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ICL7667实现步进电机高频斩波控制 被引量:6
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作者 王永成 党源源 +2 位作者 徐抒岩 韩诚山 于涛 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2193-2198,共6页
为了提高小内阻步进电机驱动系统中功率MOSFET的开关速度,采用ICL7667作为功率MOSFET的驱动器来实现步进电机的高频斩波控制。对驱动电路采用的功率MOSFET的栅极电容特性、开关时间等进行了研究,发现栅极电容的充放电过程影响了功率MOS... 为了提高小内阻步进电机驱动系统中功率MOSFET的开关速度,采用ICL7667作为功率MOSFET的驱动器来实现步进电机的高频斩波控制。对驱动电路采用的功率MOSFET的栅极电容特性、开关时间等进行了研究,发现栅极电容的充放电过程影响了功率MOSFET的开关速度,提出了提高功率MOSFET开关速度的方法。最后,采用ICL7667作为功率MOSFET的驱动器实现了步进电机的高频斩波控制。仿真和试验结果表明:采用ICL7667的驱动电路,可以保证斩波频率为200 kHz时,功率MOSFET的漏极输出仍处于截止和深度饱和的状态,这比采用电阻分压式驱动电路其斩波频率最大为20 kHz提高了10倍,可保证小内阻步进电机在高速斩波信号的控制下正确运行。 展开更多
关键词 ICL7667 功率mosfet 步进电机 mosfet驱动器 开关特性
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IR推出通用有源ORing控制器集成电路实现高效的零故障功率系统
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期78-78,共1页
全球电源管理技术领袖国际整流器公司近日推出采用高性能有源ORing电路的IR5001S通用高速控制器-N沟道功率MOSFET驱动器。
关键词 控制器 功率系统 电路实现 有源 通用 推出 零故障 mosfet驱动器 国际整流器公司 高效 集成 IR 电源管理技术 N沟道功率
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业界动态
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期734-734,共1页
关键词 MICROCHIP mosfet驱动器 DFN封装 高功率LED SOT-23 射频收发器 ADI公司 电池充电器
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