p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究

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作者 郭紫曼 汪洋 +4 位作者 刘洋 张腾 陈剑 卢寅梅 何云斌 《发光学报》 北大核心 2025年第3期373-382,共10页

针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题,提出采用阴(S^(2-))阳(Mg^(2+))离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上,进行N受主掺杂的新思路,并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔... 针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题,提出采用阴(S^(2-))阳(Mg^(2+))离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上,进行N受主掺杂的新思路,并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、X射线光电子能谱和二次离子质谱测试分析了薄膜的晶体结构、光电学性质及化学组分。实验结果表明,制备的MgZnOS∶N薄膜为六角纤锌矿结构,呈现c轴择优取向生长。薄膜在紫外-可见-近红外波段的透射率超过80%,且Mg掺杂可明显拓宽ZnO合金薄膜的光学带隙。所制备p型导电薄膜中的Mg和S含量分别为9%和25%,空穴浓度为2.02×10^(19) cm^(-3),霍尔迁移率为0.25 cm^(2)/(V∙s),电阻率为1.24Ω∙cm。在成功制备p型MgZnOS∶N薄膜的基础上,设计并制备了新型p-MgZnOS∶N/n-ZnO准同质p-n结型紫外光电探测器。器件呈现典型的二极管整流特性(开启电压约为1.21 V),且在0 V偏压下表现出稳定的自驱动紫外光响应,峰值响应度2.26 mA/W(波长为350 nm)。经分析,认为上述自驱动光响应来源于p-n结内建电场对光生载流子的有效分离和传输。本研究可为ZnO的p型掺杂研究提供有价值的参考,对开发高性能全ZnO基光电子器件具有重要意义。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 P型掺杂 mgznos P-N结

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MgxZn_(1-x)O合金制备及MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 被引量：18

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作者 魏志鹏 吴春霞 +7 位作者 吕有明 张振中 姚斌 张吉英 赵东旭 李炳辉 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期831-833,共3页

利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基... 利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基础上选择具有合适带宽的MgZnO合金作为垒层,制备了MgZnO/ZnO量子阱结构。在较高的光激发密度下,观测到了发光强度随激发密度的超线性增加,并将之归因于激子-激子碰撞引起的超辐射过程。 展开更多

关键词 MgZnO合金 RAMAN光谱 量子阱 超辐射

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高脉冲功率能量PLD法制备MgZnO薄膜中的沉积机理 被引量：7

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作者 汪壮兵 李祥 +3 位作者 于永强 梁齐 揭建胜 许小亮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期344-350,共7页

用PLD法成功制备了一系列高质量的MgZnO薄膜。实验中发现高脉冲能量沉积薄膜的结构和发光特性随基片温度的变化规律与低脉冲能量下的结果不一样:基片在室温时高脉冲能量制备薄膜的XRD峰的半峰全宽比高基片温度时的结果相对更小;AFM显示... 用PLD法成功制备了一系列高质量的MgZnO薄膜。实验中发现高脉冲能量沉积薄膜的结构和发光特性随基片温度的变化规律与低脉冲能量下的结果不一样:基片在室温时高脉冲能量制备薄膜的XRD峰的半峰全宽比高基片温度时的结果相对更小;AFM显示其颗粒变大,柱状生长突出;PL谱紫峰与绿峰强度比最大,结晶质量反而提高。另一方面,与低脉冲能量时相反,增大氧气压强后高脉冲能量沉积的薄膜XRD半峰全宽变窄。结合实验现象和表征,合理解释了高脉冲能量沉积的机理。室温制备高质量MgZnO薄膜的PLD沉积机理对于以后在柔性衬底上沉积薄膜的研究有重要的参考价值。 展开更多

关键词 MgZnO薄膜 脉冲激光沉积 X射线衍射 原子力显微镜 光致发光谱

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利用脉冲激光沉积法制备高Mg掺杂的六方相MgZnO薄膜 被引量：6

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作者 朱德亮 陈吉星 +4 位作者 曹培江 贾芳 柳文军 马晓翠 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期223-226,共4页

选用Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶,利用脉冲激光沉积(PLD)法,在单晶Si(100)和石英衬底上生长了一系列MgZnO薄膜(MZO)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)和紫外可见光透射光谱(UV-Vis)等实验手段,研究了在不同工作压强下... 选用Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶,利用脉冲激光沉积(PLD)法,在单晶Si(100)和石英衬底上生长了一系列MgZnO薄膜(MZO)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)和紫外可见光透射光谱(UV-Vis)等实验手段,研究了在不同工作压强下生长的薄膜样品的晶体结构、微观形貌和光学性能的变化。结果表明:所有的薄膜样品都是单一的ZnO六方相,禁带宽度随生长压强的升高而增加,变化范围在3.83～4.05eV之间,最短吸收边接近300nm。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 MgZnO薄膜 光学性能

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Mg含量对MgZnO薄膜光学性质的影响 被引量：5

5

作者 高丽丽 徐莹 +2 位作者 张淼 张跃林 姚斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期350-354,共5页

利用射频磁控溅射技术,高纯的氩气作为溅射气体,分别选用不同Mg含量的MgxZn1-xO陶瓷靶材,在石英衬底上生长六角纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜,并对薄膜进行了后期热退火处理。研究了Mg含量对MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响。实验结果显示,随... 利用射频磁控溅射技术,高纯的氩气作为溅射气体,分别选用不同Mg含量的MgxZn1-xO陶瓷靶材,在石英衬底上生长六角纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜,并对薄膜进行了后期热退火处理。研究了Mg含量对MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响。实验结果显示,随着Mg含量的增加,薄膜的带隙变宽;光致发光光谱中近带边发射中心蓝移,近带边紫外发射与可见光区深能级发射强度比值减小,发光质量下降;拉曼光谱仍然保持着ZnO的拉曼振动模式,但随着Mg含量的增加,E2high振动峰逐渐展宽,峰型对称性变差。分析表明,随着Mg的合金化,薄膜中产生了更多的杂质缺陷,结晶质量下降。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 Mg含量 光学性能

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太阳盲MgZnO光电探测器 被引量：7

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作者 蒋大勇 张吉英 +8 位作者 单崇新 吕有明 赵延民 韩舜 姚斌 张振中 赵东旭 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期743-746,共4页

利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截止边为230 nm。

关键词 MgZnO合金薄膜 太阳盲光电探测器 射频磁控溅射

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N掺杂p型MgZnO薄膜的制备与性能研究 被引量：2

7

作者 高丽丽 刘军胜 +1 位作者 张淼 张跃林 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期499-503,共5页

利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm-3,迁移率为3.45cm2/(V·s)。... 利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm-3,迁移率为3.45cm2/(V·s)。研究了该薄膜的结构与光学性能。实验结果显示,其拉曼光谱中出现了位于272和642cm-1左右与NO相关的振动模。低温光致发光光谱中,可以观察到位于3.201,3.384和3.469eV的3个发光峰,其中位于3.384eV的发光峰归因为导带电子到缺陷能级的复合发光,而位于3.469eV的发光峰归因为受主束缚激子(A0X)的辐射复合,这说明该N掺杂MgZnO薄膜的空穴载流子主要来自NO受主的贡献。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 N掺杂 P型

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具有结晶孔壁介孔镁锌氧复合物(英文) 被引量：2

8

作者 耿旺昌 赖小勇 李晓天 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第2期527-530,共4页

以介孔碳为硬模板经过二次填充制备了介孔镁锌氧复合物.采用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM),扫描电镜(SEM),N2吸附脱附等手段对材料的结构及形貌进行了表征.结果表明,所制备的材料在具有高有序介孔结构的同时还具有结晶的孔壁.孔径尺寸均... 以介孔碳为硬模板经过二次填充制备了介孔镁锌氧复合物.采用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM),扫描电镜(SEM),N2吸附脱附等手段对材料的结构及形貌进行了表征.结果表明,所制备的材料在具有高有序介孔结构的同时还具有结晶的孔壁.孔径尺寸均为4.0nm,比表面积均为114.5m2.g-1.广角XRD结果初步表明,材料中氧化镁和氧化锌复合形成了固溶体.该材料作为一种半导体材料有望在光学器件领域获得新的应用价值. 展开更多

关键词 介孔 MGZNO 半导体 硬模板法 结晶孔壁

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MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器 被引量：2

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作者 鞠振刚 张吉英 +5 位作者 蒋大勇 单崇新 姚斌 申德振 吕有明 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期865-868,共4页

利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截... 利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截止边为273nm的MgZnO太阳盲光电探测器。 展开更多

关键词 MgZnO薄膜 太阳盲光电探测器 金属有机化学气相沉积

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氧气压强对PLD制备MgZnO薄膜光学性质的影响(英文) 被引量：1

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作者 汪壮兵 王莉 +5 位作者 吴春艳 于永强 胡治中 梁齐 许小亮 揭建胜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期639-645,共7页

使用准分子脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基片上制备了高度c轴取向的MgZnO薄膜。分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。实验发现氧气压强对MgZnO薄膜的结构和光学性质有重要影响。当氧气... 使用准分子脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基片上制备了高度c轴取向的MgZnO薄膜。分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。实验发现氧气压强对MgZnO薄膜的结构和光学性质有重要影响。当氧气压强由5 Pa增大到45 Pa时,薄膜的PL谱紫外峰蓝移了86meV,表明氧气压强的增大提高了MgZnO薄膜中Mg的溶解度。在15 Pa氧气压强下制备的薄膜显示了独特、均匀的六角纳米柱状结构,其PL谱展示了优异的发光特性,具有比其他制备条件下超强的紫外发射和微弱的可见发光。500600 nm范围内的绿光发射,我们讨论其机理可能源于深能级中与氧相关的缺陷。使用PLD得到纳米柱状结构表明：优化制备条件,可望使用PLD制备ZnO纳米阵列的外延衬底;可使用PLD技术开发基于ZnO纳米结构的高效发光器件。 展开更多

关键词 MgZnO薄膜 氧气压强 蓝移

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N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响 被引量：1

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作者 高丽丽 李永峰 +2 位作者 徐莹 张淼 姚斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期689-694,共6页

利用射频磁控溅射方法,使用Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响。结果显示:随着溅射... 利用射频磁控溅射方法,使用Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响。结果显示:随着溅射气氛中氮流量比的增加,薄膜中Mg含量增加,薄膜表面颗粒尺寸减小,结晶质量变差,电阻率逐渐增大,导电类型发生转变。在氮流量比为20%时,获得了最好的p型导电薄膜。另外,随着氮流量比的增加,拉曼光谱中与NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰逐渐增强,表明NO的浓度随着氮流量比的加大而有所增加。 展开更多

关键词 射频磁控溅射技术 N掺杂MgZnO薄膜 氮流量比 光电性能

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Mg_xZn_(1-x)O结构性质(英文) 被引量：2

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作者 陈晓航 康俊勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期761-765,共5页

采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO... 采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。 展开更多

关键词 MgZnO半导体 晶格结构 第一性原理计算

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B-N共掺杂p型MgZnO薄膜的制备与电学性能 被引量：1

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作者 高丽丽 王旭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期1262-1268,共7页

p型MgZnO的制备一直是高效紫外发光和日盲紫外探测器件研究领域的重要课题之一。本文针对N掺杂p型MgZnO薄膜材料中存在的空穴浓度低、电阻率高等科学问题,采取磁控溅射技术,利用氮气与氩气混合气体分别溅射MgZnO陶瓷靶和B-N共掺杂MgZnO... p型MgZnO的制备一直是高效紫外发光和日盲紫外探测器件研究领域的重要课题之一。本文针对N掺杂p型MgZnO薄膜材料中存在的空穴浓度低、电阻率高等科学问题,采取磁控溅射技术,利用氮气与氩气混合气体分别溅射MgZnO陶瓷靶和B-N共掺杂MgZnO陶瓷靶的方法,制备出N掺杂和B-N共掺杂MgZnO薄膜。通过Hall测量表征发现两种薄膜均呈现p型导电特性,与N掺杂MgZnO相比,B-N共掺MgZnO的空穴浓度从5.53×1015 cm^-3提高到2.63×1017 cm^-3,而迁移率变化并不明显(从0.83 cm^2·V^-1·s^-1减小到0.75 cm^2·V^-1·s^-1),导致电阻率从1.36×103Ω·cm减小到31.70Ω·cm。通过XRD和XPS表征揭示了在B-N共掺MgZnO中,B替代Mg或Zn,N除了具有NO和(N2)O两种掺杂状态外,还有以单原子占据O位但与B成键的第三种掺杂状态,证明B掺杂可以提高N在MgZnO中的受主掺杂浓度,但对空穴散射影响很小,从而提高p型MgZnO的空穴浓度,降低电阻率。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 B-N共掺杂 P型

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不同Ar/O_2气压比例条件下立方MgZnO薄膜生长特性及紫外光吸收特性

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作者 韩舜 彭赛 +5 位作者 曹培江 柳文军 曾玉祥 贾芳 朱德亮 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期684-688,共5页

利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备了立方结构MgZnO薄膜,研究了在不同Ar/O2气压比例条件下,立方结构MgZnO薄膜的生长取向、光学带隙和Mg/Zn含量比例的变化规律。当固定氧气分压为2Pa、通过注入惰性的Ar气使生长气压从2 Pa升高到... 利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备了立方结构MgZnO薄膜,研究了在不同Ar/O2气压比例条件下,立方结构MgZnO薄膜的生长取向、光学带隙和Mg/Zn含量比例的变化规律。当固定氧气分压为2Pa、通过注入惰性的Ar气使生长气压从2 Pa升高到7 Pa时,MgZnO薄膜的生长取向由(200)向(111)转变。当生长气压从2 Pa升高到6 Pa时,MgZnO薄膜光学带隙变窄。而当生长气压从6 Pa升高到7 Pa时,MgZnO薄膜光学带隙反而变宽。通过XPS数据分析,不同生长气压下MgZnO薄膜光学带隙的变化规律与薄膜Mg/Zn含量比例的变化规律不一致,MgZnO薄膜中Mg和Zn与O的结合情况的变化对薄膜的光学带隙也有影响。 展开更多

关键词 ZNO MGZNO 脉冲激光沉积 紫外探测器

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热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文)

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作者 曹建明 秦杰明 +7 位作者 张振中 王立昆 郑剑 韩舜 赵延民 张炳烨 张吉英 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期973-976,共4页

MgZnO合金具有可覆盖日盲紫外波段的禁带宽度和晶格匹配的单晶衬底,是理想的日盲紫外探测材料。由于MgO和ZnO分属立方相和六角相,分相问题使高质量单一相MgZnO难以获得。热处理是提高薄膜结晶质量的有效手段。利用MOCVD方法制备了单一... MgZnO合金具有可覆盖日盲紫外波段的禁带宽度和晶格匹配的单晶衬底,是理想的日盲紫外探测材料。由于MgO和ZnO分属立方相和六角相,分相问题使高质量单一相MgZnO难以获得。热处理是提高薄膜结晶质量的有效手段。利用MOCVD方法制备了单一立方相Mg0.57Zn0.43O合金薄膜,研究了薄膜的退火行为对薄膜结构和光学性能的影响。研究发现,450℃的原生样品经过550,650,750,850℃氧气氛退火后,薄膜的结晶特性和表面形貌得到明显的改善。随着退火温度的增加,薄膜吸收截止边逐渐蓝移,带隙展宽。X光电子能谱分析发现,随着退火温度增加,Zn含量逐渐减小,这种现象被归结为组分蒸汽压的差异。在退火温度达到950℃时,样品发生了分相,出现了低Mg含量的六角相MgZnO。 展开更多

关键词 MgZnO合金 热退火 表面形貌 晶粒尺寸

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日盲型MgZnO紫外光传感器研制及性能分析

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作者 刘振吉 楚盛 +2 位作者 杨永辉 刘金 袁小兵 《中国测试》 CAS 北大核心 2015年第7期64-67,共4页

紫外探测虚警率低,不受热噪声影响,可以与红外探测及雷达探测相结合,在火力探测及预警领域有广阔的应用前景。该文采用分子束外延法,通过控制Mg源、Zn源和蓝宝石衬底的温度变化,制备一种MgZnO日盲型紫外探测传感器。对其紫外光谱透光率... 紫外探测虚警率低,不受热噪声影响,可以与红外探测及雷达探测相结合,在火力探测及预警领域有广阔的应用前景。该文采用分子束外延法,通过控制Mg源、Zn源和蓝宝石衬底的温度变化,制备一种MgZnO日盲型紫外探测传感器。对其紫外光谱透光率、响应率和响应时间进行测量。在实验室内利用氘灯作为紫外光源,对MgZnO紫外探测传感器进行探测实验,得到响应电压和日盲波段响应率。通过进一步优化探测器制备工艺,提高探测器响应面积和响应率,有望实现远距离的火力探测和预警。 展开更多

关键词 MGZNO 紫外探测 日盲 光响应率 火力探测 紫外告警

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N掺杂MgZnO薄膜的p型导电稳定性研究

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作者 高丽丽 李淞菲 +1 位作者 曹天福 张雪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期925-929,共5页

利用磁控溅射技术,以Mg0.06Zn0.94O为陶瓷靶材,制备了N掺杂p型Mg0.1 3Zn0.8 7O薄膜,薄膜的电阻率为42.45Ω·cm,载流子浓度为3.70×1017/cm3,迁移率为0.40cm2·V-1·s-1。研究了该薄膜p型导电性质在室温空气下随时间的... 利用磁控溅射技术,以Mg0.06Zn0.94O为陶瓷靶材,制备了N掺杂p型Mg0.1 3Zn0.8 7O薄膜,薄膜的电阻率为42.45Ω·cm,载流子浓度为3.70×1017/cm3,迁移率为0.40cm2·V-1·s-1。研究了该薄膜p型导电性质在室温空气下随时间的变化情况。实验结果表明,薄膜的电阻率逐渐升高,载流子浓度降低,五个月以后,薄膜转变为n型导电,电阻率为85.58Ω·cm,载流子浓度为4.53×1016/cm3,迁移率为1.61cm2·V-1·s-1。真空热退火后重新转变为p型。结果显示,其p型导电类型的转变与在空气中吸附H2O或H2等形成浅施主有关。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 P型 稳定性

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生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响

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作者 吴春霞 申德振 范希武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期671-675,共5页

利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相... 利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相-混合相-立方相的相结构转变,这与扫描电子显微照片的直观结果相对应。分析指出该结果是由生长温度和Ⅱ、Ⅵ族元素的化学剂量比共同决定的。 展开更多

关键词 等离子辅助分子束外延 MgZnO合金 原位反射式高能电子衍射 X射线光电子能谱

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Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响 被引量：4

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作者 孙华山 刘可为 +4 位作者 陈洪宇 范明明 陈星 李炳辉 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期200-205,共6页

利用分子束外延设备(MBE)制备了MgZnO薄膜。X射线衍射谱、紫外-可见透射光谱和X射线能谱表明薄膜具有单一六角相结构,吸收边为340 nm,Zn/Mg组分比为62∶38。采用掩膜方法使用离子溅射设备,在MgZnO薄膜上制备了Au电极,并实现了Au-MgZnO-A... 利用分子束外延设备(MBE)制备了MgZnO薄膜。X射线衍射谱、紫外-可见透射光谱和X射线能谱表明薄膜具有单一六角相结构,吸收边为340 nm,Zn/Mg组分比为62∶38。采用掩膜方法使用离子溅射设备,在MgZnO薄膜上制备了Au电极,并实现了Au-MgZnO-Au结构的紫外探测器。通过改变溅射时间,得到具有不同Au电极厚度的MgZnO紫外探测器。研究结果表明:随着Au电极厚度的增加,导电性先缓慢增加,再迅速增加,最后缓慢增加并趋于饱和;而Au电极的透光率则随厚度的增加呈线性下降。此外,随着Au电极厚度的增加,器件光响应度先逐渐增大,在Au电极厚度为28 nm时达到峰值,之后逐渐减小。 展开更多

关键词 MGZNO 紫外探测器 AU电极 厚度

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基于Ag微孔阵列结构电极的MgZnO紫外探测器制备和特性 被引量：5

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作者 王丽嫣 刘可为 +3 位作者 陈星 朱勇学 侯其超 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期201-207,共7页

通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了MgZnO薄膜,结合光刻和聚苯乙烯(PS)小球模板技术,制备了基于Ag微孔阵列电极结构的MgZnO紫外探测器。与基于常规金属薄膜电极的器件相比,基于微孔阵列叉指电极的MgZnO基... 通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了MgZnO薄膜,结合光刻和聚苯乙烯(PS)小球模板技术,制备了基于Ag微孔阵列电极结构的MgZnO紫外探测器。与基于常规金属薄膜电极的器件相比,基于微孔阵列叉指电极的MgZnO基紫外探测器的光电流提高近6倍,同时其暗电流和响应时间基本保持不变。通过紫外-可见透射光谱和电学性质等表征,讨论了Ag微孔阵列结构电极对MgZnO薄膜紫外光电探测性能的影响机制。本研究为制备高性能紫外探测器提供了一条可行的途径。 展开更多

关键词 MGZNO 紫外探测器 聚苯乙烯 微孔阵列

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