Zn-Al共掺MgTiO_3-CaTiO_3陶瓷的结构与性能 被引量：1

1

作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 张东 宋天秀 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第3期461-463,共3页

采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷。研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷性能的影响。结果表明,Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共... 采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷。研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷性能的影响。结果表明,Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效降低95MCT陶瓷的烧结温度至1 300℃,且得到致密的晶粒结构,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用。当掺杂Zn2+、Al3+的摩尔分数均为0.02时,在1 300℃烧结2.5 h获得最佳性能:介电常数为20.35,介电损耗为2.0×10-6,介电常数温度系数为-1.78×10-6。 展开更多

关键词 mgtio3-catio3陶瓷 Zn-Al共掺杂 介电性能

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ZnO掺杂MgTiO_3-CaTiO_3陶瓷的介电性能 被引量：3

2

作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 宋天秀 张东 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第5期732-734,共3页

采用固相反应法制备(Mg0.95-xZnxCa0.05)TiO3介质陶瓷。研究了ZnO掺杂对MCT陶瓷介电性能的影响。结果表明,ZnO掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,随着ZnO掺杂量的增加,有第二相产生,为Zn2TiO4。ZnO掺杂能降低MCT陶瓷的烧... 采用固相反应法制备(Mg0.95-xZnxCa0.05)TiO3介质陶瓷。研究了ZnO掺杂对MCT陶瓷介电性能的影响。结果表明,ZnO掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,随着ZnO掺杂量的增加,有第二相产生,为Zn2TiO4。ZnO掺杂能降低MCT陶瓷的烧结温度到1250℃,且对介电常数温度系数αc有调节作用。当x=0.02时在1250℃温度烧结2.5h获得最佳性能,即介电常数εr=21.7,介电损耗tanδ=1×10-5,介电常数温度系数αc=2.12×10-5。 展开更多

关键词 mgtio3-catio3 微波陶瓷 ZnO掺杂 介电性能

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Fe2O3掺杂MgTiO3-CaTiO3微波陶瓷的介电性能研究 被引量：1

3

作者 董丽 董桂霞 张茜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期47-50,共4页

采用固相法制备0.93MgTiO3-0.07CaTiO3-xFe_2O_3（摩尔分数x=0.01～0.025）微波介质陶瓷材料,研究添加Fe_2O_3后,体系的晶体结构、显微结构和微波介电性能之间的变化规律。利用XRD、SEM、网络分析仪对样品的相组成、微观结构、介电性能... 采用固相法制备0.93MgTiO3-0.07CaTiO3-xFe_2O_3（摩尔分数x=0.01～0.025）微波介质陶瓷材料,研究添加Fe_2O_3后,体系的晶体结构、显微结构和微波介电性能之间的变化规律。利用XRD、SEM、网络分析仪对样品的相组成、微观结构、介电性能进行测试分析。研究表明：该复合陶瓷样品的致密度、介电常数和Q·f值随Fe_2O_3含量的增加先增大后减小。当x（Fe_2O_3）为0.015,在1290℃烧结4h时,获得最优的介电性能：εr=21.32,Q·f=37448GHz,τf=0.577×10-6/℃。 展开更多

关键词 mgtio3-catio3微波陶瓷 Fe2O3掺杂 微波介电性能

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Al_2O_3添加剂对合成MgTiO_3陶瓷相组成及介电性能的影响 被引量：19

4

作者 王康宋 罗澜 +1 位作者 陈玮 张干城 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期509-514,共6页

研究了添加剂Ａｌ２Ｏ３对ＭｇＯ和ＴｉＯ２合成ＭｇＴｉＯ３陶瓷烧结性、物相组成和微波介电性能的影响,ＸＲＤ分析结果表明:没有添加Ａｌ２Ｏ３时,合成的ＭｇＴｉＯ３陶瓷中只含有ＭｇＴｉＯ３和ＭｇＴｉ２Ｏ５相;加入Ａｌ２Ｏ３后,... 研究了添加剂Ａｌ２Ｏ３对ＭｇＯ和ＴｉＯ２合成ＭｇＴｉＯ３陶瓷烧结性、物相组成和微波介电性能的影响,ＸＲＤ分析结果表明:没有添加Ａｌ２Ｏ３时,合成的ＭｇＴｉＯ３陶瓷中只含有ＭｇＴｉＯ３和ＭｇＴｉ２Ｏ５相;加入Ａｌ２Ｏ３后,ＭｇＴｉＯ３陶瓷中除了ＭｇＴｉＯ３和ＭｇＴｉ２Ｏ５相外,还出现了ＭｇＡｌ２Ｏ４相,这是由于Ａｌ２Ｏ３和 ＭｇＯ发生固相反应．ＭｇＡｌ２Ｏ４的出现虽然阻碍材料的致密化并导致密度下降,但是可以降低反应烧结合成ＭｇＴｉＯ３陶瓷的相对介电常数和介电损耗． 展开更多

关键词 AL2O3 添加剂 mgtio3陶瓷 相组成 介电性能 相对介电常数 介电损耗 钛酸镁陶瓷

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添加剂对MgTiO_3陶瓷性能的影响 被引量：8

5

作者 朱海奎 刘敏 +2 位作者 周洪庆 杨春霞 梁斌 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期24-26,30,共4页

研究了H3BO3,CaO-SiO2-B2O3玻璃料及V2O5的添加对MgTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明:合适的添加剂能够使MgTiO3陶瓷在1240～1300℃之间烧结;添加质量分数为3%的H3BO3,V2O5或1%的CaO-SiO2-B2O3玻璃料... 研究了H3BO3,CaO-SiO2-B2O3玻璃料及V2O5的添加对MgTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明:合适的添加剂能够使MgTiO3陶瓷在1240～1300℃之间烧结;添加质量分数为3%的H3BO3,V2O5或1%的CaO-SiO2-B2O3玻璃料的MgTiO3陶瓷的介电常数分别为20.8,17.5和19.8,在5～20MHz下,介电损耗低,多为10-4数量级;在10kHz下,介电常数的温度系数在-66×10-6/℃左右,是一种性能良好的微波介质材料。 展开更多

关键词 钛酸镁 烧结温度 介电性能 mgtio3 陶瓷性能 添加剂 H3BO3 微波介质材料 V2O5 介电常数

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高品质因素MgTiO_3-SrTiO_3系微波陶瓷介电性能的研究 被引量：8

6

作者 汪婷 李月明 +2 位作者 王竹梅 沈宗洋 洪燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期336-340,共5页

以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0～0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密... 以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0～0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密度、介电常数εr、谐振频率温度系数τf都呈增加趋势,但无载品质因素与谐振频率的乘积Q×f的值随添加量的增加呈下降趋势。当x=0.035时,陶瓷可在1380℃保温2 h烧结,此时陶瓷获得近零的频率温度系数:τf=-2.8×10-6/℃、高的品质因素:Q×f=16714 GHz、介电常数:εr=21.5。 展开更多

关键词 (1-x)mgtio3-xSrTiO3微波陶瓷 谐振频率温度系数 微波介电性能

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MgTiO_3基微波介质陶瓷研究进展 被引量：8

7

作者 赵莉 沈春英 丘泰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期866-869,892,共5页

本文综述了MgTiO3基微波介质陶瓷的性能与最新研究进展,分析了不同添加剂对MgTiO3微波介电性能的影响;总结了MgTiO3材料改性研究的途径及性能;指出了MgTiO3基材料存在的问题与今后的发展方向。

关键词 微波介质陶瓷 mgtio3 介电性能 改性研究

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BiVO_4对MgTiO_3陶瓷烧结及介电性能的影响 被引量：2

8

作者 张启龙 童建喜 +1 位作者 杨辉 王焕平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第4期432-434,共3页

研究了BiVO4对MgTiO3介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明,BiVO4能有效促使MgTiO3陶瓷烧结温度从1 400℃降至900℃以下。X-射线衍射(XRD)表明BiVO4相和MgTiO3相共存。随着BiVO4含量增大,陶瓷致密化温度降低,体积密度和... 研究了BiVO4对MgTiO3介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明,BiVO4能有效促使MgTiO3陶瓷烧结温度从1 400℃降至900℃以下。X-射线衍射(XRD)表明BiVO4相和MgTiO3相共存。随着BiVO4含量增大,陶瓷致密化温度降低,体积密度和介电常数rε逐渐增大,品质因数Q×f急剧下降,频率温度系数fτ向负值方向移动。添加w(MgTiO3)=4%的陶瓷在900℃烧结2 h,获得最佳性能:rε=18.53,Q×f=6 832 GHz,fτ=-55×10-6/℃。 展开更多

关键词 低温共烧陶瓷 介电性能 BIVO4 mgtio3

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添加剂对MgTiO_3系统陶瓷介电性能的影响 被引量：3

9

作者 苏皓 吴顺华 颜海洋 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第3期31-34,共4页

用电子陶瓷工艺制备主晶相为MgTiO3,附加晶相为CaTiO3的介电陶瓷。MgTiO3是具有钛铁矿结构的晶体,属于六方晶系。调节MgTiO3与CaTiO3的比例可以把该系统的温度系数调节到零附近,并适当提高εro研究硼掺杂对MgTiO3系统陶瓷的介电性能的影... 用电子陶瓷工艺制备主晶相为MgTiO3,附加晶相为CaTiO3的介电陶瓷。MgTiO3是具有钛铁矿结构的晶体,属于六方晶系。调节MgTiO3与CaTiO3的比例可以把该系统的温度系数调节到零附近,并适当提高εro研究硼掺杂对MgTiO3系统陶瓷的介电性能的影响:硼掺杂降低了陶瓷的烧结温度,同时加快了陶瓷的致密化过程,而且对Q值(Q=1/tanδ)没有明显的负面影响。硼在烧结中以液相存在,因而促进了烧结中反应的进行,起到了助熔剂的作用。 展开更多

关键词 添加剂 mgtio3 介电性能 介电陶瓷 CATIO3 硼掺杂 温度系数 烧结温度 致密化 助熔剂

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MgTiO_3基微波介质陶瓷的掺杂改性及低温烧结技术

10

作者 骆春媛 刘敬肖 +3 位作者 史非 吴继伟 钱超 杜鹏程 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第19期140-145,共6页

阐述了MgTiO3基微波介质陶瓷材料掺杂改性的基本原则,系统介绍了τf补偿剂和低温烧结助剂的选用规律,总结概括了制备MgTiO3基微波介质陶瓷材料常用的添加剂的种类及其对材料性能的影响;重点评述了近年来MgTiO3基微波介质陶瓷材料掺杂改... 阐述了MgTiO3基微波介质陶瓷材料掺杂改性的基本原则,系统介绍了τf补偿剂和低温烧结助剂的选用规律,总结概括了制备MgTiO3基微波介质陶瓷材料常用的添加剂的种类及其对材料性能的影响;重点评述了近年来MgTiO3基微波介质陶瓷材料掺杂改性的研究进展,并对目前MgTiO3基微波介质陶瓷存在的问题和今后研究发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 mgtio3 微波介质陶瓷 掺杂改性 低温烧结

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Zn-Al共掺对0.95MgTiO_3-0.05CaTiO_3介电性能的影响 被引量：1

11

作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 宋天秀 张东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期371-373,共3页

采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷介电性能的影响.结果表明:Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,Zn-Al共掺杂可以抑制中间相M... 采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷介电性能的影响.结果表明:Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,Zn-Al共掺杂可以抑制中间相MgTi2O5的产生,同时,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效地降低95MCT陶瓷的烧结温度至1300℃,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用.当Zn2+掺杂量为0.02mol、Al3+掺杂量为0.02mol时,在1300℃烧结2.5h获得最佳性能:εr=20.35,tgδ=2.0×10-6,αc=-1.78×10-6. 展开更多

关键词 0.95mgtio3-0.05CaTiO3介质陶瓷 Zn-Al共掺杂 介电性能

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温度稳定型超低损耗Mg(Zr_(0.05)Ti_(0.95))O_3微波介质陶瓷的研制

12

作者 余洪滔 薛小梅 徐光亮 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期12-15,共4页

为了提高具有超低损耗Mg(Zr0.05Ti0.95)O3陶瓷的温度稳定型,采用Sr2+掺杂来对其进行改性研究。采用传统固相法制备了摩尔比Mg∶Sr∶Zr∶Ti∶O=1-x∶x∶0.05∶0.95∶3(x=0、0.03、0.05和0.07)陶瓷,利用XRD和SEM分析其结构和相组成。随着S... 为了提高具有超低损耗Mg(Zr0.05Ti0.95)O3陶瓷的温度稳定型,采用Sr2+掺杂来对其进行改性研究。采用传统固相法制备了摩尔比Mg∶Sr∶Zr∶Ti∶O=1-x∶x∶0.05∶0.95∶3(x=0、0.03、0.05和0.07)陶瓷,利用XRD和SEM分析其结构和相组成。随着Sr含量的增加,陶瓷中出现了SrTiO3相,起到了补偿Mg(Zr0.05Ti0.95)O3温度系数的作用。当Mg∶Sr=0.95∶0.05,1390℃烧结4小时的陶瓷一个近零的温度系数(2.1ppm/℃),高的品质因子(207000)以及一个高的介电常数(20.9)。该陶瓷有望应用现代微波领域。 展开更多

关键词 微波介质陶瓷 谐振频率温度系数 mgtio3

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掺杂CuV_2O_6低温烧结(Zn_(0．65)Mg_(0．35))TiO_3微波陶瓷的研究 被引量：1

13

作者 姜红梅 张树人 周晓华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F11期342-344,共3页

研究了烧结助剂CuV_2O_6对(Zn_(0.65)Mg_(0.35)TiO_3(ZMT)陶瓷结构及介电性能的影响。结果表明:添加CuV_2O_6可促进晶粒生长,使ZMT材料在较低的温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后烧结过程中形成的液相过... 研究了烧结助剂CuV_2O_6对(Zn_(0.65)Mg_(0.35)TiO_3(ZMT)陶瓷结构及介电性能的影响。结果表明:添加CuV_2O_6可促进晶粒生长,使ZMT材料在较低的温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后烧结过程中形成的液相过多,不能均匀地分散在晶界处,不利于晶粒的充分生长;最佳CuV_2O_6的添加量为1.0wt%,添加后材料可在930℃烧结,介电性能为:ε_r=20.1,Q×f=24200(15GHz),τ_f≈-72.5×10^(-6)/℃,有望实现与银电极共烧。 展开更多

关键词 低温烧结 ZnTiO3 mgtio3 微波陶瓷

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SrTiO_3基高压陶瓷电容器材料的改性研究 被引量：1

14

作者 林宙峰 庄志强 +1 位作者 许英伟 罗遂斌 《陶瓷学报》 CAS 2008年第4期353-356,共4页

研究了Bi2O·33TiO2和MgTiO3的加入量对SrTiO3基高压陶瓷电容器材料性能的影响,并用扫描电子显微镜(SEM)对样品进行形貌观察。实验结果表明:加入适量的Bi2O·33TiO2能提高材料的介电常数和降低介质损耗,适量MgTiO3的加入改善了... 研究了Bi2O·33TiO2和MgTiO3的加入量对SrTiO3基高压陶瓷电容器材料性能的影响,并用扫描电子显微镜(SEM)对样品进行形貌观察。实验结果表明:加入适量的Bi2O·33TiO2能提高材料的介电常数和降低介质损耗,适量MgTiO3的加入改善了材料的温度特性,且其晶粒尺寸均匀。 展开更多

关键词 SRTIO3 mgtio3 Bi2O3·3TiO2 陶瓷 高压电容器

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(Zn_xMg_(1-x))TiO_3微波介电性能及其TiO_2掺杂研究 被引量：1

15

作者 相龙成 张树人 +4 位作者 周晓华 钟朝位 唐彬 李波 陈庆荣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期717-719,共3页

调节不同的r（Zn／Mg）值，用普通固相合成法制备了（ZnxMg1-x）TiO3（x=0．1～0．5（摩尔比）微波陶瓷基料，研究了r（Zn／Mg）及预烧温度对其微波和烧结性能的影响，并通过TiO3和CaSiO3玻璃掺杂改善了（ZnxMg1-x）TiO3基料的微波性能... 调节不同的r（Zn／Mg）值，用普通固相合成法制备了（ZnxMg1-x）TiO3（x=0．1～0．5（摩尔比）微波陶瓷基料，研究了r（Zn／Mg）及预烧温度对其微波和烧结性能的影响，并通过TiO3和CaSiO3玻璃掺杂改善了（ZnxMg1-x）TiO3基料的微波性能，最终获得了可在1170℃烧成的相对介电常数εr=26～28，品质因数与频率之积Q·f〉70000（10GHz），谐振频率温度系数τf〈±10×10^-6／℃的微波陶瓷。 展开更多

关键词 ZnTiO3 mgtio3 X-射线衍射(XRD) 扫描电镜(SEM) 微波陶瓷

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CoO掺杂95MCT陶瓷的微波介电性能 被引量：1

16

作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 宋天秀 张东 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第6期885-887,共3页

采用固相反应法制备了CoO掺杂的0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)介质陶瓷。研究了CoO掺杂对95MCT介质陶瓷烧结特性、相结构和微波介电性能的影响。结果表明,CoO掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构;CoO掺杂能有效降低95MCT... 采用固相反应法制备了CoO掺杂的0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)介质陶瓷。研究了CoO掺杂对95MCT介质陶瓷烧结特性、相结构和微波介电性能的影响。结果表明,CoO掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构;CoO掺杂能有效降低95MCT陶瓷的烧结温度至1250℃,同时提高陶瓷的品质因数。w(CoO)=2.6%的95MCT陶瓷在1250℃烧结获得最佳性能,即介电常数εr=20.9,品质因数与频率的乘积Q×f=48908,介电常数温度系数αc=1.06×10-5。 展开更多

关键词 0.95mgtio3-0.05CaTiO3陶瓷 CoO掺杂 微波介电性能

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掺杂BiVO_4低温烧结ZMT微波陶瓷的研究

17

作者 姜红梅 张树人 周晓华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第4期471-473,共3页

研究了烧结助剂BiVO4对(Zn0.65Mg0.35)TiO3(ZMT)陶瓷结构及介电性能的影响。研究结果表明,添加BiVO4可促进晶粒生长,使ZMT材料在较低温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后烧结过程中形成的液相过多,不能均... 研究了烧结助剂BiVO4对(Zn0.65Mg0.35)TiO3(ZMT)陶瓷结构及介电性能的影响。研究结果表明,添加BiVO4可促进晶粒生长,使ZMT材料在较低温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后烧结过程中形成的液相过多,不能均匀的分散在晶界处,不利于晶粒的充分生长;最佳的BiVO4的质量分数为1.0%,添加后材料可在930℃烧结,相对介电常数rε=20.87,品质因数与频率之积(Q×f)为26 700 GHz(在频率f为15 GHz下测试的数据),谐振器频率温度系数(τf)约为64×10-6/℃,有望实现与银电极共烧。 展开更多

关键词 低温烧结 ZnTiO3 mgtio3 微波陶瓷

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