆面各条能量分辨率较差,存在条间串扰。 展开更多
关键词 双面硅条探测器 微电子工艺 电气特性 探测特性 条间串扰
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复合静电-磁浸没透镜的宽束曲轴聚焦性质及像差理论 被引量:1
5
作者 程敏 唐天同 姚振华 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期5-9,共5页
研究了新型的复合静电 磁浸没透镜的曲光轴高斯电子光学性质及像差特性。应用宽束曲轴理论 ,导出了三维局部正交坐标系中的电子运动的中心轨迹方程和曲光轴的近轴轨迹方程 ;利用数学软件Mathematica推导出了复合静电 磁浸没透镜全部曲... 研究了新型的复合静电 磁浸没透镜的曲光轴高斯电子光学性质及像差特性。应用宽束曲轴理论 ,导出了三维局部正交坐标系中的电子运动的中心轨迹方程和曲光轴的近轴轨迹方程 ;利用数学软件Mathematica推导出了复合静电 磁浸没透镜全部曲轴二级像差系数。作为实例 ,文中针对轴上磁场和电场具有某种解析表达式的旋转对称的静电 磁浸没透镜系数 ,计算了它的曲轴高斯聚焦特性和二级像差 。 展开更多
关键词 静电-磁浸没透镜 曲光轴 像差 轨迹 聚焦性质 微电子技术 带电粒子光学
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四管像素满阱容量影响因素研究 被引量:3
6
作者 孙权 姚素英 +2 位作者 徐江涛 徐超 张冬苓 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期815-819,共5页
在分析光电二极管电容、浮空节点电容以及电荷转移效果这三方面影响满阱容量的基础上,着重讨论了最重要的光电二极管电容对满阱容量的影响,建立了满阱容量的计算模型。将测试结果与模型公式进行拟合,可以预估像素的满阱容量,指导像素设... 在分析光电二极管电容、浮空节点电容以及电荷转移效果这三方面影响满阱容量的基础上,着重讨论了最重要的光电二极管电容对满阱容量的影响,建立了满阱容量的计算模型。将测试结果与模型公式进行拟合,可以预估像素的满阱容量,指导像素设计。为了提高四管像素的满阱容量,提出在钳位光电二极管与浮空节点之间增加P型注入层稳定阱容量的方法。增加P型注入层可以大幅减小积分时间内光电二极管中储存的光生电子向浮空节点方向的泄漏,从而有效稳定阱容量。测试结果表明,在多种工艺条件下,像素的满阱容量从基本可以忽略提升至十万个电子的量级。 展开更多
关键词 微电子学与固体电子学 四管像素 满阱容量 CMOS图像传感器 光电二极管电容 防穿通注入
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用于FPGA的多层次集成设计系统的设计与实现 被引量:6
7
作者 张峰 李艳 +13 位作者 韩小炜 李明 张倩莉 陈亮 吴利华 张国全 刘贵宅 郭旭峰 杨波 赵岩 王剑 李建忠 于芳 刘忠立 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2012年第5期377-385,共9页
针对当前现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)领域,电子设计自动化(electronic design automation,EDA)工具集成度不够高、不具备用户自主设计FPGA芯片的功能等问题,设计并实现一套完整的FPGA多层次集成设计系统(vers... 针对当前现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)领域,电子设计自动化(electronic design automation,EDA)工具集成度不够高、不具备用户自主设计FPGA芯片的功能等问题,设计并实现一套完整的FPGA多层次集成设计系统(versatile design system,VDS).该系统包括高度集成的设计开发环境和FPGA芯片级到系统级的设计与验证工具,为设计、应用和验证自主研发的FPGA芯片提供了一个有效平台.VDS的显著特点在于提供了全自动芯片生成功能,使用户能根据自身需要灵活控制芯片的规模和功能,快速开发一系列的适应不同应用的FPGA.借助VDS成功设计出两款FPGA芯片,通过对FPGA进行电路设计以及对芯片和应用进行仿真与验证,证明了VDS的有效可行. 展开更多
关键词 微电子学 现场可编程门阵列 电子设计自动化 集成设计系统 用户图形界面 架构设计 版图设计 系统级设计 芯片仿真 芯片板级测试
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硅多条探测器的研制 被引量:1
8
作者 谭继廉 靳根明 +10 位作者 王宏伟 段利敏 袁小华 王小兵 李松林 卢子伟 徐瑚珊 宁宝俊 田大宇 王玮 张录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期551-554,共4页
描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果.这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm.P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm.当探测器工作在全耗尽偏压下,每一... 描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果.这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm.P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm.当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA.对239Pu α粒子的能量分辨为0.5%~0.9%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%~8%. 展开更多
关键词 反向漏电流 微电子工艺 探测器 掺杂 偏压 宽度 描述 能量分辨 等分 Α粒子
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微力电系统中多层膜的端部应力集中 被引量:2
9
作者 余寿文 徐千军 《机械强度》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期7-13,共7页
微电子技术的发展对其本身及封装的结构可靠性提出了更高的要求,微机械的出现又使得微电子机械元器件的电学行为和力学行为密不可分,从而扩展成为一个统一的微力电系统。微力电系统的强度问题主要是多层膜在制造和使用过程中,由于不... 微电子技术的发展对其本身及封装的结构可靠性提出了更高的要求,微机械的出现又使得微电子机械元器件的电学行为和力学行为密不可分,从而扩展成为一个统一的微力电系统。微力电系统的强度问题主要是多层膜在制造和使用过程中,由于不同材料热学与力学参量的失配引起的残余热应力,特别是在界面和端部的应力集中。本文应用有限元方法分析了在不同的端部几何形状和组合形状下,多层膜中应力沿界面的分布。对于微电子元件在成型过程中产生的残余应力,则同时讨论了温度历史和结构几何形状变化引起的应力重分布。对计算结果的分析和比较,可以帮助我们加深对结构和工艺优化问题的深入理解。 展开更多
关键词 微力电系统 微电子元件 薄膜 应力集中 机械学
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郭山高岭土铁钛赋存状态的分析电子显微术研究 被引量:1
10
作者 王宗良 张天乐 《岩石矿物学杂志》 CAS CSCD 1993年第2期182-188,T002,共8页
使用分析电子显微术对福建郭山高岭土中铁、钛元素的赋存状态进行了研究。结果表明,高岭土中铁钛的赋存状态分为两类,一类为参加到粘土矿物晶格中的铁和钛,简称为结构铁、结构钛;另一类为游离出现或吸附在高岭矿物(高岭石和埃洛石)颗粒... 使用分析电子显微术对福建郭山高岭土中铁、钛元素的赋存状态进行了研究。结果表明,高岭土中铁钛的赋存状态分为两类,一类为参加到粘土矿物晶格中的铁和钛,简称为结构铁、结构钛;另一类为游离出现或吸附在高岭矿物(高岭石和埃洛石)颗粒表面的铁、钛矿物。查明了在全铁和全钛中,结构铁和结构钛仅占少数,大部分以铁、钛独立矿物形式出现。从而确定了可将高岭土粘粒级(<2μm)中铁、钛含量降低到的最低限度,这便为提高高岭土品级和经济价值提供了可靠的依据。 展开更多
关键词 高岭土 电子显微镜
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电子-离子双束纳米工作站
11
作者 马向国 顾文琪 韩立 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第B12期70-72,共3页
现代微电子工业迅猛发展,对电子设备的精度和功能也提出了新的要求。电子-离子双束纳米工作站是扫描电子束和聚焦离子束技术的独特融合,突破了只能对表层成像和分析的局限,它可以对样品进行三维的、表面下的观察和分析,也可以切割、研... 现代微电子工业迅猛发展,对电子设备的精度和功能也提出了新的要求。电子-离子双束纳米工作站是扫描电子束和聚焦离子束技术的独特融合,突破了只能对表层成像和分析的局限,它可以对样品进行三维的、表面下的观察和分析,也可以切割、研磨样品材料和沉积特定的材料,用它可以获得以前无法得到的样品信息。该工作站为研究人员和制造人员提供了一种对多种样品在纳米尺度进行修改、制作和分析的有效工具。 展开更多
关键词 扫描电子束 聚焦离子束 微电子技术
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具有MUX模式的新型LUT结构及其优化算法
12
作者 郭旭峰 王作建 +1 位作者 李明 于芳 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2013年第3期248-253,共6页
针对传统4-LUT实现多路选择器(multiplexer,MUX)时逻辑利用率低,延迟略大的不足,提出具有MUX模式的新型查找表(look-up table,LUT)结构—M-LUT.M-LUT通过改进传统4-LUT结构,使其在兼容传统4-LUT功能的基础上新增MUX模式,仅需配置1个MUX... 针对传统4-LUT实现多路选择器(multiplexer,MUX)时逻辑利用率低,延迟略大的不足,提出具有MUX模式的新型查找表(look-up table,LUT)结构—M-LUT.M-LUT通过改进传统4-LUT结构,使其在兼容传统4-LUT功能的基础上新增MUX模式,仅需配置1个MUX模式的M-LUT即可实现1个MUX4功能,且延迟仅为一级LUT延迟.为M-LUT设计配套的优化算法,以提高M-LUT利用率.实验结果显示,采用M-LUT加优化算法后,LUT资源占用平均减少8.4%,电路时钟频率平均提高3.1%. 展开更多
关键词 微电子学 多路选择器 查找表 MUX优化算法 现场可编程门阵列 电子设计自动化
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核酸主动式杂交微电子芯片及其应用研究进展
13
作者 周冬生 杨瑞馥 《生物技术通报》 CAS CSCD 2002年第5期38-42,共5页
介绍了基于电场作用下核酸主动杂交原理的微电子芯片的微加工方法、分析系统组成、杂交分析技术原理 ,综述了该技术在点突变分析、单核苷酸多态性分析、简单串联重复序列分析、芯片上多重链替代扩增、病原物检测等方面的应用进展。
关键词 核酸主动式杂交微电子芯片 应用 研究进展 技术原理
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等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的设计和研究
14
作者 朱大中 《电子科学学刊》 CSCD 1998年第3期429-432,共4页
本文报道了等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的结构设计和工艺过程。该器件的电子发射区域边缘的工艺台阶仅为10nm,其自对准的浅砷注入电流通道区宽度仅为3μm。与已报道的其它结构硅雪崩击穿电子发射器件相比较,该器件的电流... 本文报道了等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的结构设计和工艺过程。该器件的电子发射区域边缘的工艺台阶仅为10nm,其自对准的浅砷注入电流通道区宽度仅为3μm。与已报道的其它结构硅雪崩击穿电子发射器件相比较,该器件的电流电压特性曲线有更宽的线性区域和更低的通导电阻。本文也对其电子发射特性作了部分介绍。 展开更多
关键词 真空微电子学 电子发射 冷阴极
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微电子技术向纳电子技术的进化
15
作者 张煦 《光通信技术》 CSCD 1993年第3期129-136,共8页
本文先扼要回顾电子技术的进展历程,从晶体管至微电子集成电路,并引伸至光电子器件,近来又有倾向从微米尺度缩小至纳米尺度,即从微电子技术向纳电子技术进化。文中估测大规模集成电路发展遇到的极限,又说明光电子器件激光管和开关管及... 本文先扼要回顾电子技术的进展历程,从晶体管至微电子集成电路,并引伸至光电子器件,近来又有倾向从微米尺度缩小至纳米尺度,即从微电子技术向纳电子技术进化。文中估测大规模集成电路发展遇到的极限,又说明光电子器件激光管和开关管及集成的现状和趋向,以及超级计算机硅和砷化镓集成芯片的现状和推测。最后,简单叙述微加工技术现状和纳加工技术的开端,包括薄膜形成、版图制备、刻蚀工艺和测试仪器等技术,从而看出纳电子技术有可能开始起步。 展开更多
关键词 微电子技术 纳电子技术 光电子器件
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基于整数权重的非二进制SAR ADC及其校准算法的设计 被引量:3
16
作者 刘宇航 曹晓东 +1 位作者 张雪莲 张其鑫 《北京交通大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期46-53,共8页
针对逐次逼近型模数转换器(Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converter,SAR ADC)中电容失配引起转换精度降低的问题,提出了基于扰动的高精度SAR ADC校准算法.SAR ADC采用整数权重非二进制结构的分段电容阵列,在未... 针对逐次逼近型模数转换器(Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converter,SAR ADC)中电容失配引起转换精度降低的问题,提出了基于扰动的高精度SAR ADC校准算法.SAR ADC采用整数权重非二进制结构的分段电容阵列,在未增加额外冗余电容的情况下可实现误差容错的冗余功能,提高了SAR ADC输入信号的摆幅与转换精度.仿真结果表明,该校准算法将无杂散动态范围(Spurious-Free Dynamic Range,SFDR)从60.0 dB提升到106.3 dB,将有效位数(Effective Number of Bits,ENOB)从9.28 bit提升到13.75 bit,仿真结果验证了校准算法的正确性和有效性. 展开更多
关键词 微电子学与固体电子学 SAR ADC 电容失配 数字校准 分段
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微电子封装用焊滴按需喷射装置设计及试验研究 被引量:1
17
作者 马倩 齐乐华 +1 位作者 罗俊 钟宋义 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2015年第8期1244-1247,共4页
为满足先进电子线路柔性、快速钎焊,设计开发了机械振动式焊滴喷射装置,该装置由电磁驱动、焊滴喷射、同轴供气、温度控制等模块组成。采用锡铅合金进行了喷射试验,在供气流量7.5 L/min^10 L/min范围内,可制备出球形度较好的颗粒;通过... 为满足先进电子线路柔性、快速钎焊,设计开发了机械振动式焊滴喷射装置,该装置由电磁驱动、焊滴喷射、同轴供气、温度控制等模块组成。采用锡铅合金进行了喷射试验,在供气流量7.5 L/min^10 L/min范围内,可制备出球形度较好的颗粒;通过调节振动参数,实现了单颗均匀微滴的可控稳定喷射;本文试验条件下焊滴飞行平均速度约为2.43 m/s,有利于焊滴充分铺展以充分钎焊,为高质量的电子线路快速钎焊奠定了基础。 展开更多
关键词 微电子封装 焊滴 机械振动 喷射速度
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一种19.6~27.8 GHz 宽带低噪声锁相环设计 被引量:1
18
作者 朱耀辉 袁晓伟 +1 位作者 郑旭强 武锦 《中国测试》 CAS 北大核心 2020年第8期94-100,共7页
为给超高速数模转换器提供稳定的时钟信号,该文基于TSMC 40 nm CMOS工艺设计一款宽带低噪声的锁相环芯片。该芯片设计由二分频和计数器构成的分频器电路,减小吞脉冲带来的时钟抖动,从而优化噪声性能;此外,设计3位差分开关电容阵列,实现... 为给超高速数模转换器提供稳定的时钟信号,该文基于TSMC 40 nm CMOS工艺设计一款宽带低噪声的锁相环芯片。该芯片设计由二分频和计数器构成的分频器电路,减小吞脉冲带来的时钟抖动,从而优化噪声性能;此外,设计3位差分开关电容阵列,实现宽范围调谐的同时确保相邻调谐区间互相重叠,从而避免工艺误差导致的调谐盲区;最后还设计三阶环路滤波器及改进型差分电荷泵的电路。仿真结果表明,该锁相环具有19.6~27.8 GHz的宽带调谐范围,整体功耗为30 mW,输出频率频偏1 MHz处的相位噪声为–95.6 dBc/Hz。与其他文献的锁相环对比,在其他指标相当的前提下,该锁相环在调谐范围上具有先进性,可作为高性能的时钟信号。 展开更多
关键词 微电子学与固体电子学 锁相环 分频器 相位噪声
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碳纳米管光伏器件的研究进展
19
作者 金铁凝 陈长鑫 张亚非 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1838-1842,共5页
碳纳米管(CNT)具有优异的电学特性和独特的一维纳米结构,是制作光伏器件的良好材料.文中介绍了单根/多根CNT光伏器件、CNT薄膜光伏器件、CNT-有机光伏器件、杯状叠层CNT光伏器件等典型CNT光伏器件,并阐述了这些CNT光伏器件的结构及特性... 碳纳米管(CNT)具有优异的电学特性和独特的一维纳米结构,是制作光伏器件的良好材料.文中介绍了单根/多根CNT光伏器件、CNT薄膜光伏器件、CNT-有机光伏器件、杯状叠层CNT光伏器件等典型CNT光伏器件,并阐述了这些CNT光伏器件的结构及特性,分析了CNT在器件中的作用. 展开更多
关键词 微电子学与固体电子学 太阳能电池 碳纳米管 光伏效应
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某型电子雷管在隧道控制爆破中的应用 被引量:6
20
作者 周慈亮 汤有富 +3 位作者 郑琪 严宜豪 夏崟 李劲松 《爆破器材》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期51-54,共4页
分析了电子雷管的概念、主要功能及在隧道控制爆破中的优势。以新建某工程顾山隧道为例,详细介绍了某型电子雷管在隧道控制爆破中的应用。在隧道控制爆破工程中,采用该电子雷管可以明显改善破碎块度、增加抛掷距离、减少爆破振动、降低... 分析了电子雷管的概念、主要功能及在隧道控制爆破中的优势。以新建某工程顾山隧道为例,详细介绍了某型电子雷管在隧道控制爆破中的应用。在隧道控制爆破工程中,采用该电子雷管可以明显改善破碎块度、增加抛掷距离、减少爆破振动、降低爆破噪音、有效地降低爆破单耗、减少钻孔数量、提高爆破作业的安全性、简化起爆网路的施工操作程序。提供了一份具体的爆破施工案例数据,以此来推广电子雷管在爆破工程中的应用。 展开更多
关键词 电子雷管 隧道控制爆破 微电子技术
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