p型MgxZn1-xO薄膜材料的制备与光学特性 被引量：4

1

作者 董鑫 赵旺 +2 位作者 张宝林 李香萍 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期129-132,共4页

通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上生长出了MgxZn1-xO薄膜,通过氧气气氛下的高温退火使得衬底中的As原子通过扩散作用进入薄膜形成受主,得到p型的MgxZn1-xO薄膜。退火前后XPS谱中As(3d)峰的对比表明,MgxZn1-xO薄膜中存在A... 通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上生长出了MgxZn1-xO薄膜,通过氧气气氛下的高温退火使得衬底中的As原子通过扩散作用进入薄膜形成受主,得到p型的MgxZn1-xO薄膜。退火前后XPS谱中As(3d)峰的对比表明,MgxZn1-xO薄膜中存在As。电学测试结果表明:退火对样品的电阻率和载流子浓度的影响很大。这是长时间的氧气退火使得氧空位数目明显减少,从而使Zn—O键数量显著增加造成的。在样品的X射线衍射(XRD)谱中,p型样品的(002)衍射峰明显弱于n型样品。而在二者的光致发光(PL)谱中,都存在着很强的近带边发射(NBE)峰和较弱的深能级发射(DLE)峰,p型样品的NBE峰明显较弱而DLE峰却很强。这些现象是由于As原子的扩散,使薄膜中产生了新的缺陷能级,导致能级间的激子复合更加复杂。稳定的p型MgxZn1-xO薄膜的获得为制备MgxZn1-xO同质结和发光二极管奠定了基础。 展开更多

关键词 p型mgxzn1-xo薄膜 光致发光

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立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

2

作者 吴惠桢 梁军 +3 位作者 劳燕锋 陈乃波 徐天宁 邱东江 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期386-389,共4页

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-xO(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400～800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73. 展开更多

关键词 立方相mgxzn1-xo薄膜 微结构 光学特性

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MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究 被引量：1

3

作者 吕珊珊 方铉 +11 位作者 王佳琦 方芳 赵海峰 楚学影 李金华 房丹 唐吉龙 魏志鹏 马晓辉 王晓华 浦双双 徐莉 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2355-2359,共5页

采用操作简单的溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法在石英衬底上分别制备了MgxZn1-xO薄膜和MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的透明导电薄膜并对样品进行退火处理。利用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、光致发光、霍尔效应测试对在不同退火... 采用操作简单的溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法在石英衬底上分别制备了MgxZn1-xO薄膜和MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的透明导电薄膜并对样品进行退火处理。利用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、光致发光、霍尔效应测试对在不同退火温度下薄膜的晶体结构、光学和电学性质进行表征分析,并研究退火温度对其影响。测试结果表明:所制备的薄膜样品均具有良好的c轴(c-axis)取向并呈现出六角纤锌矿结构。Mg组分的增加使得ZnO基薄膜的光学带隙逐渐增大,PL发光谱和吸收光谱的谱线出现了明显的蓝移现象,但薄膜的电学特性有所降低。而在MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的薄膜样品中,Au夹层的存在使薄膜的光学性质变差,在紫外区域透光率约为60%。但薄膜的电学性质得到明显改善,相比MgxZn1-xO薄膜,其电阻率和迁移率显著提高。此外通过高温退火处理可以有效提高所制备薄膜的晶体质量,进一步提高样品电学特性,其中经过500℃退火后的薄膜迁移率达到了40.9cm2·Vs-1,电阻率为0.005 7Ω·cm。但随着退火温度的进一步升高,薄膜晶体尺寸从25.1nm增大到32.4nm,从而降低了该薄膜的迁移率。因此该夹层结构的MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO薄膜对于促进ZnO基透明导电薄膜在深紫外光学器件中的应用有重要作用。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 mgxzn1-xo/Au/mgxzn1-xo 退火温度

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Mg_xZn_(1-x)Se合金的电子结构、光学性质和稳定性的第一性原理研究（英文） 被引量：1

4

作者 余志强 张昌华 +2 位作者 廖红华 李时东 郎建勋 《华中师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2017年第6期796-803,共8页

基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了闪锌矿Mg_xZn_(1-x)Se合金的稳定性、电子结构和光学性质.研究结果表明,闪锌矿ZnSe和Mg_xZn_(1-x)Se合金都为直接带隙半导体,Mg_xZn_(1-x)Se合金的带隙宽度Eg和形成能Eb分别可以由Eg=1.30+1.34x... 基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了闪锌矿Mg_xZn_(1-x)Se合金的稳定性、电子结构和光学性质.研究结果表明,闪锌矿ZnSe和Mg_xZn_(1-x)Se合金都为直接带隙半导体,Mg_xZn_(1-x)Se合金的带隙宽度Eg和形成能Eb分别可以由Eg=1.30+1.34x和Eb=-1.48+0.60x-0.27x^2进行估计.同时,Mg_xZn_(1-x)Se合金的价带顶主要取决于Se 4p和Zn 3p态电子的相互作用,而其导带底则主要由Zn4s、Zn 3p以及Se 4s态电子共同决定.此外,随着镁掺杂系数x的逐渐增大,Mg_xZn_(1-x)Se合金的静态介电常数逐渐减小,而其吸收谱则出现明显的蓝移现象.研究结果为Mg_xZn_(1-x)Se合金在光电探测器方面的应用提供了重要的理论指导. 展开更多

关键词 第一性原理 mgxzn1-xSe合金 电子结构 光学性质

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Mg_xZn_(1-x)O薄膜的生长及其光学性能 被引量：7

5

作者 宁丹 刘成有 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期559-561,共3页

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(1120)衬底上生长高质量的MgxZn1-xO合金薄膜,实验研究了各种不同Mg组分对样品光学性能的影响。通过光致发光荧光衰减特性对激子发光寿命的研究表明,激子的寿命随Mg组分的增加而增加,当Mg组... 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(1120)衬底上生长高质量的MgxZn1-xO合金薄膜,实验研究了各种不同Mg组分对样品光学性能的影响。通过光致发光荧光衰减特性对激子发光寿命的研究表明,激子的寿命随Mg组分的增加而增加,当Mg组分达到50%时,激子的寿命为872ps。 展开更多

关键词 金属有机化学气相沉积(MOCVD) mgxzn1-xo合金 寿命

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Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构和光学性质 被引量：4

6

作者 吴春霞 吕有明 +5 位作者 李炳辉 魏志鹏 刘益春 申德振 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期277-282,共6页

用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量... 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量的增加 ,薄膜的晶格常数c由 0 5 2 0 5nm减小到 0 5 1 85nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射 (NBE)峰 ,没有观察到深能级 (DL)发射 ,且随着Mg的掺入量的增加 ,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明 ,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动 ,这与室温下光致发光的结果是相吻合的 ,并计算出随着x值增加 ,带隙宽度从 3 338eV逐渐展宽到3 6 82eV。通过研究Mg0 1 2 Zn0 88O样品的变温光谱 ,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中 ,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo P-MBE X射线双晶衍射 光致发光

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Si(111)衬底上生长的立方Mg_xZn_(1-x)晶体薄膜 被引量：4

7

作者 邱东江 吴惠桢 +1 位作者 陈奶波 田维坚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1385-1388,共4页

在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn(1-x)O晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn(... 在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn(1-x)O晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn(1-x)O薄膜,温度过高时得到多晶薄膜.对高度(200)取向的立方Mg_xZn(1-x)O薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4.20eV,相对于MgO的带隙红移量为3.50eV.XRD分析还表明立方Mg_xZn(1-x)O薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0.16％.这使得高质量立方Mg_xZn(1-x)O/MgO多量子阱材料的制备成为可能. 展开更多

关键词 电子束反应蒸镀 立方mgxzn1-xo薄膜

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溶胶-凝胶法制备Mg_xZn_(1-x)O及其特性 被引量：3

8

作者 刘红霞 苏凤莲 +1 位作者 周圣明 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期849-852,共4页

采用溶胶-凝胶法制备了不同组分(x=0.1～0.3)的MgxZn1-xO前驱体,并对它进行不同温度的热处理(550℃～1000℃).X射线衍射(XRD)结果表明,Mg0.1Zn0.9O具有和ZnO一样的衍射谱,为六方纤锌矿结构,而且随着热处理温度的升高,ZnO衍射峰的强度逐... 采用溶胶-凝胶法制备了不同组分(x=0.1～0.3)的MgxZn1-xO前驱体,并对它进行不同温度的热处理(550℃～1000℃).X射线衍射(XRD)结果表明,Mg0.1Zn0.9O具有和ZnO一样的衍射谱,为六方纤锌矿结构,而且随着热处理温度的升高,ZnO衍射峰的强度逐渐增强,半高宽不断减小;Mg元素掺杂浓度增大后,出现了MgO的峰位.扫描电子显微镜(SEM)显示Mg0.1Zn0.9O晶粒粒径分布较均匀;热处理温度升高,晶粒的尺寸不断变大.用室温荧光光谱(PL)分析了经过550～1000℃热处理获得的Mg0.1Zn0.9O粉末,结果发现除了550℃下处理的样品,其它都有紫外发射峰(350nm左右),而且随着热处理温度的升高紫外峰有明显的蓝移现象. 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 mgxzn1-xo 热处理温度

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退火对立方相Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构和光学性质影响 被引量：2

9

作者 陈乃波 吴惠桢 +1 位作者 徐天宁 余萍 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期993-998,共6页

在蓝宝石(0001)衬底上低温生长立方相MgxZn1-xO(x>0．5)晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)和透射光谱分析高温退火对薄膜的结构和光学性质的影响．结果表明:对Mg0．53Zn0．47O薄膜,在900℃的退火温度下,(0002)衍射峰以及透射光谱上双吸收边... 在蓝宝石(0001)衬底上低温生长立方相MgxZn1-xO(x>0．5)晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)和透射光谱分析高温退火对薄膜的结构和光学性质的影响．结果表明:对Mg0．53Zn0．47O薄膜,在900℃的退火温度下,(0002)衍射峰以及透射光谱上双吸收边的出现均表明有六方结构从其立方结构中分离出来;但对于Mg含量高于55％的样品,即使经历了1000℃的高温退火,也不会有任何相分裂现象出现．而电学测试结果表明,高温下热稳定性良好的立方相Mg0．55Zn0．45O晶体薄膜还能用于金属-绝缘体-半导体的绝缘层,并且漏电流小．由此可以判断,x≥0．55的超饱和MgxZn1-xO薄膜具有稳定的立方相晶体结构和优良的光学、电学性质,因而是制作高质量的光电子器件和量子阱激光器的理想材料． 展开更多

关键词 立方相mgxzn1-xo薄膜 退火 晶体结构 光学性质 电学性质

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带隙可调的宽禁带半导体Mg_xZn_(1-x)O薄膜研究进展 被引量：3

10

作者 李春 方国家 赵兴中 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期177-180,共4页

MgxZn1 xO薄膜是一种新型宽禁带半导体薄膜,在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点,近年来逐渐成为半导体光电功能材料与器件的研究热点之一。本文从MgxZn1 xO薄膜的基本特性、制备方法、应用研究等方面进行了分析和评述... MgxZn1 xO薄膜是一种新型宽禁带半导体薄膜,在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点,近年来逐渐成为半导体光电功能材料与器件的研究热点之一。本文从MgxZn1 xO薄膜的基本特性、制备方法、应用研究等方面进行了分析和评述,并对其应用前景进行了展望。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 宽禁带 半导体 发展前景

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Mg掺杂量和退火温度对Mg_xZn_(1-x)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响 被引量：2

11

作者 王华 黄竹 +1 位作者 许积文 杨玲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1206-1210,共5页

以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六... 以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO∶Al薄膜为立方结构。当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域。退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo∶Al 紫外透明导电薄膜 Mg掺杂 光电性能

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Mg_xZn_(1-x)O薄膜的红外光谱及其表面浸润性 被引量：1

12

作者 王存勇 尚凤娇 +7 位作者 王峰 周智涛 刘昌龙 龚万兵 訾振发 吕建国 刘峰 黄凯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1106-1111,共6页

采用溶胶-凝胶法制备MgxZn1-xO薄膜,利用X射线衍射仪、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪和荧光光谱仪等测试分析薄膜的微结构、表面形貌、红外光谱和光致发光特性等,研究结果表明,薄膜中的Zn O成分均呈六角纤锌矿结构,当x=0.15时,薄... 采用溶胶-凝胶法制备MgxZn1-xO薄膜,利用X射线衍射仪、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪和荧光光谱仪等测试分析薄膜的微结构、表面形貌、红外光谱和光致发光特性等,研究结果表明,薄膜中的Zn O成分均呈六角纤锌矿结构,当x=0.15时,薄膜中有Mg O成分析出;随着x从0增大到0.15,均方根粗糙度不断减小;1038 cm-1附近的吸收峰对应于Si-O-Si的对称和反对称伸缩振动模,408 cm-1附近的吸收峰对应于六角结构Zn O的Zn-O振动模,900 cm-1附近的吸收峰则对应于SiO键伸缩振动模,该吸收峰强度的减弱说明薄膜中Si-O键数目减少。近带边发射峰位由410 nm蓝移到370 nm与薄膜导带底或价带顶的局域能级、薄膜禁带宽度变化等因素有关,可见光发射带是单离子氧空位(VO+)和氧填隙(Oi)等薄膜本征缺陷相互竞争的结果。用接触角测试仪测试薄膜的表面接触角,研究Mg含量对薄膜的表面浸润性及其光诱导可逆转变的影响,并探讨其形成机理。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 表面形貌 红外光谱 表面浸润性

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Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构特性研究

13

作者 张锡健 马洪磊 +1 位作者 王卿璞 马瑾 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期235-238,共4页

采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO(x=0．23)薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼(Raman)光谱和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构特性．XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,... 采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO(x=0．23)薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼(Raman)光谱和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构特性．XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,且具有沿c轴的择优取向,晶格常数与ZnO晶体的近似相等． Raman光谱不仅揭示 MgxZn1-xO薄膜具有六角纤锌矿结构,而且也表明MgxZn1-xO薄膜的结晶质量比在相同条件下制备的ZnO薄膜好． AFM图像则显示出Mg=Zn1-xO薄膜为多晶结构． 展开更多

关键词 mgxzn1-xo 射频磁控溅射 结构特性

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磁控溅射Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构与光学性能研究

14

作者 郭瑞 李东临 +2 位作者 王怡 武光明 邢光建 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第16期9-11,17,共4页

利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了MgxZn1-xO(x=0～0.2)薄膜。采用X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计和荧光光谱仪研究了Mg掺杂量对MgxZn1-xO薄膜结构与光学性能的影响。XRD图谱表明,MgxZn1-xO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且呈现... 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了MgxZn1-xO(x=0～0.2)薄膜。采用X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计和荧光光谱仪研究了Mg掺杂量对MgxZn1-xO薄膜结构与光学性能的影响。XRD图谱表明,MgxZn1-xO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且呈现出c轴择优生长特性,当x>0.1时薄膜出现(100)面衍射峰,薄膜的c轴择优生长特性减弱,随着x值的增加,晶格常数c逐渐减小。紫外可见光透射光谱表明,Mg的掺入提高了薄膜在可见光范围内的透过率,同时使薄膜的禁带宽度增大。PL谱分析显示,Mg的掺入使薄膜的紫外发射峰和蓝光发射带发生蓝移,当x=0.1时近带边发射峰与杂质发射的强度比值最高。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 射频磁控溅射 透过率 光致发光谱

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电子束蒸发结合热处理方法制备高质量Mg_xZn_(1-x)O薄膜 被引量：3

15

作者 董利普 刘玉学 +2 位作者 徐长山 刘益春 李亚军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期313-317,共5页

利用电子束蒸发结合热处理方法在150℃下,石英衬底上生长了纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜。用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),吸收光谱和室温光致发光(PL)光谱研究了退火条件和降温方式对MgxZn1-xO薄膜的微结构和光学性质的影响。在吸收光谱... 利用电子束蒸发结合热处理方法在150℃下,石英衬底上生长了纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜。用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),吸收光谱和室温光致发光(PL)光谱研究了退火条件和降温方式对MgxZn1-xO薄膜的微结构和光学性质的影响。在吸收光谱中,吸收边和吸收峰的蓝移说明:通过改变退火条件和降温方式,可以将MgxZn1-xO薄膜的带隙从3.37eV提高到3.61eV。从SEM的结果得出:吸收边和吸收峰的蓝移不是由量子限制效应引起的,而是形成了MgxZn1-xO合金薄膜。在XRD谱图中,没观察到属于MgO的衍射峰,700℃退火快速降温至室温薄膜的衍射峰的半高全宽(FWHM)较其他薄膜的衍射峰有所展宽,说明Mg2+已经成功地取代了ZnO中的Zn2+。薄膜的室温光致发光谱说明:通过采用快速降温,可制得高质量的MgxZn1-xO薄膜。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 电子束蒸发 光学性质

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溶胶-凝胶法制备Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构及光学特性 被引量：2

16

作者 刘莹 阳生红 +1 位作者 张曰理 包定华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期718-722,共5页

用溶胶-凝胶法制备了一系列的MgxZn1-xO(0≤x≤0.3)薄膜,并用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)研究了不同的退火温度和Mg的掺杂含量对MgxZn1-xO薄膜的结构和光学性质的影响。研究表明:MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的... 用溶胶-凝胶法制备了一系列的MgxZn1-xO(0≤x≤0.3)薄膜,并用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)研究了不同的退火温度和Mg的掺杂含量对MgxZn1-xO薄膜的结构和光学性质的影响。研究表明:MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;发现了中间热处理温度为350℃的MgxZn1-xO薄膜退火温度的转折点为700℃,低于这个温度时随退火温度的升高,(002)衍射峰强度增强且掺Mg的薄膜既有紫外光又有绿光发射;800℃退火时,薄膜的(002)衍射峰强度减小,出现了(100)和(101)衍射峰,且掺Mg的薄膜只有紫外发光峰。不同的掺杂浓度对于发光也有影响,低于700℃退火时,ZnO薄膜只出现紫外发光峰,掺Mg的薄膜却出现了紫外和绿光两个发光峰。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 溶胶-凝胶法 XRD 光致发光

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紫外发光的半导体Mg_xZn_(1-x)O薄膜制备与性质 被引量：3

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作者 金艳波 章蓓 +7 位作者 王永忠 陈 晶 张会珍 曹昌其 杨述明 黄春辉 H.Cao R.P.H.Chang 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期45-48,共4页

利用ＺｎＯ微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同ｘ值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜．电子显微镜和Ｘ射线衍射研究显示,薄膜由ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比Ｚ... 利用ＺｎＯ微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同ｘ值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜．电子显微镜和Ｘ射线衍射研究显示,薄膜由ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比ＺｎＯ粉末有所减小,并更具择优取向的趋势．室温下光致发光测量给出,ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜在小于３８０ｎｍ的紫外波段出现较强的半宽小于２０ｎｍ的激子性发光峰,而且带边峰的半宽以及带边峰与杂质缺陷峰强度之比均较原始的ＺｎＯ粉末有明显改善,表明这种ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜具有优良的紫外发光特性． 展开更多

关键词 宽禁带半导体薄膜 II-VI族氧化物半导体 mgxzn1-xo X射线衍射 光致发光.

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Mg_xZn_(1-x)O:Al靶材制备工艺和Mg掺杂对微观结构的影响研究

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作者 黄竹 王华 +2 位作者 许积文 杨玲 任明放 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第16期95-98,共4页

以纳米级的ZnO、MgO和Al2O3粉体为原料,经过湿式球磨得到了混合粉体,采用常压固相烧结的方法制备了高致密度MgxZn1-xO:Al陶瓷靶材,研究了预烧粉体、Mg掺杂量和烧结温度对靶材微观结构和性能的影响。研究表明,预烧粉体可以减少第二相的生... 以纳米级的ZnO、MgO和Al2O3粉体为原料,经过湿式球磨得到了混合粉体,采用常压固相烧结的方法制备了高致密度MgxZn1-xO:Al陶瓷靶材,研究了预烧粉体、Mg掺杂量和烧结温度对靶材微观结构和性能的影响。研究表明,预烧粉体可以减少第二相的生成;随着Mg掺杂量的增加,MgO立方相逐渐增多,在x=0.3时产生了相分离;在1100～1300℃内,随着烧结温度的升高,靶材的晶粒大小和密度逐渐增大,增大趋势在1300℃后变缓,1300℃烧结4h可以制得结构均匀、高致密度的MgxZn1-xO:Al靶材。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo:Al靶材 预烧 Mg含量 烧结工艺 微观结构

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宽禁带Mg_xZn_(1-x)O薄膜的制备和性能研究

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作者 盛国浩 贾芳 +3 位作者 朱德亮 曹培江 吕有明 马晓翠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期329-332,共4页

采用磁控溅射法,通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜。研究了Mg原子含量对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明,MgxZn1-xO薄膜在(0002)方向有明显的c轴择优取向。随着Mg原子含量的提高,薄膜由六... 采用磁控溅射法,通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜。研究了Mg原子含量对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明,MgxZn1-xO薄膜在(0002)方向有明显的c轴择优取向。随着Mg原子含量的提高,薄膜由六角单相转化为六角相和立方相的混合相。MgxZn1-xO合金薄膜的透射谱表明,薄膜的透射率略有下降,但在可见光区域的平均透射率仍大于85%,吸收边逐渐蓝移,最短的吸收边为283nm。能隙宽度图表明,MgxZn1-xO薄膜的能隙宽度从3.36eV增加到4.27eV。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 X射线衍射 透射光谱

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MgO相分离对Mg_xZn_(1-x)O纳米粉体结构和光学性能的影响

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作者 谢海燕 赵小如 +4 位作者 段利兵 白晓军 刘金铭 陈帅 史小龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期79-84,共6页

采用溶胶-凝胶法制备了MgxZn1-xO(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)纳米粉体。X射线衍射谱表明:在较高的温度(850℃以上)下退火,MgxZn1-xO纳米粉体从单一的纤锌矿结构相中分离出MgO相的掺杂浓度x约为0.13,且随着x的增加,MgO相含量呈指数型增长... 采用溶胶-凝胶法制备了MgxZn1-xO(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)纳米粉体。X射线衍射谱表明:在较高的温度(850℃以上)下退火,MgxZn1-xO纳米粉体从单一的纤锌矿结构相中分离出MgO相的掺杂浓度x约为0.13,且随着x的增加,MgO相含量呈指数型增长。室温光致发光谱显示:MgO相分离对紫外与绿光发射的相对强度有直接的影响,随着MgO相分离的出现,紫外发光峰蓝移,并随着MgO相的增加,紫外发光峰的强度受抑,绿光发光峰变强。样品的室温透过率显示:MgxZn1-xO的禁带宽度在x=0.1时达到最大值并受MgO相分离的影响而减小。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 mgxzn1-xo纳米粉体 相分离 光学性能

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