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MTM反熔丝单元编程特性研究被引量：3: 1; 作者王印权刘国柱 +2 位作者徐海铭郑若成洪根深《电子与封装》 2015年第3期35-37,48,共4页; 主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻... 展开更多; 关键词 mtm反熔丝单元编程电阻编程电压编程次数; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于可编程器件的MTM反熔丝特性研究被引量：2: 2; 作者洪根深吴建伟 +1 位作者高向东王栩《电子与封装》 2013年第11期33-35,共3页; 基于ONO(Oxide-Nitride-Oxide)和MTM(Metal-to-Metal)反熔丝技术的可编程存储及逻辑器件已经广泛应用于空间技术中。MTM反熔丝以其单元面积小、集成度高、反熔丝电容小和编程后电阻小等优势,更加适合深亚微米集成电路。文章通过制备MTM... 展开更多; 关键词 mtm反熔丝 ONO反熔丝可编程器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种星用高可靠性MTM反熔丝PROM存储单元被引量：4: 3; 作者孙杰杰徐海铭 +4 位作者胡小琴于跃袁同伟潘滨胡永强《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第12期89-92,共4页; 提出了一种新型的,可用于卫星及其他航天器的高可靠性MTM反熔丝PROM存储单元,并围绕该存储单元,研究了其编程方式.实验表明,在PROM电路中采用该存储单元,且按照所述的编程方式,可以在编程过程中对未选中反熔丝实施有效保护,进而提高PRO... 展开更多; 关键词 mtm反熔丝 PROM 存储单元编程; 在线阅读下载PDF 职称材料

反熔丝型FPGA电路过电应力失效分析被引量：6: 4; 作者郑若成王印权 +3 位作者孙杰杰田海燕郑良晨吴素贞《电子与封装》 2021年第6期64-68,共5页; 反熔丝电路作为航天领域广泛使用的核心芯片,其失效机理及是否与反熔丝器件相关尤为重要。对某款反熔丝电路电源过应力失效问题进行机理分析,同时通过逻辑分析并配合EMMI、红外等分析手段,对失效点进行物理定位。在此基础上,进一步通过... 展开更多; 关键词 mtm反熔丝单元过电应力电迁移失效; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于反熔丝配置芯片的编程和读出电路设计被引量：3: 5; 作者曹正州李光明《电子与封装》 2022年第9期42-47,共6页; 基于0.18μm 1P6M金属-金属(MTM)反熔丝工艺设计了一种用于FPGA配置芯片的编程和读出电路,提供按位和按字节两种编程方法,提高了编程的灵活性。编程高压电路的从电荷泵采用分布式的布局,提高了编程电压的精度。在读出电路上,读上拉电流... 展开更多; 关键词配置芯片 FPGA mtm反熔丝工艺电荷泵; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于反熔丝技术的FPGA配置芯片设计被引量：3: 6; 作者曹正州张艳飞 +2 位作者徐玉婷江燕孙静《电子与封装》 2021年第12期70-76,共7页; 为了提高现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)配置芯片在太空使用的可靠性,降低单粒子翻转效应的影响,基于CSMC 0.18μm 1P6M反熔丝工艺,采用MTM(Metal To Metal)反熔丝作为存储单元设计了一款高可靠性配置芯片。该... 展开更多; 关键词配置芯片 FPGA mtm反熔丝; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MTM反熔丝单元编程特性研究被引量：3: 1; 作者王印权刘国柱徐海铭郑若成洪根深; 机构中国电子科技集团公司第; 出处《电子与封装》 2015年第3期35-37,48,共4页; 文摘主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。; 关键词 mtm反熔丝单元编程电阻编程电压编程次数; Keywords mtm antifuse cell on-state resistance programming voltage programming times; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于可编程器件的MTM反熔丝特性研究被引量：2: 2; 作者洪根深吴建伟高向东王栩; 机构中国电子科技集团公司第; 出处《电子与封装》 2013年第11期33-35,共3页; 文摘基于ONO(Oxide-Nitride-Oxide)和MTM(Metal-to-Metal)反熔丝技术的可编程存储及逻辑器件已经广泛应用于空间技术中。MTM反熔丝以其单元面积小、集成度高、反熔丝电容小和编程后电阻小等优势,更加适合深亚微米集成电路。文章通过制备MTM反熔丝单元,对单元的击穿特性和漏电性能展开研究,给出了反熔丝单元漏电流与单元尺寸的关系,对单元的编程电流和编程后的电阻值关系进行了研究,与文献[1]给出的R on=V f/I p的关系基本一致。; 关键词 mtm反熔丝 ONO反熔丝可编程器件; Keywords metal-to-metal antifuse Oxide-Nitride-Oxide antifuse programmable devices; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种星用高可靠性MTM反熔丝PROM存储单元被引量：4: 3; 作者孙杰杰徐海铭胡小琴于跃袁同伟潘滨胡永强; 机构中国电子科技集团公司第; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第12期89-92,共4页; 基金国家核心电子器件重大专项课题(2014ZX01022201-001); 文摘提出了一种新型的,可用于卫星及其他航天器的高可靠性MTM反熔丝PROM存储单元,并围绕该存储单元,研究了其编程方式.实验表明,在PROM电路中采用该存储单元,且按照所述的编程方式,可以在编程过程中对未选中反熔丝实施有效保护,进而提高PROM芯片整体的可靠性和使用寿命.; 关键词 mtm反熔丝 PROM 存储单元编程; Keywords mtm antifuse PROM bitcell programming; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名反熔丝型FPGA电路过电应力失效分析被引量：6: 4; 作者郑若成王印权孙杰杰田海燕郑良晨吴素贞; 机构中科芯集成电路有限公司; 出处《电子与封装》 2021年第6期64-68,共5页; 文摘反熔丝电路作为航天领域广泛使用的核心芯片,其失效机理及是否与反熔丝器件相关尤为重要。对某款反熔丝电路电源过应力失效问题进行机理分析,同时通过逻辑分析并配合EMMI、红外等分析手段,对失效点进行物理定位。在此基础上,进一步通过FIB和SEM观察到时钟网络中某NMOS管漏结及布线发生了严重的电迁移,对电源过应力引起NMOS管漏结及布线电迁移失效进行了验证。针对该失效问题的预防措施,对引起电源毛刺的失效电容进行更换并确认,对电路失效部位版图进行抗电迁移版图加固,经过验证相关措施切实有效。; 关键词 mtm反熔丝单元过电应力电迁移失效; Keywords mtm anti-fuse over-voltage stress electro-migration failure; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于反熔丝配置芯片的编程和读出电路设计被引量：3: 5; 作者曹正州李光明; 机构无锡中微亿芯有限公司; 出处《电子与封装》 2022年第9期42-47,共6页; 文摘基于0.18μm 1P6M金属-金属(MTM)反熔丝工艺设计了一种用于FPGA配置芯片的编程和读出电路,提供按位和按字节两种编程方法,提高了编程的灵活性。编程高压电路的从电荷泵采用分布式的布局,提高了编程电压的精度。在读出电路上,读上拉电流和读脉冲宽度可以编程,提高了读出电路的可靠性。数据输出寄存器采用三模冗余的结构,提高了配置芯片的抗辐射性能。; 关键词配置芯片 FPGA mtm反熔丝工艺电荷泵; Keywords configuration chip FPGA mtm anti-fuse process charge pump; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于反熔丝技术的FPGA配置芯片设计被引量：3: 6; 作者曹正州张艳飞徐玉婷江燕孙静; 机构中微亿芯有限公司; 出处《电子与封装》 2021年第12期70-76,共7页; 文摘为了提高现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)配置芯片在太空使用的可靠性,降低单粒子翻转效应的影响,基于CSMC 0.18μm 1P6M反熔丝工艺,采用MTM(Metal To Metal)反熔丝作为存储单元设计了一款高可靠性配置芯片。该配置芯片容量为512 kb,在同FPGA配置的工作模式下,电源电压为3.0~3.6 V,最高工作频率为50 MHz。由于MTM反熔丝存储单元有天然的抗辐射特性,并且数据输出锁存器采用了双联互锁存储结构,所以该配置芯片具有较高的抗辐射性能,比较适合太空的应用环境。另外针对太空应用中电源系统共用导致上电的过程中电源斜率范围比较宽泛的情况,该配置芯片中的上电复位电路采用了RC复位和电压检测复位组成的双模复位电路,可以使配置芯片适应复杂的电源环境,进一步提高了电路的可靠性。; 关键词配置芯片 FPGA mtm反熔丝; Keywords configuration chip FPGA mtm anti-fuse; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	MTM反熔丝单元编程特性研究	王印权刘国柱徐海铭郑若成洪根深	《电子与封装》	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用于可编程器件的MTM反熔丝特性研究	洪根深吴建伟高向东王栩	《电子与封装》	2013	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种星用高可靠性MTM反熔丝PROM存储单元	孙杰杰徐海铭胡小琴于跃袁同伟潘滨胡永强	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2016	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	反熔丝型FPGA电路过电应力失效分析	郑若成王印权孙杰杰田海燕郑良晨吴素贞	《电子与封装》	2021	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	用于反熔丝配置芯片的编程和读出电路设计	曹正州李光明	《电子与封装》	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于反熔丝技术的FPGA配置芯片设计	曹正州张艳飞徐玉婷江燕孙静	《电子与封装》	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料