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Mg_xZn_(1-x)O:Al靶材制备工艺和Mg掺杂对微观结构的影响研究
1
作者
黄竹
王华
+2 位作者
许积文
杨玲
任明放
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第16期95-98,共4页
以纳米级的ZnO、MgO和Al2O3粉体为原料,经过湿式球磨得到了混合粉体,采用常压固相烧结的方法制备了高致密度MgxZn1-xO:Al陶瓷靶材,研究了预烧粉体、Mg掺杂量和烧结温度对靶材微观结构和性能的影响。研究表明,预烧粉体可以减少第二相的生...
以纳米级的ZnO、MgO和Al2O3粉体为原料,经过湿式球磨得到了混合粉体,采用常压固相烧结的方法制备了高致密度MgxZn1-xO:Al陶瓷靶材,研究了预烧粉体、Mg掺杂量和烧结温度对靶材微观结构和性能的影响。研究表明,预烧粉体可以减少第二相的生成;随着Mg掺杂量的增加,MgO立方相逐渐增多,在x=0.3时产生了相分离;在1100～1300℃内,随着烧结温度的升高,靶材的晶粒大小和密度逐渐增大,增大趋势在1300℃后变缓,1300℃烧结4h可以制得结构均匀、高致密度的MgxZn1-xO:Al靶材。
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关键词
mgxzn
1
-xo
:
al
靶
材
预烧
Mg含量
烧结工艺
微观结构
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职称材料
Mg掺杂量和退火温度对Mg_xZn_(1-x)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
被引量：
2
2
作者
王华
黄竹
+1 位作者
许积文
杨玲
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期1206-1210,共5页
以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六...
以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO∶Al薄膜为立方结构。当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域。退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移。
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关键词
mgxzn
1
-xo
∶
al
紫外透明导电薄膜
Mg掺杂
光电性能
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职称材料
题名
Mg_xZn_(1-x)O:Al靶材制备工艺和Mg掺杂对微观结构的影响研究
1
作者
黄竹
王华
许积文
杨玲
任明放
机构
桂林电子科技大学信息材料科学与工程系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第16期95-98,共4页
基金
广西教育厅基金(桂教科研200734)
文摘
以纳米级的ZnO、MgO和Al2O3粉体为原料,经过湿式球磨得到了混合粉体,采用常压固相烧结的方法制备了高致密度MgxZn1-xO:Al陶瓷靶材,研究了预烧粉体、Mg掺杂量和烧结温度对靶材微观结构和性能的影响。研究表明,预烧粉体可以减少第二相的生成;随着Mg掺杂量的增加,MgO立方相逐渐增多,在x=0.3时产生了相分离;在1100～1300℃内,随着烧结温度的升高,靶材的晶粒大小和密度逐渐增大,增大趋势在1300℃后变缓,1300℃烧结4h可以制得结构均匀、高致密度的MgxZn1-xO:Al靶材。
关键词
mgxzn
1
-xo
:
al
靶
材
预烧
Mg含量
烧结工艺
微观结构
Keywords
mgxzn
1
-xo
：
al
target, presintering, Mg content, sintering technology, microstructure
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Mg掺杂量和退火温度对Mg_xZn_(1-x)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
被引量：
2
2
作者
王华
黄竹
许积文
杨玲
机构
桂林电子科技大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期1206-1210,共5页
基金
广西教育厅科研项目(No.200734)
文摘
以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO∶Al薄膜为立方结构。当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域。退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移。
关键词
mgxzn
1
-xo
∶
al
紫外透明导电薄膜
Mg掺杂
光电性能
Keywords
mgxzn
1
-xo
∶
al
UV-transparent conducting films
Mg doping
photoelectric property
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Mg_xZn_(1-x)O:Al靶材制备工艺和Mg掺杂对微观结构的影响研究
黄竹
王华
许积文
杨玲
任明放
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Mg掺杂量和退火温度对Mg_xZn_(1-x)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
王华
黄竹
许积文
杨玲
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
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职称材料
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引证文献
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