ITO沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响

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作者 侯焕然 金扬利 +3 位作者 石晓飞 张运生 王衍行 祖成奎 《表面技术》 北大核心 2025年第4期233-241,261,共10页

目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄... 目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄膜的表面形貌、表面粗糙度、透光率及表面方阻进行表征和测试,分析ITO沉积温度对ITO/Au光电性能的影响机理。为了进一步理解超薄Au膜生长连续性改善的原因,通过几何平均法和算术平均法分别计算了ITO薄膜的表面自由能,分析了ITO薄膜表面自由能的改变对生长形貌的影响规律。结果在超薄Au膜镀制工艺相同的前提下,随着衬底层ITO薄膜沉积温度升高,ITO/Au薄膜的可见光平均透过率提升,表面方阻值降低。这是因为当沉积温度高于200℃时,ITO薄膜发生多晶化转变,多晶态的ITO相较于非结晶态具有更高的表面自由能,更有利于超薄Au膜的铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。当ITO沉积温度提升至300℃时,ITO薄膜的表面自由能几何平均法计算结果为45.2 mJ/m^(2),算术平均法计算结果为48.1 mJ/m^(2),在其表面沉积超薄Au膜后,制备了可见光平均透过率为47.5%、表面方阻为5.65Ω/sq,高光电性能兼容的ITO/Au薄膜。结论提高衬底层ITO薄膜的沉积温度,ITO薄膜发生多晶化转变,表面自由能提升,可有效促进超薄Au膜在其表面铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。 展开更多

关键词 沉积温度 氧化铟锡 超薄金膜 透明导电薄膜 磁控溅射 光电性能 表面自由能

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模压成型压力对氧化铟锡(ITO)靶材性能影响研究

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作者 姜峰 谭泽旦 +5 位作者 黄誓成 方志杰 陆映东 覃立仁 王永清 曾纪术 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第1期134-137,142,共5页

以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对... 以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对密度为99.81%、电阻率为1.707×10^(-4)Ω·cm、平均晶粒尺寸为7.62μm。研究结果可为ITO靶材的致密化与大型化生产提供借鉴。 展开更多

关键词 模压成型 氧化铟锡 导电薄膜 靶材 常压烧结 电阻率 致密化

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ITO薄膜微结构对其光电性质的影响 被引量：8

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作者 曾明刚 陈松岩 +3 位作者 陈谋智 王水菊 林爱清 邓彩玲 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期496-499,共4页

采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3+的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考. 展开更多

关键词 ito薄膜 微结构 光电性质 磁控溅射 掺锡氧化铟薄膜 电导率 透射率

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ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究 被引量：15

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作者 陶海华 姚宁 +2 位作者 辛荣生 边超 张兵临 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 2003年第4期37-40,共4页

论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的... 论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) . 展开更多

关键词 ito透明导电薄膜 制备 光电特性 直流磁控反应溅射法 透过率 氧化铟锡

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柔性衬底ITO薄膜的制备及其光电性能研究 被引量：12

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作者 郝雷 刁训刚 +3 位作者 胡小草 张鲁豫 郝维昌 王天民 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期256-260,共5页

在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PET)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PET表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨... 在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PET)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PET表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨了ITO膜的透光和导电机理,并分析了方块电阻与红外发射率的相互关系。实验结果表明,通过等离子体清洗,ITO薄膜的结合力和光电性能都得到了改善。ITO薄膜的红外发射率和方块电阻受制备条件的影响规律具有相似之处,红外发射率随薄膜方块电阻的增大而呈增加的趋势。 展开更多

关键词 ito膜 直流磁控溅射 光电性能 红外发射率

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磁控溅射低阻ITO薄膜的气体参数优化 被引量：9

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作者 王军 成建波 +2 位作者 饶海波 蒋亚东 杨刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期115-117,共3页

用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随... 用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随膜内氧的摩尔分数增加而增大,随氧气比例增加薄膜(400)晶向消失。优化参数为气压266.664 mPa,V(Ar):V(O2)=15:0,制备的ITO薄膜方阻为22Ω/□,在可见光区域平均透过率为85%。 展开更多

关键词 薄膜 氧化铟锡(ito) 直流磁控溅射 沉积气压 流量比

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溅射功率和氧分压对ITO薄膜光电性能的影响研究 被引量：8

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作者 王生浩 张静全 +9 位作者 王波 冯良桓 蔡亚平 雷智 黎兵 武莉莉 李卫 曾广根 郑家贵 蔡伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期717-719,723,共4页

采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:... 采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:溅射功率对ITO的光电性能影响较小,沉积速率随着溅射功率的增大而加快;随着氧分压的升高,载流子浓度降低,霍尔迁移率先增大后减小,电阻率逐渐增大。在优化的工艺条件下,制备了在可见光区平均透过率达85%、电阻率为1×10-4Ω.cm的光电性能优良的ITO薄膜。 展开更多

关键词 氧化铟锡 直流磁控溅射 电阻率 透光率

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室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究 被引量：8

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作者 纪安妮 孙书农 +1 位作者 柳兆洪 刘瑞堂 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期221-224,共4页

报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡（ＩＴＯ）薄膜获得电阻率３×１０－４Ω·ｃｍ，在可见光区平均透光率８４％的优良性能．

关键词 磁控溅射 ito薄膜 晶体结构 结晶形貌 扫描电镜

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膜厚对ITO薄膜的电学与光学性质的影响 被引量：6

9

作者 罗远晟 陈松林 +4 位作者 马平 蒲云体 朱基亮 朱建国 肖定全 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1024-1026,共3页

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响。试验结果表... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响。试验结果表明,在适当的沉积时间(5 min)下制备的ITO薄膜具有良好的光学性能和电学性能,其方阻为17Ω/□,在可见光区域内的平均透过率为84%。 展开更多

关键词 薄膜 氧化铟锡(ito) 磁控溅射 薄膜厚度

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透明导电薄膜的红外可见光兼容隐身的厚度依赖性研究

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作者 杨季薇 董玲 +6 位作者 谷东 徐华蕊 赵昀云 杨涛 李海平 李杰 朱归胜 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1614-1621,共8页

采用直流(DC)磁控溅射法,通过对透明导电薄膜氧化铟锡(ITO)进行结构调控,分析其中的载流子浓度、迁移率等变化,着重探究了薄膜的厚度对红外波段反射率的影响,诠释了薄膜厚度与光电性能之间的构效关系。通过设定特定的溅射功率、衬底温... 采用直流(DC)磁控溅射法,通过对透明导电薄膜氧化铟锡(ITO)进行结构调控,分析其中的载流子浓度、迁移率等变化,着重探究了薄膜的厚度对红外波段反射率的影响,诠释了薄膜厚度与光电性能之间的构效关系。通过设定特定的溅射功率、衬底温度、气氛控制ITO薄膜的薄膜厚度,得到了100~500 nm厚度的薄膜,实现了高(400)取向、高红外反射率、高可见光透过率的氧化铟锡薄膜的制备。构建的特殊膜层厚度,构成了协同的载流子浓度与迁移率,缓解了一部分漫反射的影响,在膜厚为400 nm时,平均可见光透过率为89.51%,实现了2.5~15μm宽谱段97.37%的平均红外反射率。且所得薄膜品质因数高达815.19×10^(-4)Ω^(-1),显著优于已报道的透明导电薄膜体系,解决了可见光与红外兼容隐身的问题,为频谱兼容光学隐身材料及智能窗的制备提供了新的思路。 展开更多

关键词 氧化铟锡薄膜 直流磁控溅射 红外隐身 厚度 光电性能 霍尔参数

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HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能 被引量：10

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作者 任丙彦 刘晓平 +2 位作者 许颖 王敏花 廖显伯 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期504-507,共4页

采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10^-4Ω·cm、在350～800 nm波段的平... 采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10^-4Ω·cm、在350～800 nm波段的平均光透过率为87.1%,将其应用于HIT太阳电池上,电池的转换效率可达13.38%. 展开更多

关键词 氧化铟锡薄膜 射频磁控溅射 陶瓷靶 HIT太阳电池

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磁控溅射ITO薄膜的退火处理 被引量：4

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作者 王军 成建波 +4 位作者 陈文彬 杨刚 蒋亚东 蒋泉 杨健君 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期264-266,共3页

采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO（Indium tin oxide）薄膜，并在真空中不同温度（100℃-400℃）下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶，优选晶向为（222）。随退... 采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO（Indium tin oxide）薄膜，并在真空中不同温度（100℃-400℃）下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶，优选晶向为（222）。随退火温度升高，方块电阻迅速下降，表面更加平整，薄膜在可见光范围平均透过率提高到85％。 展开更多

关键词 薄膜 氧化铟锡(ito) 退火 直流磁控溅射 方阻

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铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响 被引量：4

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作者 江锡顺 曹春斌 +1 位作者 宋学萍 孙兆奇 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期398-401,共4页

采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1h。对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析。结果表明:退火温度... 采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1h。对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析。结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω.cm。 展开更多

关键词 ito薄膜 磁控溅射 氧化程度 光电特性

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辅助离子束功率密度对透明塑料上室温磁控溅射沉积ITO薄膜结构和形貌的影响 被引量：2

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作者 望咏林 颜悦 +2 位作者 温培刚 伍建华 张官理 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期1-4,共4页

基于双极脉冲磁控溅射复合离子束辅助沉积的新工艺,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常温制备了透明导电的铟锡氧化物(ITO)薄膜。重点研究了不同辅助离子束功率密度对ITO薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明:当离子束功率密度从52mW/cm2... 基于双极脉冲磁控溅射复合离子束辅助沉积的新工艺,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常温制备了透明导电的铟锡氧化物(ITO)薄膜。重点研究了不同辅助离子束功率密度对ITO薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明:当离子束功率密度从52mW/cm2逐渐增加到436mW/cm2时,薄膜逐渐从非晶态转变为微晶态、直至长大为多晶态,晶体呈现(222)择优取向;薄膜在非晶态时表面相对平坦,随着晶粒的长大,表面均方根粗糙度Rq增加,并在离子束功率密度为436mW/cm2时最大。离子束功率密度进一步增大到680mW/cm2时,薄膜的晶体衍射峰强度变弱、峰的半高宽变大,表明晶粒尺寸变小;薄膜表面均方根粗糙度下降。离子束功率密度为252mW/cm2,ITO薄膜具有最佳综合光电性能. 展开更多

关键词 铟锡氧化物薄膜 室温制备 离子束辅助磁控溅射 结构与形貌 透明塑料衬底

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ITO导电薄膜表面缺陷的图像特征分析 被引量：3

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作者 胡海兵 薛源 +1 位作者 徐挺 金施群 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2017年第A01期198-200,210,共4页

针对ITO导电薄膜缺陷人工分类效率较低的问题,提出了一种基于灰度差分统计法、灰度共生矩阵法和矩描述法的缺陷特征分析方法。首先,通过灰度差分统计对比得出各缺陷的熵值,利用熵值进行一次分类;其次,通过灰度共生矩阵,提取了二阶矩、... 针对ITO导电薄膜缺陷人工分类效率较低的问题,提出了一种基于灰度差分统计法、灰度共生矩阵法和矩描述法的缺陷特征分析方法。首先,通过灰度差分统计对比得出各缺陷的熵值,利用熵值进行一次分类;其次,通过灰度共生矩阵,提取了二阶矩、对比度和相关性的数值,通过这三个数值分别设置阈值并对图表进行分析完成对5种缺陷的分类;最后,根据矩描述的特性并通过实验对矩方法的可行性进行了分析。实验中,取熵值的阈值为0.5,二阶矩的阈值为230,对比度的阈值为140,相关性的阈值为22,通过这四个参数的阈值可以达到将5种缺陷分类的效果。实验结果表明,基于灰度差分统计法和灰度共生矩阵法的分类方法可以更有效地完成缺陷分类。 展开更多

关键词 ito导电薄膜 灰度差分统计 灰度共生矩阵 矩 阈值

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利用钛保护层在ITO电极上直接制备大面积的超薄氧化铝膜(英文) 被引量：1

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作者 肖立新 段来强 +4 位作者 柴俊一 王芸 陈志坚 曲波 龚旗煌 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第3期749-753,共5页

通过磁控溅射并引入钛保护层,利用在0.3mol·L-1硫酸中20V电压下二次阳极氧化,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上直接制备了超薄(约140nm,为阳极氧化前Al厚度的一半)、大面积(约4cm2)的多孔阳极氧化铝(AAO).扫描电子显微镜结果表明生... 通过磁控溅射并引入钛保护层,利用在0.3mol·L-1硫酸中20V电压下二次阳极氧化,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上直接制备了超薄(约140nm,为阳极氧化前Al厚度的一半)、大面积(约4cm2)的多孔阳极氧化铝(AAO).扫描电子显微镜结果表明生成的微孔与衬底垂直,孔径和孔间距分别约为30和60nm.我们发现钛保护层的作用是提高了Al层的附着性并且防止ITO被腐蚀,在此体系中钛不能被其它的金属如铬、金、银或铜代替.紫外-可见光谱透过率结果显示在阳极氧化过程中Ti被氧化成为透明的TiO2,利用10-20nm的钛保护层以及二次阳极氧化过程,能够保证高透明度.在ITO上直接制备的这种透明、有序的AAO纳米结构在光子学、光伏领域和纳米制备等方面具有潜在应用. 展开更多

关键词 阳极氧化铝 薄膜 氧化铟锡透明电极 钛保护层 磁控射频溅射

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氧分压与沉积速率对ITO薄膜性能的影响 被引量：1

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作者 郭战营 许安涛 +1 位作者 张庆丰 郜小勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期226-230,共5页

本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响。研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势... 本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响。研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势。对沉积速率对样品性能的影响进行了研究,结果表明沉积速率降低有利于样品性能的改善。 展开更多

关键词 ito薄膜 电子束蒸发 性能 禁带宽度

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电力储能检测用SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器及其性能研究

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作者 穆石磊 蒋建杰 +4 位作者 邓鹤鸣 周开运 李佳丽 严雪莹 韩磊 《高压电器》 北大核心 2025年第6期156-163,共8页

为了提升电力储能系统中早期故障氢气浓度检测的精度与效率,进而确保储能设备的安全运行和高度稳定性,文中采用磁控溅射共溅射技术制备了系列SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器。通过采用不同射频溅射功率(130 W和150 W)在陶瓷片上制备了SnO_... 为了提升电力储能系统中早期故障氢气浓度检测的精度与效率,进而确保储能设备的安全运行和高度稳定性,文中采用磁控溅射共溅射技术制备了系列SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器。通过采用不同射频溅射功率(130 W和150 W)在陶瓷片上制备了SnO_(2)掺杂Pd的金属氧化物半导体薄膜,进行了全面的气敏性能测试。结果显示,150 W功率的样品(样品B)在相同氢气浓度下展现出更佳的响应性和较高的工作温度,而130 W功率的样品(样品A)则表现出更优异的长期稳定性。两种传感器均具备良好的选择性,能有效区分油中其他干扰气体,准确检测氢气浓度变化。该新型薄膜型气敏传感器具有优异的性能特点,可为电力储能、变电站、氢能源行业以及环境保护等领域的实时氢气监测提供可靠的技术手段。 展开更多

关键词 磁控溅射 氧化锡/钯 薄膜型 传感器 电力储能检测 半导体薄膜

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低真空下射频磁控溅射法制备ITO薄膜(英文) 被引量：4

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作者 李晓冬 朱红兵 +4 位作者 褚家宝 黄士勇 孙卓 陈奕卫 黄素梅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期553-559,共7页

在低真空(2.3×10-3Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜。溅射温度200℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90%氧化铟、10%氧化锡的陶瓷靶。用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构,用X射线光电子能谱表征... 在低真空(2.3×10-3Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜。溅射温度200℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90%氧化铟、10%氧化锡的陶瓷靶。用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构,用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分。ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80%～95%)。在低工作气压(1Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好。在高工作气压(2Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜。 展开更多

关键词 氧化铟锡 薄膜 射频磁控溅射 X射线光电子能谱

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空间太阳电池玻璃盖板表面超薄ITO防静电层的设计及制备工艺

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作者 金鹤 周灵平 +3 位作者 朱家俊 符立才 杨武霖 李德意 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第17期158-162,共5页

ITO/MgF2复合薄膜既具有较好的表面导电性能又具有较高的透过率,可应用于空间太阳电池玻璃盖板表面。文章主要对ITO/MgF2复合薄膜中表层的超薄ITO薄膜进行了研究。利用TFCalc软件模拟了ITO薄膜厚度对ITO/MgF2复合薄膜光学性能的影响,根... ITO/MgF2复合薄膜既具有较好的表面导电性能又具有较高的透过率,可应用于空间太阳电池玻璃盖板表面。文章主要对ITO/MgF2复合薄膜中表层的超薄ITO薄膜进行了研究。利用TFCalc软件模拟了ITO薄膜厚度对ITO/MgF2复合薄膜光学性能的影响,根据模拟结果采用电子束蒸发法在衬底上依次沉积MgF2薄膜和氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了ITO薄膜工艺参数(沉积速率、沉积温度和工作气压)和ITO薄膜厚度对ITO/MgF2复合薄膜光电性能及微观结构的影响。当ITO薄膜沉积速率为0.05nm/s、沉积温度为400℃、工作气压为2.3×10^(-2) Pa、厚度为10nm时,表层ITO薄膜基本连续,其方块电阻(1.94kΩ/)已符合设计需求,ITO/MgF2复合薄膜在可见光区间(400~800nm)的平均透过率达到89.00%。 展开更多

关键词 氧化铟锡(ito)薄膜 防静电 空间太阳电池 MgF2薄膜 电子束蒸发 玻璃盖板

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