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无电学接触型氮化镓基Micro-LED器件光电性能 被引量：3
1
作者 许海龙 陈孔杰 +4 位作者 陈培崎 周雄图 郭太良 吴朝兴 张永爱 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期1592-1600,共9页
针对传统Micro-LED芯片巨量转移与键合、发光芯片与驱动电极高质量接触等技术难题,本文采用金属有机化合物化学气相沉积和原子层沉积工艺制备无电学接触型氮化镓基Micro-LED器件,研究了器件的伏安特性、亮度-频率特性、发光延迟特性及阻... 针对传统Micro-LED芯片巨量转移与键合、发光芯片与驱动电极高质量接触等技术难题,本文采用金属有机化合物化学气相沉积和原子层沉积工艺制备无电学接触型氮化镓基Micro-LED器件,研究了器件的伏安特性、亮度-频率特性、发光延迟特性及阻抗-频率特性等光电特性,并分析了器件工作机理。实验结果表明,交流驱动的无电学接触型Micro-LED器件的电流随着频率的增大而增大,且I-V特性呈线性关系。在20V_(pp)的驱动信号下,器件亮度随频率的增大先上升后下降,在频率为25 MHz时,器件亮度达到最大,且发光峰值滞后于电流峰值,说明器件的发光存在延迟。器件的等效阻抗随着频率的增大呈现先减小后趋于稳定的趋势,且器件在频率53 MHz附近出现负电容现象。 展开更多
关键词 micro-led器件 氮化镓 无电学接触 交流驱动 光电特性
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Micro-LED器件:从极性c面到非极性或半极性的发展趋势
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作者 王麒 杨波波 +6 位作者 李威晨 邹军 杨雪舟 徐华 钱麒 陈俊锋 李杨 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1347-1360,共14页
氮化镓作为第三代照明器件材料相较于第一代硅与第二代砷化镓在性能上有了很大提高,基于氮化镓的MicroLED器件也愈发被人们所关注。然而由于在传统c面上生长的LED其自身所固有的一些缺陷往往在实际应用中发射效率不高,如存在量子限制斯... 氮化镓作为第三代照明器件材料相较于第一代硅与第二代砷化镓在性能上有了很大提高,基于氮化镓的MicroLED器件也愈发被人们所关注。然而由于在传统c面上生长的LED其自身所固有的一些缺陷往往在实际应用中发射效率不高,如存在量子限制斯塔克效应、绿色间隙、载流子传输等问题。基于非极性或半极性的LED没有极化电场,具有较强的内量子效率,电子和空穴复合机率大等优点,对非极性和半极性Micro-LED器件的研究与应用引起了人们很大的兴趣。本文对非极性和半极性Micro-LED器件研究现状进行综述。首先从量子限制斯托克效应、绿色间隙、载流子传输、效率下降4个方面介绍了非极性和半极性氮化镓基材料的优势。接着针对缺陷位错、增加光提取效率与在不同电流密度下实现全彩显示等问题,介绍了芯片成形、图案刻蚀与阵列这3种技术,最后对Micro-LED作为下一代显示引领者进行了展望。希望对Micro-LED今后的研究有所帮助。 展开更多
关键词 氮化镓 micro-led 非极性 半极性
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芯片尺寸与阵列偏移对图形衬底Micro-LED光强空间分布的影响
3
作者 张佳辰 李盼盼 +2 位作者 李金钗 黄凯 李鹏岗 《发光学报》 北大核心 2025年第2期366-372,共7页
微型发光二极管(Micro-light emitting diode,Micro-LED)以高亮度、高对比度、低能耗和快速响应等优异特性,广泛应用于户外显示、增强现实和虚拟现实等领域。然而,Micro-LED的微型化带来了光强分布控制的挑战。为提高其发光效率,常使用... 微型发光二极管(Micro-light emitting diode,Micro-LED)以高亮度、高对比度、低能耗和快速响应等优异特性,广泛应用于户外显示、增强现实和虚拟现实等领域。然而,Micro-LED的微型化带来了光强分布控制的挑战。为提高其发光效率,常使用图形蓝宝石衬底(Patterned sapphire substrate,PSS)技术,通过微米级图形单元优化光提取率。在大尺寸LED中,PSS对光强空间分布影响较小,但在微米级Micro-LED中影响显著。本文采用光线追迹方法,系统研究了发光波长为460 nm的不同尺寸PSS Micro-LED在不同阵列偏移下的光强空间分布,并量化了光强空间分布的非对称率,最后解释了该现象。结果表明,随着尺寸减小,PSS对光强空间分布影响增大。当尺寸为3μm×5μm时,在y轴和x轴的光强空间分布的非对称率达3.06%和4.22%,因而影响Micro-LED发光均匀性。本研究为Micro-LED在显示应用中的优化设计提供了理论支持。 展开更多
关键词 micro-led 图形蓝宝石衬底(PSS) 非对称率
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高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器制备
4
作者 张杰 王光华 +10 位作者 邓枫 杨文运 高思博 鲁朝宇 孟泽阳 高树雄 常诚 曹坤宇 马赛江 刘颖琪 王丽琼 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第10期1186-1191,共6页
Micro-LED作为一种新型的显示技术,具有对比度高、响应快及寿命长等优点,已成为当前研究的热点。然而,尽管潜力巨大,Micro-LED技术的商业化之路仍面临诸多技术上的挑战与瓶颈。本文旨在探讨高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器的制备... Micro-LED作为一种新型的显示技术,具有对比度高、响应快及寿命长等优点,已成为当前研究的热点。然而,尽管潜力巨大,Micro-LED技术的商业化之路仍面临诸多技术上的挑战与瓶颈。本文旨在探讨高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器的制备过程及其相关技术。基于WVGA041全数字信号电路CMOS硅基驱动电路,制作了0.41 inch、分辨率为800×480的主动式单色绿光Micro-LED微型显示器。利用高精度倒装焊接技术实现了CMOS驱动电路与LED发光芯片的电气连接。结果表明,制备出LED显示芯片正常启亮电压为2.8V,EL光谱峰值波长524nm;在硅基CMOS电路驱动范围内,Micro-LED微型显示器在5V电压下,器件亮度为108000cd/m^(2)(最大亮度可达250000 cd/m^(2)),电流密度达到0.61A/cm^(2)时色坐标为(0.175,0.756)。当电流密度从0.3A/cm^(2)增加到1.3A/cm^(2)时,色坐标从(0.178,0.757)变化到(0.175,0.746),器件的色稳定性能够满足实际应用要求。 展开更多
关键词 micro-led 微型显示器 高亮单色绿光发光二级管
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基于GaN功率器件的星载高功率T/R组件加速寿命试验方法
5
作者 武小坡 肖连辉 +1 位作者 李阳斌 吴家锋 《航天器环境工程》 2025年第2期214-220,共7页
针对GaN器件在宇航应用中可靠性数据匮乏的问题,开展地面加速寿命试验研究。通过对GaN器件的失效模式和高温退化机理分析,结合阿伦尼乌斯模型,计算得出该型器件的加速寿命试验激活能和加速系数,进而确定了科学合理的试验温度和试验时间... 针对GaN器件在宇航应用中可靠性数据匮乏的问题,开展地面加速寿命试验研究。通过对GaN器件的失效模式和高温退化机理分析,结合阿伦尼乌斯模型,计算得出该型器件的加速寿命试验激活能和加速系数,进而确定了科学合理的试验温度和试验时间。针对某基于GaN器件的星载T/R组件,设计了一种加速寿命试验方法。按照该方法将该T/R组件置于真空罐中进行480 h的加速寿命试验,结果表明,T/R组件的各项电性指标和功能全程均保持正常稳定,有效验证了T/R组件(及其中GaN器件)的长期可靠性,为后续同类星载大功率T/R组件的可靠性评估提供了指导和借鉴。 展开更多
关键词 星载高功率T/R组件 GaN功率器件 加速寿命试验 可靠性评估
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单分子器件电学特性测量仪器的研制及教学设计
6
作者 陈亚兰 叶雨清 +5 位作者 刘豪杰 刘俊扬 吴文峰 白杰 李晓慧 洪文晶 《大学化学》 2025年第2期137-150,共14页
为了填补本科实验教学中单分子尺度电学表征实验教学的空白,我们自主研发了一款专为教学实验定制的高精度单分子器件电学特性测量仪器,并基于该仪器设计了一套完整的实验教学方案。该实验已被纳入厦门大学“化学测量学与技术”专业必修... 为了填补本科实验教学中单分子尺度电学表征实验教学的空白,我们自主研发了一款专为教学实验定制的高精度单分子器件电学特性测量仪器,并基于该仪器设计了一套完整的实验教学方案。该实验已被纳入厦门大学“化学测量学与技术”专业必修课及化学“101计划”——化学测量学实验课程,展现出鲜明的跨学科特性。通过开展单分子器件电学特性的测量实验,不仅能够激发学生对未来半导体和芯片技术前沿动态的思考,更能在实践过程中有效锻炼学生的跨学科思维能力,促进学生综合素养的全面提升。 展开更多
关键词 化学测量学实验 单分子器件 教学仪器 仪器研制
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织物基柔性电子器件的全印刷制造与应用
7
作者 吴伟 《纺织高校基础科学学报》 2025年第1期1-3,共3页
在科技创新引领产业变革的时代浪潮中,纺织行业正经历着深刻转型,纺织青年科学家作为推动行业进步的新生力量,其研究成果备受瞩目。2024年12月21日,本刊编辑部举办了以“智融纺织,绿动未来,共筑纺织科技新生态”为主题的第二届纺织青年... 在科技创新引领产业变革的时代浪潮中,纺织行业正经历着深刻转型,纺织青年科学家作为推动行业进步的新生力量,其研究成果备受瞩目。2024年12月21日,本刊编辑部举办了以“智融纺织,绿动未来,共筑纺织科技新生态”为主题的第二届纺织青年科学家论坛。我校校友,中国工程院院士,武汉纺织大学校长徐卫林教授受邀作视频报告。同时,来自浙江大学、西北工业大学、武汉大学、东华大学、江南大学、武汉纺织大学、浙江理工大学、青岛大学、深圳大学、大连工业大学、安徽农业大学以及本校的青年科学家为论坛做了精彩的报告。本次推出的第二届纺织青年科学家论坛观点精要,汇集了11位作者的最新科研成果,涵盖了纺织材料的创新研发、智能纤维及智能可穿戴纺织品制造技术的突破应用、可持续发展的绿色纺织工艺等诸多关键议题。每一项成果都展现了青年科学家们敏锐的洞察力和勇于创新的精神。这些研究不仅代表了纺织科研的新方向,也为行业解决实际问题、实现可持续发展提供了新思路。本刊将这些观点精要呈现给每一位读者,希望通过分享这些学术观点,来促进纺织领域的学术交流与合作,激发更多创新灵感,助力纺织行业迈向更高的发展台阶,共同书写纺织科技发展的新篇章。 展开更多
关键词 织物基柔性电子器件 全印刷电子技术 智能穿戴
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基于色转换层的Micro-LED全彩色显示专利分析
8
作者 罗晓雅 《电视技术》 2024年第6期163-166,共4页
Micro-LED因其发光效率高、亮度高、响应时间短的优良性能,能够满足高分辨率、高亮度的新型显示需求,被视为下一代新型显示技术。针对基于色转换层的Micro-LED全彩色显示专利技术进行分析,统计该领域的专利申请趋势、地域分布和主要申请... Micro-LED因其发光效率高、亮度高、响应时间短的优良性能,能够满足高分辨率、高亮度的新型显示需求,被视为下一代新型显示技术。针对基于色转换层的Micro-LED全彩色显示专利技术进行分析,统计该领域的专利申请趋势、地域分布和主要申请人,梳理该领域的主要研究方向和重点专利,为后续相关领域的技术研发、专利申请和专利布局提供参考依据。 展开更多
关键词 micro-led 色转换 量子点 全彩色
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GaN基Micro-LED反向漏电流失效机理分析
9
作者 王伟 张腾飞 王绶玙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1539-1546,共8页
针对GaN基蓝光Micro-LED芯片,采用温度应力和电压应力的实验方法研究了其反向漏电流失效机理。结果表明,在温度应力下,Micro-LED芯片退化前的反向漏电流主要由多步热辅助隧穿电流构成,且受Poole-Frenkel(PF)隧穿机制影响;电压应力(-85V... 针对GaN基蓝光Micro-LED芯片,采用温度应力和电压应力的实验方法研究了其反向漏电流失效机理。结果表明,在温度应力下,Micro-LED芯片退化前的反向漏电流主要由多步热辅助隧穿电流构成,且受Poole-Frenkel(PF)隧穿机制影响;电压应力(-85V)退化后,反向漏电流会随着应力时间的延长而增大,此时由多步热辅助隧穿电流转换为空间电荷限制电流机制(SCLC)。通过分析退化前后的能带图得知,长时间的电压应力会发生击穿现象,导致Micro-LED芯片内部电场剧烈变化,电子能够以高能量碰撞到晶格原子,产生大量的载流子,从而增加了非辐射复合率,使得反向漏电流由原来的1.9766×10^(-7)A增大到1.5834×10^(-4)A。 展开更多
关键词 micro-led 失效机制 非辐射复合 遂穿通道 反向漏电流
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钙钛矿量子点色转换Micro-LEDs:稳定性与图案化研究进展
10
作者 严梓峻 刘众 +8 位作者 杨晓 赖寿强 颜丰裕 林宗民 林岳 吕毅军 郭浩中 陈忠 吴挺竹 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1-26,共26页
微型发光二极管(Micro light-emitting diode,Micro-LED)显示具有优异的显示性能和光电性质,被称为“下一代”终极显示技术。为了满足近眼显示需求,Micro-LED需要进一步微缩与集成化。随着微纳级图案化技术的不断革新,荧光色转换层法表... 微型发光二极管(Micro light-emitting diode,Micro-LED)显示具有优异的显示性能和光电性质,被称为“下一代”终极显示技术。为了满足近眼显示需求,Micro-LED需要进一步微缩与集成化。随着微纳级图案化技术的不断革新,荧光色转换层法表现出低制造成本等显著优势,相较于三色芯片法,更适合应用于对色域、分辨率有更高要求的虚拟/增强现实显示应用。钙钛矿量子点是最有前景的荧光色转换材料,然而自身晶格固有的不稳定性和外界环境因素刺激共同导致的结构降解是一大问题。另外,如何制备与Micro-LED芯片阵列相匹配的微米级荧光阵列图案是至关重要的。为此,本文首先讲述了造成钙钛矿量子点结构不稳定性的原因,其次,总结了配体交换、离子掺杂、表面包覆和化学交联等方案在提升钙钛矿量子点稳定性方面的应用,最后,总结了光刻技术和喷墨打印技术在制备高分辨率钙钛矿量子点荧光阵列的最新研究进展。 展开更多
关键词 micro-led 荧光色转换层法 钙钛矿量子点 稳定性 图案化技术
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极性相反结构的micro-LED和OLED混合集成显示器件的驱动
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作者 何爽 胡兴元 +7 位作者 黄忠航 夏志明 陈绍杭 刘明洋 杨天溪 周雄图 严群 孙捷 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期197-203,共7页
本文提出一种由OLED和micro-LED反向并联组成的AC全彩显示器件。该器件由二者按相反极性结构并联而成,能改善传统器件不同颜色子像素之间的亮度和光效不均匀等问题,兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命等优点。同时,本文提出了... 本文提出一种由OLED和micro-LED反向并联组成的AC全彩显示器件。该器件由二者按相反极性结构并联而成,能改善传统器件不同颜色子像素之间的亮度和光效不均匀等问题,兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命等优点。同时,本文提出了一种与之适配的反向并联显示器件专用驱动方案。新型显示器件能够改善传统单一元素显示器件的亮度和光效不均匀性,显示方案的提出能够解决传统驱动方案不适配AC显示器件反向并联结构的驱动问题。 展开更多
关键词 micro-led OLED 极性相反 显示驱动
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高温器件冷屏部件热辐射对芯片性能的影响
12
作者 曾昌行 陈军 +4 位作者 甘游宇 孙鸿生 黄一彬 陈正超 张志宇 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第1期146-155,共10页
随着高工作温度红外光电子器件的发展,更高的工作温度下,冷屏部件的热辐射会带来背景辐射噪声,对红外探测器的成像造成干扰。为研究高温器件冷屏部件热辐射对芯片性能的影响,基于蒙特卡洛原理,采用3D Studio Max建立冷屏模型,提取模型... 随着高工作温度红外光电子器件的发展,更高的工作温度下,冷屏部件的热辐射会带来背景辐射噪声,对红外探测器的成像造成干扰。为研究高温器件冷屏部件热辐射对芯片性能的影响,基于蒙特卡洛原理,采用3D Studio Max建立冷屏模型,提取模型信息编写程序,计算冷屏部件各部分对芯片的辐射传递因子,进而得到冷屏部件热辐射在芯片上产生的噪声信号。在给定的参数和条件下,对某高温器件冷屏进行计算分析,表明该高温器件冷屏部件的温度需低于196 K。为抑制高温器件冷屏部件的热辐射,研究了整体降低冷屏发射率和局部降低冷屏发射率这两种方案。整体降低冷屏发射率可降低冷屏自身热辐射产生的噪声信号,但会造成外部辐射中经冷屏反射间接到达芯片的杂散辐射噪声信号迅速增加。局部降低冷屏发射率可降低冷屏自身热辐射产生的噪声信号并使外部辐射中经冷屏反射间接到达芯片的杂散辐射噪声信号缓慢增加。采用局部降低冷屏发射率的方案,对总的杂散辐射的抑制效果与温度有关,当冷屏部件温度小于203 K时,会引起总的杂散辐射噪声信号增加;当冷屏部件温度大于203 K时,可以降低总的杂散辐射噪声信号。 展开更多
关键词 高温器件 冷屏 热辐射 噪声信号
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AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取
13
作者 吴淇暄 张贺秋 +4 位作者 朱江 宁思源 代晓 王子坤 梁红伟 《大连理工大学学报》 CAS 北大核心 2025年第1期105-110,共6页
有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了... 有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了两组AlGaN/GaN HEMT器件,这两组器件的源漏间距为80μm,栅源间距为10μm.其中一组器件固定栅宽为400μm,栅长分别为10、20、30、40、50、60μm;另一组器件固定栅长为40μm,栅宽分别为200、300、400、500、600、800μm.通过研究源漏之间的总电阻随栅长和栅宽变化规律,获得栅长与有效栅长的差值为0.48989μm,栅宽与有效栅宽的差值为-11.12191μm. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 器件参数 有效栅长 有效栅宽
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全固态电致变色器件研究进展
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作者 张文霞 贾岩 +1 位作者 程海峰 刘东青 《材料导报》 北大核心 2025年第1期40-50,共11页
电致变色器件具有轻巧、响应速度快、可重复使用性能好、易于制备柔性器件等优点,在智能传感器、智能窗户、柔性可穿戴设备和储能设备等领域具有广泛应用。相较于易泄漏、安全性低的液态器件,全固态电致变色器件易于封装且安全性高,具... 电致变色器件具有轻巧、响应速度快、可重复使用性能好、易于制备柔性器件等优点,在智能传感器、智能窗户、柔性可穿戴设备和储能设备等领域具有广泛应用。相较于易泄漏、安全性低的液态器件,全固态电致变色器件易于封装且安全性高,具有更好的综合应用性。本文首先介绍了电致变色器件的结构,详细综述了无机与有机固态电致变色器件的性能及应用,并对比分析了两者之间的优缺点。最后,从性能瓶颈、工艺难点及产业化等角度展望全固态电致变色器件的发展应用前景。 展开更多
关键词 电致变色器件 全固态 固态电解质 智能窗
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氧化锌微纳结构紫外发光与激光器件研究进展
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作者 刘茂生 王金辉 +2 位作者 阚彩侠 施大宁 姜明明 《发光学报》 北大核心 2025年第2期203-228,共26页
氧化锌(ZnO)拥有较宽的直接带隙(3.37 eV)、可观的激子束缚能(60 meV)以及良好的增益特性,这使其成为低维高效纯紫外发光及激光器件的理想材料。目前,基于各种形态的ZnO微腔已经实现了光泵浦激光,但电驱动器件的开发才是其走向实际应用... 氧化锌(ZnO)拥有较宽的直接带隙(3.37 eV)、可观的激子束缚能(60 meV)以及良好的增益特性,这使其成为低维高效纯紫外发光及激光器件的理想材料。目前,基于各种形态的ZnO微腔已经实现了光泵浦激光,但电驱动器件的开发才是其走向实际应用的关键。本文简要回顾了ZnO的基本特性及其微纳结构的常见制备方式,按不同的器件结构梳理了基于ZnO微纳结构的发光和激光器件的主要研究进展。首先,阐述了基于低维ZnO异质结构和肖特基结构的发光与激光器件及相应性能优化手段的研究进展;进一步讨论了p型ZnO材料及相应同质结构发光与激光器件的研究现状;最后对ZnO基器件仍旧存在的问题和未来发展方向进行了总结与展望。 展开更多
关键词 氧化锌 发光器件 激光器件 异质结 同质结
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基于Micro-LED技术的汽车照明和车载显示应用研究
16
作者 冯美权 《时代汽车》 2024年第22期149-151,共3页
随着汽车智能化和电动化的发展,Micro-LED凭借其高亮度、快速响应、宽色域等优异性能,在先进车灯系统和车载显示屏等方面领域呈现广阔的创新应用前景,能够提升安全性、增强驾乘体验。虽然Micro-LED在芯片制造、封装、驱动电路等关键环... 随着汽车智能化和电动化的发展,Micro-LED凭借其高亮度、快速响应、宽色域等优异性能,在先进车灯系统和车载显示屏等方面领域呈现广阔的创新应用前景,能够提升安全性、增强驾乘体验。虽然Micro-LED在芯片制造、封装、驱动电路等关键环节的核心技术已经取得显著进展,但其在汽车应用中仍亟待解决成本高昂、可靠性不稳定等问题。在未来智能座舱和自动驾驶等领域,Micro-LED技术将成为推动汽车交互智能化的重要支撑技术之一。 展开更多
关键词 micro-led 智能车灯 车载显示 汽车交互
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面向整星隔振系统的电磁流变材料及器件研究进展
17
作者 周锋 赵佳敏 +3 位作者 马宁 钮晨光 王奇 董旭峰 《航天制造技术》 2025年第2期18-34,共17页
为促进电磁流变技术在航天领域中的应用,对国内外电磁流变材料及器件的研究进展进行了详细阐述。从材料的类型、流变特性以及研发历程三方面对电磁流变材料进行了分类汇总;介绍了电磁流变器件的工作原理,并对电磁流变器件构造形式与参... 为促进电磁流变技术在航天领域中的应用,对国内外电磁流变材料及器件的研究进展进行了详细阐述。从材料的类型、流变特性以及研发历程三方面对电磁流变材料进行了分类汇总;介绍了电磁流变器件的工作原理,并对电磁流变器件构造形式与参数优化方法进行了综述和比较;总结了磁流变技术在整星隔振系统中的研究现状和应用难题;指出了电流变材料及器件在整星隔振系统的应用优势和技术挑战,最后展望了电磁流变技术应用于航天隔振中的发展方向与关注重点。 展开更多
关键词 整星隔振 磁流变 电流变 材料 器件
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汗液发电:原理、器件结构及应用
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作者 戴江炫 姬文辉 +2 位作者 卢嘉铖 谢瑞杰 李林 《材料导报》 北大核心 2025年第2期1-16,共16页
可穿戴设备作为一种新兴科技产品,已在健康监测、人机交互和航天航空等领域展现出巨大的应用潜力。然而,大多数可穿戴设备的能源供给方式仍采用传统的纽扣电池或锂电池组供电,此类电池刚性大、体积臃肿、储能量有限、寿命短,严重限制了... 可穿戴设备作为一种新兴科技产品,已在健康监测、人机交互和航天航空等领域展现出巨大的应用潜力。然而,大多数可穿戴设备的能源供给方式仍采用传统的纽扣电池或锂电池组供电,此类电池刚性大、体积臃肿、储能量有限、寿命短,严重限制了可穿戴设备的应用及推广。人体排汗的连续性以及汗液中包含了大量的电解质和代谢物,使得汗液成为可穿戴器件持续能源供给的潜在来源。汗液电池是一种利用人体汗液作为燃料进行供电的新型技术,具有轻薄柔软、反应条件温和、生物相容性高、可穿戴等优点。本综述旨在全面总结汗液电池的工作原理、材料特性、器件结构与最新进展,以期为柔性汗液电池的发展提供参考。 展开更多
关键词 汗液发电 柔性可穿戴器件 水伏效应 生物燃料电池
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器件级带电器件模型静电放电测试标准分析及应用
19
作者 江徽 唐震 +2 位作者 王倩倩 万永康 虞勇坚 《电子技术应用》 2025年第4期35-39,共5页
针对器件级带电器件模型(CDM)静电放电国内外主要测试标准进行了整理、分析与解读。梳理了各标准之间的差异性和关联性,明确了各标准的应用范围与技术要点。深入研究了影响器件级带电器件模型(CDM)静电放电测试结果的因素与控制方法,提... 针对器件级带电器件模型(CDM)静电放电国内外主要测试标准进行了整理、分析与解读。梳理了各标准之间的差异性和关联性,明确了各标准的应用范围与技术要点。深入研究了影响器件级带电器件模型(CDM)静电放电测试结果的因素与控制方法,提出了在标准应用过程中保障结果一致性和准确性的相关技术技巧,为器件级带电器件模型(CDM)测试标准的选择、测试和工程应用提供了指导。 展开更多
关键词 带电器件模型 器件级 测试标准
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共源共栅结构GaN HEMT器件高能质子辐射效应
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作者 邱一武 董磊 +1 位作者 殷亚楠 周昕杰 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第2期122-129,共8页
针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^... 针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^(-2)的5 MeV质子辐照后,器件阈值电压明显减小,跨导峰位负漂且峰值跨导减小,饱和漏极电流显著增加,栅泄露电流无明显变化,当辐照注量达到1×10^(13)cm^(-2)后,电学性能退化受到抑制并趋于饱和。分析认为Cascode结构GaN HEMT器件内部级联硅基MOS管的存在是导致辐照后阈值电压负漂和漏极电流增大的内在原因。结合低频噪声测试分析,发现质子辐照注量越高,器件噪声功率谱密度越大,表明辐照引入的缺陷就越多,辐照损伤越严重。与60 MeV和300 MeV质子辐照结果相比,5 MeV质子辐照后器件电学特性退化最为严重。利用SRIM仿真得到GaN材料受到质子辐照后产生的空位情况,结果显示质子入射能量越低,产生的空位数量越多(镓空位VGa占主导),器件电学特性退化就越显著。 展开更多
关键词 增强型GaN HEMT器件 质子辐照 电学特性 低频噪声 SRIM仿真
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